Zr65Al7.5Ni10Cu17.5块状非晶晶化过程的电镜研究

用透射电镜对Zr65Al7.5Ni10 Cu17.5块状非晶合金的晶化过程进行了研究。发现晶化过程的不同阶段相的组成是不同的。710K时 ,主要是tI CuZr2 相和tP Al2 Zr3 相 ,两者有固定的取向关系 :[0 10 ]tI∥ [0 10 ]tP,(10- 3) tI∥(2 0 2 ) tP。在 76 0K时 ,除了前面的两个相外 ,又出现了hP2 Al2 NiZr6相和hP3 α Zr相 ,两者也有固定取向关系 :[113]hP2 ∥ [0 0 1]hP3 ,(14- 1) hP2 ∥ (2 1- 0 ) hP3 。根据它们的晶格常数的相似性可以把晶化相归纳为两类 :tI ,oC ,hP3 和tP ,hP1,hP2 。这些相都是Zr基的 ,但前者富Cu和Ni,后者富Al。用电镜得到的结果来标定X射线衍射谱 ,结果吻合很好。     

γ-TiAl合金表面TiC渗镀层的摩擦磨损性能

为了改善γ-TiAl合金摩擦学性能不理想的问题,采用双辉等离子表面合金化技术在γ-TiAl合金表面制备了TiC渗镀层,并使用扫描电子显微镜（SEM）、辉光放电光谱成分分析仪（GDOES）和X射线衍射仪（XRD）对TiC渗镀层的形貌、化学成分和物相结构进行分析,借助显微硬度计、划痕仪和往复摩擦磨损试验机对渗镀层的表面硬度、结合强度和摩擦磨损性能进行研究。结果表明：在γ-TiAl合金表面形成了纳米结构的TiC渗镀层,其中,沉积层厚约7 μm,扩散层厚约15 μm。渗镀层硬度比基体显著提高,达到2200 HV_0.2。渗镀层的摩擦因数和比磨损率都比基体大幅降低,摩擦因数从基体的0.7下降为0.37,比磨损率仅为基体的6.5%,表明制备的TiC渗镀层有效提高了γ-TiAl合金的耐磨性能。     

燃烧合成法制备N掺杂SiC粉体及其微波介电性能

采用燃烧合成法,以硅粉和炭黑为原料、固态氮化剂α-Si3N4为掺杂剂及聚四氟乙烯(polytetrafluoroethylene,PTFE)为化学活性剂,制备N掺杂的β-SiC粉体吸收剂。通过X射线衍射分析和扫描电子显微镜对燃烧产物进行了表征。结果表明:PTFE含量为10wt%时,燃烧产物中β-SiC的纯度较高,具有较好的颗粒形貌。利用矢量网络分析仪测试了样品在8.2～12.4GHz频率范围的微波介电常数,10wt%PTFE样品显示了最大的介电常数实部ε′、虚部ε″和损耗角正切tanδ。     

CVD金刚石大单晶外延生长及高技术应用前景

CVD（化学气相沉积）金刚石大单晶生长是CVD金刚石膜研究领域在过去十余年中所取得的重大技术进展之一,在一系列高新技术领域有极其重要的应用前景。针对CVD金刚石大单晶的制备和应用进行了综述。首先对CVD金刚石大单晶生长技术进行了概括性的描述,然后对CVD金刚石单晶制备方法进行详细介绍和评述。并对CVD大单晶在高性能辐射（粒子）探测器、金刚石高温半导体器件、高压物理试验、超精密加工以及在首饰钻戒等方面的应用现状与前景进行了介绍与评述。最后针对CVD高仿钻戒与天然钻戒的鉴别进行了评述,并提出了新的建议。     

线形微波等离子体CVD金刚石薄膜沉积技术

本文将讨论一种新型的微波等离子体CVD设备———线形微波等离子体CVD设备和其在金刚石薄膜制备技术中的应用。利用Langmuir探针方法对线形微波等离子体CVD设备产生的H2等离子体进行的等离子体参数测量表明,在工频半波激励的条件下,H2等离子体的电子温度和等离子体密度分别约为6 eV和1×1010/cm3。尝试利用线形微波等离子体CVD设备,在直径为0.5 mm的小尺寸硬质合金微型钻头上进行了金刚石涂层的沉积,获得了质量良好的金刚石涂层。由于线形微波等离子体CVD设备产生的等离子体面积具有容易扩大的优点,因而在需要使用较大面积等离子体的场合,它将有着很好的应用前景。     

国外光学研究、生产单位及其业务范围简介(一)

据《光学工业与系统指南》(1972-1973年第19版)报导的材料统计,国外(苏修及东欧各国除外)研究与制造光学、光电仪器、设备、装置及其器件、元件、材料的公司,厂商企业,至1972年末为止,约共有1692家。其分布情况如下:     

硒-砷玻璃的径向分布函数

以X射线衍射研究了组成为Se-As(50atom％)范围的几种硒-砷玻璃,得到了这些材料的原子径向分布函数。最近邻相关峰的位置从Se的2.35A 线性地迁移到As含量为40atom％时的2.40A,继续增加As 也保持不变。峰的面积说明所有的组成都同假定As为三配位和Se为二配位的模型相符。结合文献数据,认为硒玻璃主要是由Se_8环构成的,随着As的加入,Se_8环逐步消失,玻璃内相应地形成了(AsSe_(3/2))_n网络,解释了有关的实验结果。     

扣肉终于熟了——酷睿2主板导购

进入到5月份之后,处理器市场已经在潜移默化中发生了翻天覆地的变化。以往高高在上的酷睿2(扣肉核心)终于变得平易近人起来,最为低端的E4300已经顺利跌破900元大关,散装产品更是几欲跌破800元大关。与此同时,高端的E6320/E6420处理器也在近期粉墨登场,不但价格更低,其二级缓存也提升到了4MB。就是在这样的市场环境下,“扣肉”处理器终于成为了主流市场的关注焦点,扣肉主板的选购也就成为了近期装机用户的头等大事!     

跳蚤吧

经过一段时间的酝酿和准备,从本期开始,《搜街》栏目下的全新板块《跳蚤吧》就与米饭见面了。这个板块的主题是“推荐“,小编会把自己在当月手机和数码市场上的所见所闻经过挑选在此发布,让大家更好地把握当前热点产品的行情;此外,之前的《故事》板块也会在此延续,米饭可来此发表自己对某款数码产品的使用感受。有何建议或投稿,请E-mail至wizhu@126.com。     

沉积参数对CVD金刚石晶粒尺寸的影响

采用DC Arc Plasma Jet CVD方法制备了金刚石自支撑膜体,考察了温度分布、沉积腔压和CH4/H2等沉积参数对所制备金刚石膜体中的晶粒尺寸的影响.实验发现沿温度降低的方向和增加腔压会使晶粒尺寸变大,当CH4/H2超过15%后,有带刻面的晶粒出现.本次实验最大的晶粒对角线长度超过1mm.