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本文描述一种基于8031单片机和TC8830AF语音处理器的PC机智能语音卡,通过软硬件设计解决了PC-8031-TC8830AF结构中的通讯问题。该语音卡在进行语音的合成、编辑和播放时,仅占用极少的PC机CPU处理时间,能满足计算机系统进行实时语音合成的要求。 相似文献
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HNO3和有机介质中U(Ⅳ)的稳定性研究 总被引:3,自引:0,他引:3
研究了HNO_3和TBP-煤油介质中U(Ⅳ)的稳定性。测定了两种介质中U(Ⅳ)、HNO_3、TBP浓度和气相中氧浓度对U(Ⅳ)氧化速率的影响。U(Ⅳ)的氧化速率都随温度提高而明显增加.其表观活化能分别为91kJ/mol(HNO_3介质)和42kJ/mol(TBP-煤油介质)。对两种介质中U(Ⅳ)的氧化速率规律进行了比较。 相似文献
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Yuhua Cheng Chih-Hung Chen Matloubian M. Deen M.J. 《Electron Devices, IEEE Transactions on》2002,49(3):400-408
High-frequency (HF) AC and noise modeling of MOSFETs for radio frequency (RF) integrated circuit (IC) design is discussed. A subcircuit RF model incorporating the HF effects of parasitics is presented. This model is compared with the measured data for both y parameter and fT characteristics. Good model accuracy is achieved against measurements for a 0.25 μm RF CMOS technology. The HF noise predictivity of the model is also examined with measured data. Furthermore, a methodology to extract the channel thermal noise of MOSFETs from HF noise measurements is presented. By using the extracted channel thermal noise, any thermal noise models can be verified directly. Several noise models including the RF model discussed in this paper have been examined, and the results show that the RF model can predict the channel thermal noise better than the other models 相似文献
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Using AuGeNiCr multilayered metals as the wafer bonding medium, long-wavelength GaInAsP/InP vertical cavity surface emitting lasers employing Al-oxide/Si as the upper and lower distributed Bragg reflectors were fabricated on Si substrate with the bonding interface formed outside the vertical cavity surface emitting laser cavity. Laser emission at 1.545 μm was measured under pulsed operations near room temperature. The low-temperature metallic bonding process demonstrates a great potential in device fabrication 相似文献
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介绍新型低压抽屉式开关柜的结构性能和特点,并与早期低压柜作了比较。阐述了新型低压抽屉式开关柜在冶金系统应用中的几点改进情况。 相似文献
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This paper presents the design criteria, procedure, and implementation of a soft-switched power-factor-correction (PFC) circuit based on the extended-period quasi-resonant (EPQR) principles. All power electronic devices including switches and diodes in the circuit are fully soft switched. The design method is demonstrated in a prototype circuit. The operating principles are confirmed with computer simulation and experimental results. A comparison of the EP-QR operation and zero-voltage-transition (ZVT) pulse-width modulation (PWM) method 相似文献
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