深亚微米MOSFET衬底电流的模拟与分析

利用器件模拟手段对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ的衬底电流进行了研究和分析，给出了有效的道长度，栅氧厚度，源漏结深，衬底掺杂浓度以及电源电压对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ衬底电流的影响，发现电源电压对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ的衬底电流有着强烈的影响，热载流子效应随电源电压的降低而迅速减小，当电源电压降低到一定程度时，热载流子效应不再成为影响深亚微米ＭＯＳ电路可靠性的主要问题。     

醇镁还原法一步制取对氯苯胺的研究

醇镁还原法一步制取对氯苯胺是一种新的方法 ,研究发现最佳反应温度为 80℃～ 85℃ ,反应时间为4h ,对氯硝基苯与镁粉的用量 (物质的量比 )为 1∶3,产率为 80 %。     

环境辐射仪器γ照射量率刻度的阴影屏蔽法

概述了阴影屏蔽法的操作步骤。对阴影屏蔽法所不能扣除的端墙面阴影部分A_0的γ反散射贡献进行了估算:当被刻度的仪器距端墙1.5m远时,端墙面阴影部分A_0的γ反散射贡献约为0.1—1%。对过阴影屏蔽与阴影屏蔽不足等若干影响因素分别进行了实验或讨论。     

SAAB雷达与PROVOX系统的通讯

介绍了SAAB雷达液位计和SAAB雷达系统与上位系统的通讯接口FSC以及PROVOX系统的智能设备接口卡 (IDI)等的基本内容 ,并对SAAB雷达液位计与PROVOX系统通讯的硬件连接和PROVOX系统中关于IDI卡的组态方法进行说明     

重载齿轮齿面疲劳损坏及预防

点蚀和剥落是重载齿轮齿面疲劳损坏最普遍的形式.根据齿轮失效分析实例,对齿面初始点蚀、破坏性点蚀和齿面剥落等三种主要疲劳损坏的特征、发生部位及破损危害程度进行了分析研究,较系统地论述了齿轮接触疲劳破坏机理,影响因素及其产生原因,并对有关的齿面破坏提出了相应的预防措施.     

液晶显示驱动电路中Fibonacci型电荷泵单元

本文中所设计的电荷泵将用于手机液晶显示驱动模块中.通过对Fibonacci型电荷泵上升时间的估算,对减小上升时间和动态功耗进行折中考虑,本文提出优化开关频率的方法.用1.2μm CMOS双阱工艺参数对所设计的电荷泵进行模拟,结果表明这个电荷泵具有较快的上升速度和较高的效率.通过提高V_GS电平和保证开关管的衬底始终接在最高电位上,文中提出了一种新型Fibonacci电荷泵,它可以正常工作在从1.2V到5V变化的多种电源电压下.     

Conductive Mechanism of Organic Conductor

Organic conductor is a kind of organic compound which has special electronic and magnetic properties. The research of the organic compounds has received considerable attention because of their potential applications in many areas. The molecular conductive units are theoretically investigated as well as their energy gap and charge distribution. The relationship of conductivity and micro-mechanism is discussed.     

铁电存储场效应晶体管I-V特性的物理机制模拟

文章讨论的模型主要描述了铁电存储场效应晶体管（FEMFET）的I-V特性。从理论结果可反映出几何尺寸效应和材料参数对晶体管电特性的影响。传统的阈值电压的概念巳不再适用，由于铁电层反偏偶极子的开关作用，自发极化的增加对存储器的工作状态产生很小的影响。该模型可用于设计和工艺参数的优化，并由直观原型的方法得到了验证。     

气压传动与控制在电子专用设备上的应用

气压传动与控制已成为电子专用设备研制过程中一项不可缺少的内容 ,必须进行合理的气动系统设计及其控制 ,选择相应的气动元件以满足设备的功能要求。概述了气压传动与控制在电子专用设备上的应用。     

离心萃取装置中硝酸羟胺还原反萃钚的研究

用十六级分离式混合—离心澄清萃取装置,在20-24℃,30-34℃,45-50℃等不同温度下进行了3B槽硝酸羟胺还原反萃钚的实验。结果表明,钚的收率均可达99.9%以上。在20-24℃时,有机相出口级附近几级的钚浓度较高,实验条件一旦波动,有可能造成钚的流失,且钚在萃取设备中有明显的积累。温度升高,14级反萃(停留时间约18min)时,钚的收率基本得到保证。