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液相添加剂对PTCR陶瓷电性能的影响 总被引:3,自引:2,他引:1
液相添加剂AST(Al2O3+SiO2+TiO2)对BaTiO3陶瓷材料电性能的影响很大,随着Al2O3含量的增加,材料的电性能降低;SiO2、TiO2的物理特性对材料电性能影响较大;过量TiO2对材料PTC效应有重要影响,适当过量TiO2含量,可得到性能优良的PTCR陶瓷。 相似文献
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Gong S.S. Burnham M.E. Theodore N.D. Schroder D.K. 《Electron Devices, IEEE Transactions on》1993,40(7):1251-1257
Electrical time-to-breakdown (TTB) measurements have shown the charge to breakdown Q bd of gate oxide capacitors fabricated on n-type well (n-well) substrates always to be higher than that of capacitors on p-type well (p-well) substrates on the same wafer when both are biased into accumulation under normal test conditions. Here the authors correlate the higher n-well Q bd to smooth capacitor oxide/substrate interfaces and minimized grain boundary cusps at the poly-Si gate/oxide interfaces, confirming that Fowler-Nordheim tunneling is the dominant current conduction mechanisms through the oxide. They correlate higher Q bd to higher barrier height for a given substrate type and observe that the slope of the barrier height versus temperature plot is lower for both p-well and n-well cases with electrons tunneling from the silicon substrate. This is attributed to surface roughness at the poly-Si gate/SiO2 interface. A poly-Si gate deposition and annealing process with clean, smooth oxide/substrate interfaces will improve the p-well breakdown characteristics and allow higher Q bd to be achieved 相似文献
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本文给出了多层介质膜反射率与入射角的关系的计算机程序,并列出了部份常用激光膜片反射率-角度曲线。 相似文献
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本文从温度、酸度对大曲酒产、质量的影响,揭示大曲酒夏季"掉排"的主要原因为高温、高酸环境抑制了酿酒酵母的发酵,降低了酿酒酵母的发酵力,从而影响了大曲酒的产、质量。 相似文献
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NiTi形状记忆合金激光气体氮化层表面特征 总被引:2,自引:0,他引:2
为改善NiTi合金的表面性能,利用2kW连续波Nd:YAG对NiTi合金进行激光气体氮化处理。采用SEM、TEM、XRD、XPS和纳米压痕研究了氮化层的显微组织及表面特征.结果表明:激光气体氮化可以在NiTi合金表面制备连续、无裂纹、厚度为2μm的TiN表面层,该表面层中基本不合有Ni元素且具有很高的硬度,其纳米压痕硬度为29.28GPa. 相似文献