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951.
试验电磁环境复杂等级量化方法研究 总被引:2,自引:0,他引:2
复杂电磁环境是现代战场的主要特征之一,它对电子信息装备战术性能的影响越来越大。开展复杂电磁环境下的武器装备试验已势在必行。从电磁环境的特定复杂性出发,分析构建了试验电磁环境的评估指标体系,采用模糊层次分析法确定了评估指标的权重,建立了试验电磁环境的复杂等级划分标准,为科学构建试验电磁环境奠定了基础。 相似文献
952.
针对面向工业用、商用以及民用电子设备加密串行通信需求,通过基于SMS4的加密通信SOPC软硬件架构、SMS4加密通信控制器IP技术、SMS4加密通信软件技术等内容的研究,实现了基于SMS4加密算法的串行通信技术,并在非128位明文的加密传输数据控制和基于8位异步模式的128位数据串行收发上效率明显提升。基于SMS4的加密通信SOPC提高了系统的加密通信功能可定制能力,且使加密通信核心算法自主可控。 相似文献
953.
为了测量引线键合过程中芯片阻抗的变化,采用了DSP控制的阻抗测量方法,即用直接数字频率合成器(DDS)产生同步的正交信号源,用相关法器件AD630对阻抗数据进行处理,AD采样后将结果送入DSP中,通过上位机显示并在线监测。通过实际应用验证,该方法提高了测量精度。该系统有重要的推广价值,可应用到有类似需求的设备中。 相似文献
954.
955.
956.
为研究吸收系数对激光烧蚀二硝酰胺铵(ADN)-丙酮基液体推进剂的推进性能的影响,将ADN液体工质在0~80%区间内,按照10%为等比例间距,与吸收剂充分混合构成不同比例的ADN-丙酮基液体推进剂。利用近红外光谱仪测量装置对不同比例的ADN-丙酮基液体推进剂的吸收系数进行测量与计算;在激光能量60 mJ,液膜厚度300 μm的工况下,利用高精度扭摆对激光烧蚀不同比例的ADN-丙酮基液体推进剂所产生的冲量进行测量。实验结果表明:随着ADN含量的增加,吸收系数呈现下降趋势。当ADN含量达到30%时,冲量取得峰值并随后不断下降,当ADN含量达到80%时,冲量又产生一个大幅度上升。分析认为,ADN含量为30%~70%时冲量不断下降主要原因是由于吸收系数的下降导致推进剂所沉积的激光能量变少引起的,而ADN含量为80%处的冲量大幅度上升则是由于吸收系数趋于0的推进剂与基底构成“水炮靶”,激光烧蚀基底容器,推进剂起到约束作用而造成的。 相似文献
957.
近年来,随着自主感知、自主协同、自主控制技术的快速发展,无人艇群逐渐形成作战能力,而目前尚无高效反无人艇群弹药装备。针对无人艇群作战反制难点,基于末端敏感技术探测,提出利用多爆炸成型弹丸战斗部实施毁伤的炮射弹药方案,采用蒙特卡洛模拟打靶法对弹药作战使用过程进行仿真,重点分析考虑多种因素条件下战斗部飞散角设计方法,研究炮-目距离、目标数量、运动速度和目标尺寸等特性对弹药毁伤效能的影响。仿真计算结果表明,基于末端敏感技术的炮射弹药在反无人艇群作战中具有较高效能,该弹药方案可为我国发展反无人艇群弹药装备提供借鉴和启示。 相似文献
958.
为了研究乙烯/空气的旋转爆轰传播特性,采用OpenFOAM7中rhoReactingCentralFoam求解器,以及乙烯/空气21组分36步基元化学反应模型,对旋转爆轰传播过程进行了二维数值模拟研究。通过改变预混气各组分的质量分数,验证了基元反应在旋转爆轰的可适用性,研究了当量比对旋转爆轰波的影响,分析了旋转爆轰燃烧室的流场结构、压力增益和燃料比冲。研究结果表明:在当量比0.7~1.1范围内旋转爆轰波能够自持传播,其传播模态均为单波;在来流总压0.6 MPa和总温300 K时,压力增益均保持在30%以上,且随当量比的增加旋转爆轰波传播速度、阻塞比、压力增益以及燃料比冲均增大,速度亏损逐渐减小,但随着当量比的增加其增长速率和降低速率呈下降趋势;爆轰波稳定传播时,中间产物OH集中在爆轰波后方和斜激波下游,反映了化学反应阵面的形状。爆轰波传播过程中,由于爆轰波扫过后压力过高,新鲜燃料无法供应,导致温度曲线图出现波动。 相似文献
959.
为提高氢混天然气(HCNG)发动机的标定效率,精确预测发动机参数,对一台氢气体积分数为20%的HCNG燃料发动机进行试验研究和性能预测分析。基于高转速低负载工况稳态标定试验数据,采用支持向量机(SVM)方法建立发动机参数关联模型,并利用不同寻优算法为模型寻找最优参数,以提高各项参数的预测精度。结果显示:若发动机运行于最大扭矩点火正时,则等效天然气比消耗(BSFC)最小,NOx比排放(BSNOx)也处于较理想的水平,尤其在增加氢气比例时,这些外特性有更加显著的提升;SVM模型可以较好地描述发动机输入参数与输出参数之前的非线性关系,自变量与因变量之间的相关性较强(决定系数R2均大于0.97),模型的预测精度较高,利用遗传算法得出的最优预测模型具有较高的泛化能力,扭矩、BSFC、BSNOx的平均绝对百分比误差分别仅为1.23%、1.98%、5.43%。 相似文献
960.
研究了不同界面修饰层对酞菁氧钒(VOPc)薄膜晶体管性能的影响。通过AFM图谱分析不同界面修饰层上VOPc薄膜的生长行为,通过半导体参数测试仪测试分析不同界面上器件的电学特性。实验结果表明,十八烷基三氯硅烷(OTS-18)修饰后生长的VOPc薄膜,比正辛基三氯硅烷(OTS-8)和苯基三氯硅烷(PTS)修饰后的薄膜晶体尺寸更大、质量更优;基于OTS-18修饰的底栅顶接触型VOPc有机薄膜晶体管,在4种结构器件中具有最高的场效应迁移率(0.51cm2/V·s),相对于未修饰的器件迁移率提高了近40倍。较长的烷基链能够有效地隔绝VOPc分子和二氧化硅之间的相互作用,利于形成大晶粒尺寸、少缺陷的优质薄膜,获得高迁移率的TFT器件。绝缘层表面自组装单分子层的厚度对其上薄膜的生长行为和相应器件的性能影响极为明显,这一结论对有机半导体薄膜生长和器件制备具有指导意义。 相似文献