谐波相关型前端设备的组成原理

ＣＡＴＶ节目源主要来自卫星电视接收系统，除中央电视台的８套节目外，还有已上星的各省（区）市电视台的节目，加上开路电视节目、自办节目、图文电视等，各种节目源的总和已有３０多套，而且还在不断地增加。当节目套数（频道数）增加到３０套以上时，系统的互调分量数...     

基于符号执行的异常处理结构体覆写攻击自动检测方法

已有的面向控制流劫持的漏洞自动分析技术缺乏对S.E.H攻击的研究,导致分析结果的准确性不高。为此,本文提出了一种基于符号执行的S.E.H覆写攻击自动检测方法。该方法通过定位目标异常处理函数在内存中的位置,分析覆盖异常处理函数指针的程序控制流和数据流依赖条件,建立异常处理函数劫持的约束。通过约束求解实现S.E.H覆写攻击的自动检测,生成可触发S.E.H攻击的测试用例。实验结果表明,该方法能有效分析程序漏洞是否满足S.E.H攻击条件。     

百叶窗开度对室外机运行环境影响分析

利用Fluent软件对空调室外机夏季运行环境进行了数值模拟研究,分析了单楼层不同百叶窗安装开度下的空调运行环境特性并与实验数据进行了对比,同时对多楼层室外机安装环境进行了数值模拟。     

VAV空调系统全国数字化控制理论

VAV系统控制的现状与发展变风量空调(VAV)系统在中国一直运行不太良好的原因是什么?我们经常被问到这样的问题。为慎重起见,我们调查了北京,上海,杭州,苏州等十几个项目,有如下两个方面原因值得引起我们的重视:一是可能不仅国内,而且在世界范围之内,空调与自控     

感应耦合等离子体干法刻蚀锑化铟薄膜研究

应用感应耦合等离子体技术首次实现了对锑化铟薄膜的干法刻蚀。朗缪尔探针诊断结果表明 :射频电源功率为 2 0 0 W时 ,在刻蚀样品附近的等离子体离子密度最大达 6.71 70× 1 0 1 0 cm- 3。以 CCl F2 为刻蚀气体 ,进气流量 2 m L/min,RF功率 2 0 0 W,等离子体反应刻蚀运行气压 7.98Pa时 ,对 In Sb-In薄膜进行了感应耦合等离子体干法刻蚀 ,获得刻蚀图形 ,宽深比为 5     

CCl_2F_2等离子体干法刻蚀InSb-In薄膜的研究

用朗缪尔探针诊断了反应室内的等离子体密度,研究了CCl2F2等离子体对InSb In薄膜的刻蚀,结果表明该实验装置能够产生高密度等离子体,在刻蚀样品表面等离子体密度达到6.7170×1010cm-3,CCl2F2等离子体能有效地对InSb In薄膜进行刻蚀。     

InSb-In共晶体薄膜磁阻式齿轮转速传感器

介绍一种用锑化铟—铟 (InSb In)共晶体薄膜磁敏电阻 (MR)制成的齿轮转速传感器 (GVS) ,它由磁敏电阻器和信号处理电路两部分构成。磁敏电阻器的噪声约为 95 μV ,磁敏电阻器与齿轮的距离为5mm时 ,输出信号约为 3mV ,信噪比约 30dB ,测量的准确性可与国外同类产品相媲美。     

半导体磁头在袖珍验钞器中的应用

设计了一种应用在袖珍验钞器电路中的采用锑化铟－铟（InSb-In)共晶体薄膜型半导体磁头的信号处理电路，研究了这种电路的工作特性。实验证明：对新版人民币的金属安全线进行磁性信号采集时，磁头输出端信号电压的变化量在－0．4mV至0.4mV范围内，当信号处理电路中的集成运放的静态电压设置为2V、信号放大倍数设置为10000倍左右时，验钞器工作效果最好。     

基于InSb-In磁阻元件的液体流量开关设计

介绍了一种用InSb-In共晶体薄膜磁阻元件制作而成的液体开关。此种液体开关是利用液体流动时的冲击力推动置于液体管道中的涡轮转动。该涡轮由磁钢材料制作,当转动的涡轮叶片靠近InSb-In共晶体薄膜磁阻元件时引起其阻值的变化,进而产生交变信号。经过对信号的处理,最后送入单片机进行计数,当脉冲频率低于某一设定值或高于某一设定值时,通过单片机输出高电平,起到报警的目的。本流量开关是基于四分管设计,其监测的流量范围为1.5~8.4 L/min。     

石墨烯电化学研究进展

该文简要综述了石墨烯电化学研究的最新进展,包括石墨烯与电分析、石墨烯与能源电化学以及基于石墨烯的光透电极等内容,引用文献88篇。