准噶尔盆地侏罗系储集层的基本特征及其主控因素分析

从描述储集层基本特征、分析储集层性质的主控因素、建立储集层成因模式和评价、预测储集层性质这 4个层次 ,研究准噶尔盆地重点勘探目标区的侏罗系储集层。系统总结侏罗系储集层岩石学特征 ,认为成岩压实作用强弱是控制储集层性质的关键因素 ;指出相对优质储集层均为剩余原生粒间孔隙型储集层 ,溶蚀作用对渗透率贡献小 ;非煤系储集层的孔隙保存条件明显比煤系储集层好 ,这是三工河组、头屯河组和吐谷鲁群的物性普遍优于八道湾组和西山窑组的原因。在确定储集层性质的控制因素和控制机理基础上 ,建立了煤系和非煤系两大类储集层的成因 演化模型。在上述研究的基础上 ,分地区、分层位评价了储集层 ,并预测了不同渗透率储集层的深度界线及相对优质储集层的平面分布。图 6参 10     

轴向磁场无铁心无刷永磁盘式电机的设计

介绍了轮用轴向磁场无铁心无刷永磁盘式电机的结构形式，探讨了这种新电机的设计特点，重点解决了电机主要尺寸确定和磁路分析计算问题，最后给出了一种磁极形状和线圈形状的优选方案。     

八尺门特大桥φ2.8 m桩基施工质量控制

介绍了八尺门特大桥的工程建况、水文地质情况和施工方案的确定，并较为系统、全面地阐述了该大桥φ2.8m大直径钻孔桩的施工过程。从钢护筒沉桩到灌注过程、每道施工程序、采用的方法、质量的控制要点以及施工中的其它问题进行了较具体的讨论与分析，取得了良好的施工效果。     

金刚石膜的计算机虚拟制备技术中的分子动力学模拟

综述了近年来金刚石薄膜形成过程的分子动力学（Molecular Dynamics，简称MD）模拟研究，详细地阐述了原子间相互作用势的选取，总结了不同沉积条件下MD的计算模型和几种典型情况下的模拟结果。研究表明：在原子尺度上，MD方法能较全面地提供有关膜生长的信息，对进一步了解金刚石膜形成的微观机制以及为细观层次仿真提供基本信息均具有重要意义。     

网络化制造中基于STEP-NC的编程方法

STEP-NC是由欧美提出的新的数控接口标准，目的是取代旧的数控标准ISO6983。本文首先分析了STEP-NC的两种应用标准：ISO14649（ARM）和STEPAP238（AIM），并且分析了Part21和Part28的应用领域及Part21文件格式和其中的信息产生方法。然後介绍了ST-Developer环境下ROSEC＋＋颠库编程接口及其应用程序的早、晚编联方式，并且以此为基础设计了整个程序的编程流程，重点介绍了工艺规划设计。最后给出了在C＋＋编程环境下利用ROSE库函数写入形成STEP AP238文件的方法。     

有机锡催化、无中和水洗合成DOP

以有机锡(Fascat4102)作催化剂,苯酐和辛醇(2-乙基己醇)酯化反应生成邻苯二甲酸二辛酯(DOP),其最佳工艺条件为:酯化温度215～225℃,催化剂加入量2.0‰,过量醇含量17%,脱醇真空为20KPa(绝压),脱醇温度为155℃,活性炭加入量为1‰,省却中和水洗和汽提工序,产品质量可以达到优级品.     

α-蒎烯催化加氢反应的研究

以FYX - 2G型高压搅拌釜为加氢反应器 ,测定了在不同搅拌器型式和搅拌转速下高压釜的持气量和反应效果 ,认识到α 蒎烯催化加氢是外扩散控制的反应 ,当搅拌转速为 6 0 0r/min时 ,基本上能消除外扩散的影响。考察了Raney镍和Pd/C催化剂、反应温度在 35 3～ 499K ,压力在 4 0～ 10MPa的条件下对α 蒎烯加氢转化率和选择性的影响 ,结果表明Raney镍更适宜于α 蒎烯催化加氢 ,其转化率随温度、压力增加而提高 ,但选择性下降。采用温度 35 3～ 433K、压力 4 0～ 7 0MPa的操作序列 ,克服了α 蒎烯加氢转化率与选择性互为逆向的缺点 ,缩短了反应时间 ,制得了顺反比高达 18 2∶1的蒎烷 ,并且发现加氢反应从温度 433K开始有副产物对烷生成 ,当温度超过 45 6K时 ,加氢过程还出现飞温现象。     

如何掌握印刷压力

<正> 一、印刷压力的概念与作用 印刷的过程,从某种意义上讲,是解决油墨与纸张之间矛盾的过程。要将印版上图文处的油墨转移到承印物上,就必须施加一定的力,即所谓的印刷压力。它在印刷中具有重要的作用。 1.保证粗糙的印刷面完全接触 纸张、橡皮布、印版的表面均成粗糙微孔状。对这些粗糙表面,必须在一定的压力作用下,使其受     

Improvement of RCA transistor using RTA annealing after theformation of interfacial oxide

A polysilicon emitter RCA transistor (an ultra-thin interfacial oxide layer exists between polysilicon and silicon emitter) is presented which can operate at 77 K for the first time. An ultra-thin (1.5 nm) interfacial oxide layer is grown deliberately between polysilicon and silicon emitter using RCA oxidation and excellent device stability is obtained after rapid thermal annealing (RTA) treatment in nitrogen atmosphere. The RCA transistor exhibits good electrical performance at very low temperature for an emitter area of 3 × 8 μm². The maximum toggle frequency of a 1:2 static divider is 1.2 GHz and 732 MHz at 300 K and 77 K, respectively     

对国际岩石力学委员会J_V公式的质疑

通过对国际岩石力学委员会JV 公式的论证 ,指出了该公式不符合数理逻辑。结合工程勘察实践 ,拟建了Ky新公式 ,提高了工程岩体完整程度评价方法的科学性。