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41.
石油压裂陶粒支撑剂研究进展   总被引:4,自引:1,他引:3  
文章综述了近年来石油压裂陶粒支撑剂的研究进展,特别介绍了采用工业固体废弃物制备支撑剂的特点与优势,并对石油压裂支撑剂的发展趋势进行了探讨.  相似文献   
42.
溶胶-凝胶法制备多晶钇铝石榴石纤维   总被引:1,自引:0,他引:1  
以廉价的铝粉、工业盐酸和醋酸钇为主要原料,通过溶胶-凝胶法制各了高性能的多晶钇铝石榴石纤维.采用X射线衍射、Fourier变换红外光谱、扫描电镜和热重-差示扫描热分析等表征了不同温度下焙烧所得纤维的物相组成、纤维形貌以及前驱体纤维的热分解特性.结果表明:纤维经热处理到900℃时可获得纯相的钇铝石榴石晶体.经1550℃热处理后,所得到的多晶钇铝石榴石纤维的平均晶粒尺寸在200 nm左右,拉伸强度在485MPa.  相似文献   
43.
TiN、AlN弥散相强韧化Al2O3基复合材料的工艺研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
在N2保护下,采用反应烧结制得TiN、AlN弥散相强韧化A12O3基复合材料。用SEM和X射线衍射法分析了试样的成分分布和显微结构,发现用该技术制备的复合陶瓷材料中,含有纳微米混合分布的AlN晶粒。通过测试试样的密度和各项力学性能,可以看出TiN、AlN弥散相强韧化Al2O3基复合材料有较为明显的效果。本文重点分析了制备工艺和成分配比对复合材料性能的影响。  相似文献   
44.
以碳化硅(Si C)和炭黑(C)为原料,以石蜡(PW)、高密度聚乙烯(HDPE)、乙烯醋酸乙烯酯(EVA)为有机载体,以硬脂酸(SA)为表面改性剂,研究了反应烧结碳化硅陶瓷注射成型工艺对产品性能的影响。结果表明:在陶瓷粉体含量为80 wt%,有机载体以PW:HDPE:EVA:SA=9:3:3:1的比例,加入量为20 wt%,混炼1 h后,在100 MPa注射压力注射成坯,采用两步法脱脂,于真空烧结炉内1720°C下保温2h烧结,可获得结构致密的碳化硅陶瓷试样,其显气孔率为0.18%,密度为2.96 g/cm~3,抗弯强度达到290 MPa,断裂韧性值达到4.14MPa·m~(1/2),硬度达到21.6 GPa。  相似文献   
45.
用热压烧结法制备了纳米Fe3 Al粒子增强Al2 O3 基复合材料。研究了 14 5 0~ 16 0 0℃不同烧结温度下纳米Fe3 Al的加入量与材料的致密度、力学性能及显微结构的关系。结果表明 :纳米Fe3 Al的加入可使Al2 O3 晶粒的生长受到抑制 ,使复合材料的烧结温度提高。Fe3 Al/Al2 O3 纳米复合材料有良好的力学性能 ,其抗弯强度最高可达832MPa ,断裂韧性最高可达 7.96MPa·m1/ 2 。  相似文献   
46.
综合近几年来纳米ZrO2粉体在液体介质中分散的研究情况,发现对纳米ZrO2粉体的分散研究主要集中在6个方面:pH值、盐离子(离子强度)、分散剂、固含量、液体介质和分散剂在ZrO2颗粒表面的吸附.通过这些方面的研究,人们能够得到颗粒分散均匀、不聚沉、流动性好、固含量高的ZrO2悬浮液,这就为采用胶态成型方法制备纳米ZrO2陶瓷及其复合材料奠定了基础.  相似文献   
47.
新型半陶瓷材料——金属间化合物及其应用   总被引:7,自引:0,他引:7  
金属间化合物是一种半陶瓷材料 ,是继金属陶瓷之后发展起来的又一类新型工程材料 ,它可以弥补陶瓷材料的许多弱点。本文介绍了金属间化合物的特点及其主要性能 ,综述了其主要应用。  相似文献   
48.
采用热压烧结制备了Fe3Al(p)/Al2O3复合材料,通过分析R曲线与热应力强度因子K曲线的相关性,对Fe3Al(p)/Al2O3复合材料抗热震性能进行分析预测.结果表明,理论预测与采用淬冷强度法得到的实验结果吻合较好,Fe3Al的加入使复合材料的抗热震性能明显改善,△Tc由单相的200℃提高至复合材料的→400℃,复合材料较单相Al2O3高的断裂韧性、导热率、及低的弹性模量和,(p)是导致其抗热震性能提高的主要原因。  相似文献   
49.
王静  张玉军  龚红宇 《陶瓷》2008,(4):17-20
碳化硅具有良好的高温性能以及化学稳定性,已广泛应用于许多领域.综述了无压烧结碳化硅烧结助剂体系的研究进展,综述了碳化硅原料种类、烧结助剂种类及用量、成形工艺、烧结工艺对无压烧结碳化硅性能的影响.  相似文献   
50.
以水为溶剂,以硼酸和正硅酸甲酯为主要原料,合成SiBO前驱体凝胶,通过1200~1600 ℃高温氮化、粉磨工艺制备出SiBON纳米粉体.采用X射线衍射、红外光谱分析、扫描电镜、元素分析、粒径分析等现代测试手段研究了Si-B-O-N纳米粉体的化学键结构、形貌特征和元素分布.研究表明,SiBON纳米粉体含有部分晶态SiO2和BN,其余为非晶态,且粉体结构含有B-N、B-O、B-O-B、O-Si-O、B-N-Si等键,并含有少量的Si-O-Si键.  相似文献   
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