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  2001年   2篇
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51.
介绍了一种用于∑-△ADC的低功耗运算放大器电路.该电路采用全差分折叠-共源共栅结构,采用0.35 μm CMOS工艺实现,工作于3 V电源电压.仿真结果表明,该电路的动态范围为80 dB、直流增益68 dB、单位增益带宽6.8 MHz、功耗仅为87.5 μW,适用于∑-△ ADC.  相似文献   
52.
设计了一款3~5GHz脉冲无线电超宽带(IR-UWB)的开关键控(OOK)发射机。电路由脉冲发生器、基于脉冲开/关的LC压控振荡器和输出驱动器组成,具有超低功耗和高传输速率。设计的电路采用SMIC 0.18μm CMOS工艺实现。仿真及测试结果表明,发射机最高传输速率达到500Mb/s,发射脉冲最大峰峰值达到590mV。该电路在满足FCC频谱规范时消耗的总电流约为0.26mA@40Mb/s,约12pJ/pulse。芯片核心尺寸为0.8mm×0.5mm。  相似文献   
53.
王峥  黄鲁  方毅  李文嘉 《微电子学》2014,(5):569-572
采用TSMC 0.13 μm CMOS工艺,设计并实现了一种适用于脉冲超宽带无线通信系统的低功耗高速单比特模数转换器(ADC)。芯片内部采用并行数据降速输出电路。芯片测试结果表明,该ADC最高采样率为2.5 GS/s,单比特模数转换器最小分辨率为10 mV,芯片核心电路面积为0.72 mm2,在1.2 V电源供电下消耗功耗42 mW。  相似文献   
54.
黄鲁  周非同 《控制与决策》2020,35(4):877-884
采用D*Lite算法规划出的路径并不平滑,且预规路径与障碍物均十分接近.除此之外,在动态环境下时,由D*Lite算法重规划得到的路径也离障碍物距离很近,十分容易发生碰撞.针对此问题,引入懒惰视线算法与距离变换相结合的方法改进D*Lite算法.首先,对地图进行距离变换,并引入距离值的启发式代价,使得距离障碍物较远的节点优先被选择.然后,在扩展节点时引入视线算法,增加本地父亲节点和远程父亲节点的概念,使得路径不局限于八邻域扩展,从而进化为任意角度路径规划算法;最后,在遇到未知障碍物时进行局部距离变换,结合启发距离值信息进行重规划,使得重规划得到的路径远离突现的障碍物.仿真实验表明,在不同环境下规划所得到的路径均十分平滑与安全.  相似文献   
55.
谷银川  黄鲁  张步青 《微电子学》2015,45(6):747-750
采用SMIC 40 nm CMOS工艺,设计了一款采用双路延迟结构和新型延迟单元的高性能全差分环形压控振荡器。仿真结果表明,该VCO电路可实现高振荡频率和宽调谐电压,调节频率范围为5.5~8 GHz,控制电压调节范围为0~VDD。谐振频率为6.25 GHz时,消耗功耗为4.4 mW,相位噪声为-85 dBc@1 MHz。该VCO可应用于高速IO时钟恢复及频率发生器电路中。  相似文献   
56.
基于Flash的TMS320VC5416 DSP系统自举实现   总被引:4,自引:0,他引:4       下载免费PDF全文
本文介绍了TMS320VC5416 DSP芯片并行引导自启动的原理及其具体实现,同时给出了DSP电路设计和将用户程序烧写到Flash中的方法,并附有相应的程序。  相似文献   
57.
蒋明峰  方毅  黄鲁 《微电子学》2020,50(3):344-348
基于XMC 65 nm浮栅工艺,设计了一种基于闪存的存算一体向量矩阵乘法器。进行模拟计算的闪存单元工作在线性区,采用两个闪存单元以差分的方式存储一个权重,提高了计算线性度,减小了权重的温度系数分布。设计了电流减法与缓冲电路,精确得到了乘累加的计算结果,并通过负阻并联型闪存负载实现了良好的温度补偿。模拟计算的精度为4位。仿真结果表明,各权重的计算结果为:在-40 ℃~85 ℃范围内,温度系数小于0.1%/℃;在85 ℃~130 ℃范围内,温度系数小于0.25%/℃。  相似文献   
58.
本文针对工作于3.1GHz到5GHz频段的IR-UWB收发器,设计了一种4GHz小数频率综合器。该频率综合器采用0.18μm混合&射频CMOS工艺实现,其输出频率范围为3.74GHz到4.44GHz。通过使用多比特量化的∑-△调制器,该频率综合器在参考频率为20MHz时的输出频率分辨率达到15Hz。测试结果表明,该频率综合器的正交信号输出幅度失配和相位误差分别低于0.1dB和0.8º。该频率综合器的输出相位噪声达到-116dBc/Hz@3MHz,频谱杂散低于-60dBc。在1.8V电源电压下,该频率综合器的核心电路功耗仅为38.2mW。  相似文献   
59.
单片低噪声放大器的设计及其在数字T/R组件中的应用   总被引:2,自引:0,他引:2  
陈兴国  李佩  刘同怀  黄鲁 《微电子学》2005,35(3):326-328
采用GaAs PHEMT工艺,研制了单片宽带低噪声放大器。着重探讨了单片低噪声放大器在相控阵雷达数字T/R组件中应用的特殊要求,电路的工作原理与设计方法,以及ADS软件的仿真和优化;给出了主要技术指标和测试结果。最后,介绍了单片低噪声放大器在数字T/R组件中的应用。  相似文献   
60.
王熙  黄鲁 《测控技术》2012,31(12):58-60
针对等离子体垂直位移的快速控制特点,采用新型DSP器件TMS320F28335和AD7656,通过光纤传输PWM信号,开发了H桥式大电流快控电源的数字控制系统,给出了其系统方案和具体实现,以及各模块的特点.  相似文献   
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