一种高性能的新结构IGBT

提出了一种低功率损耗的新结构IGBT.该新结构的创新点在于其复合耐压层结构,该耐压层包括深扩散形成的n型缓冲层和硼注入形成的透明背发射区两部分.虽然在正常工作条件下,该新结构IGBT工作于穿通状态,但器件仍具有非穿通IGBT(NPT-IGBT)的优良特性.该新结构IGBT具有比NPT-IGBT更薄的芯片厚度,从而可以获得更好的通态压降和关断功耗之间的折衷.实验结果表明:与NPT-IGBT相比较,新结构IGBT的功率损耗降低了40%.     

毗邻铁路大动脉排架式厂房拆除爆破

文章介绍了运煤车间爆破拆除工程的设计、施工经过及防后座的措施，对于复杂爆破环境的建筑物拆除有一定参考意义。     

低温脂肪酶产生菌的筛选、鉴定及其部分酶学性质

从南极乔治王岛冻土来源的76株低温细菌中筛选到13株低温脂肪酶产生菌，对其中的BTsl0022菌株进行鉴定。通过生理生化特征、16s rDNA基因序列的同源性和系统发育分析发现，菌株RTsl0022属于假单胞菌属(Pseudomonas)，但与已定名的假单胞菌有一定的差异，与未定名的Pseudomonas sp．PsB的亲缘关系最接近，故将其暂定名为Pseudomonas sp．BTsl0022。对该菌脂肪酶的酶学性质初步研究表明，酶的最适作用温度为24℃，对热敏感，60℃处理30min仅残留25％酶活性，酶的适宜作用pH范围在7．0～9．0，最适pH为8．0。     

流量比对等离子体基团分布和薄膜结构的影响

使用光强标定的发射光谱(AOES)测量了CHF3／C6H6混合气体的微波电子回旋共振(ECR)放电等离子体中基团的分布状态。实验发现随着CHF3流量的增加，成膜基团CF、CF2、CH等的相对密度增大，而刻蚀基团F的密度也会增加，从而使得a—C：F薄膜的沉积速率降低。同时红外吸收谱(IR)分析表明，在高CHF3流量下沉积的a—C：F薄膜中含有更高的C—F键成分。可见在a—C：F薄膜的制备中CHF3／(CHF3 C6H6)流量比是重要的控制参量。     

A novel InP/InGaAs TEBT for ultralow current operations

A novel InP/InGaAs tunneling emitter bipolar transistor (TEBT) is fabricated and demonstrated. The studied device exhibits a very small collector-emitter offset voltage of 40 mV and an extremely wide operation regime. The operation region is larger than 11 decades in magnitude of collector current (10/sup -12/ to 10/sup -1/A). A current gain of 3 is obtained even if the device is operated at an ultralow collector current of 3.9 /spl times/ 10/sup -12/A (1.56 /spl times/ 10/sup -7/A/cm/sup 2/). Furthermore, the common-emitter breakdown voltage of the studied device is higher than 2 V. Consequently, the studied device shows a promise for low supply voltage, and low-power consumption circuit applications.     

云南磷肥工业副产氟资源综合利用途径初探

根据云南磷肥工业发展情况 ,提出对磷肥工业副产氟资源综合利用的设想 ,并介绍目前国内已有的一些氟资源综合利用的工艺技术     

东江干流河道来沙量变化分析及泥沙沉积量计算

在对东江干流来水来沙的特性以及东江干流河道梯级枢纽建成前后河道的水沙变化进行分析的基础上,进行了东江干流河道泥沙沉积量的分析计算,为东江干流河道采砂控制规划提供科学依据。     

共面波导(CPW)馈电单极子天线的设计与研究

给出一种工作于900MHz的共面波导(CPW)馈电单极子天线的设计。该单极子天线以共面波导的中心导带为辐射单极子，以中心导带两边的金属导体作反射板，结构简单紧凑。但是由于天线与共面波导之间缺少有效的隔离，造成天线性能受共面波导尺寸的影响较严重。本文通过模拟计算和实验测量详细分析了共面波导尺寸的变化对天线性能的影响，给出了结合共面波导尺寸设计的工作在900MHz的单极子天线结构数据。     

分布式光纤拉曼放大器的增益平坦设计

介绍了在波分复用（WDM）系统中分布式光纤拉曼放大器（FRA）的理论分析模型。在此基础上，对增益平坦设计所需考虑的因素进行了分析；最后通过试验证明了它的有效性。     

Hf-doped and NH/sub 3/-nitrided high-K gate dielectric thin film with least drain current degradation and flatband voltage shift

A novel technique to form high-K dielectric of HfSiON by doping base oxide with Hf and nitridation with NH/sub 3/, sequentially, is proposed. The HfSiON gate dielectric demonstrates excellent device performances such as only 10% degradation of saturation drain current and almost 45 times of magnitude reduction in gate leakage compared with conventional SiO/sub 2/ gate at the approximately same equivalent oxide thickness. Additionally, negligible flatband voltage shift is achieved with this technique. Time-dependent dielectric breakdown tests indicate that the lifetime of HfSiON is longer than 10 years at V/sub dd/=2 V.