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研究了InSb-In共晶体薄膜磁敏电阻(MR)的温度特性,并把这种磁敏电阻应用到温度控制领域,设计了一种基于InSb-In磁敏电阻的温度控制器,由InSb-In磁敏电阻温度采集电路、信号处理电路和控制执行电路三部分组成。实验结果表明,InSb-In磁敏电阻材料同其他温敏元件材料一样,具有很好的温度特性,其温度特性与热敏电阻NTC极为相近;用InSb-In磁敏电阻材料制作的温控器具有灵敏度高、控温范围宽的优点,在低温区其灵敏度可以高于30mV/℃,常温下也可达到23mV/℃左右。同时它还具有稳定性强、可靠性好、受环境因素影响小、结构简单紧凑、价格低廉、对材料要求低等诸多优点,是一种值得推广应用的新型材料温度开关。 相似文献
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在前一篇文章里,我们大胆地抛出了“品牌鸦片论”,以提醒国人重品质而非品牌,以数据说话,实事求是,讲真求理。但是我深知,冰冻三尺非一日之寒,心有“以卵击石”之感——然而毕竟,我是击过了,以手中留有玩水漂的痛快为证。 相似文献
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高粗糙度薄层贵金属纳米结构的界面组装对研制高性能的电化学传感器具有重要意义。以玻碳电极(GCE)上电沉积锯齿状形貌的半导体碲(Te)膜为模板,再将其与HAuCl_4进行原电池置换反应,制备了条棒状的粗糙Au薄膜修饰电极(AuTe-R/GCE)。在碱性环境中采用循环伏安法研究了AuTe-R/GCE对葡萄糖的电催化氧化性能,并藉此构建了无酶葡萄糖电化学传感器。结果表明,与普通的镀金GCE(Aucon/GCE)和裸Au电极相比,AuTe-R/GCE对葡萄糖的电催化氧化活性更高;在最优条件下,采用恒电位计时安培法检测了葡萄糖浓度,AuTe-R/GCE对葡萄糖的线性检测范围(LDR)为0.01~2.00 mmol·L~(-1),灵敏度为3.8 mA·mmol~(-1)·cm~(-2),检测下限(LOD)为55 nmol·L~(-1);且该无酶葡萄糖电化学传感器抗干扰能力强,稳定性好。以半导体碲膜制备特定形貌与高粗糙度薄层纳米Au的方法具有简便、快捷和低成本等优点,有望在高活性纳米电催化剂的界面组装及其电化学性能研究中被广泛应用。 相似文献
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InSb-In磁阻式角度传感器温度特性研究 总被引:3,自引:0,他引:3
研究发现,在磁阻元件构成的角度传感器中,由于生产工艺造成的磁阻元件的不对称性与InSb-In磁阻元件本身的温度特性的综合导致了传感器输出的温漂.本文从该传感器结构与工作原理出发,分析了输出温漂的成因,并针对实际生产的情况,提出了一种简便的补偿方案,给出了相应的计算方法. 相似文献
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本文设计了一种检测方法,它提拱精确可控制、且在一定的条件下磁感应强度的大小是稳定的磁场,同时设计了一种低噪声的放大电路对磁阻元件的输出进行测量.利用这个装置,可以精确地测量薄膜式InSb-In磁阻元件的灵敏度.本文检测并讨论了磁阻式Insb-In磁阻元件在一定的磁偏置的条件下,外加磁感应强度B与磁阻元件的电阻值的变化率间的关系,从而提出了一种精确、便捷的薄膜型InSb-In磁阻元件的测量方法. 相似文献
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一种远程电流数据采集系统的设计 总被引:8,自引:1,他引:7
为了解决电流数据采集系统中的远程传输问题,提出了一种利用半导体磁阻式电流传感器(MRCS)和电力载波芯片LM1893实现的设计;系统硬件主要由AT89C2051单片机主控单元、数据采集单元、LM1893 电力载波发送单元等三部分组成;系统软件以MCS-51汇编语言编制,并给出了软件设计的流程图;由于采用了电力线载波技术,该系统适用于远距离信号的测量和传输,具有较高的实用价值. 相似文献