离散Hopfield神经网络和联想记忆的开关电流技术实现

研究了离散Ｈｏｐｆｉｅｌｄ神经网络（ＤＨＮＮ）和联想记忆神经网络的开关电流技术实现，利用多权输入跨导，开关电流延迟器（ＳＩＤ）和可编程电流比较器（ＰＣＣ）实现了离散Ｈｏｐｉｅｌｄ神经网络，并提出了利用离散Ｈｏｐｆｉｅｌｄ神经网络实现自联想记忆时相应的开关电流电路，所提出了开关电流神经网络适宜于超大规模集成，能在低电压（如３．３Ｖ）下工作。     

内蒙古煤系高岭土作为FCC催化剂基质的研究

研究两种内蒙古煤系高岭土（1^＃、2^＃）的化学组成、晶体结构并与苏州高岭土进行了比较。对三种高岭土进行酸改性，利用BET、吡啶-TPD和微反测试分别研究改性前后高岭土的性能特点。并将内蒙古高岭土1^＃与苏州高岭土采用半合成方法合成了FCC催化剂，测定了其裂化活性。研究结果表明，内蒙古1^＃具有较良好的晶体结构和化学组成，经酸改性后比表面积大大增加，具有合适的孔径分布，裂化活性较好，可以取代苏州高岭土作为FCC催化剂的基质。     

粘土矿物对低渗透储层性质的影响——以鄂尔多斯盆地三叠系低渗透储层为例

粘土矿物是低渗砂岩储层的主要胶结物，对储层物性及开发过程中储层物性变化趋势有着重要的影响和控制作用。另外，粘土矿物也蕴含着大量沉积环境介质的物理化学信息，认识其自然规律，可以有效地指导预测有利储层，认识和改造油层。以鄂尔多斯盆地砂岩储层中的粘土矿物为研究对象，探讨分析粘土矿物对低渗储层性质的影响，该研究对含油气盆地低渗储层有效开发具有一定的参考价值。     

Microstructure and Mechanical Properties of Heat-treated GeSb_2Te_4 Thin Films

The effect of annealing on microstructure,adhesive and frictional properties of GeSb 2 Te 4 films were experimentally studied.The GeSb 2 Te 4 films were prepared by radio frequency(RF)magnetron sputtering,and annealed at 200℃and 340℃under vacuum circumstance,respectively.The adhesion and friction experiments were mainly conducted with a lateral force microscope(LFM)for the GeSb 2 Te 4 thin films before and after annealing.Their morphology and phase structure were analyzed by using atomic force microscopy(AFM)and X-ray Diffraction(XRD)techniques,and the nanoindention was employed to evaluate their hardness values.Moreover,an electric force microscope(EFM)was used to measure the surface potential. It is found that the deposited GeSb 2 Te 4 thin film undergoes an amorphous-to-fcc and fcc-to-hex structure transition;the adhesion has a weaker dependence on the surface roughness,but a certain correlation with the surface potential of GeSb 2 Te 4 thin films.And the friction behavior of GeSb 2 Te 4 thin films follows their adhesion behavior under a lower applied load.However,such a relation is replaced by the mechanical behavior when the load is relatively higher.Moreover,the GeSb 2 Te 4 thin film annealed at 340℃presents a lubricative property.     

花艺教室：荆丛亦风流

运动的环热烈的爱//圆点示爱//纯洁爱情//心心相印//透过玻璃的美     

Organic Electroluminescent Thin Film Using 8—hydroxyquinoline Zinc as Emitting Layer

Organic electroluminescent thin film using Znq2(Znq2) as the emitting layer material with structure of glass/ITO/Znq2/Al(cell) was fabricated.The V-I curve ,V-B curve and electroluminescent spectra of the cell were measured.Meanwhile the fluorescent spectra, excited spectra and absorption spectra of Znq2 with power and film states were also measured.     

安全:爆破工程永恒的主题——2001年重大拆除爆破工程回顾

通过对2001年我国重大拆除爆破工程的回顾,认为在提高大面积毫秒非电起爆网络可靠性,控制爆破震动、扬尘、噪声等环境影响,与机械清理配合,实现快速施工等方面取得了进展与突破;对几起爆破安全事故进行了初步分析.为保证拆除爆破工程安全,在加强理论研究、开展技术创新、建立科学有序的管理制度等方面提出了建议意见.     

中频反应溅射SiO2膜与直流溅射ITO膜的在线联镀

多数ITO透明导电玻璃生产线在实现SiO2膜与ITO膜在线联镀时，应用SiO2靶射频溅射沉积SiO2膜工艺和ITO靶直流溅射沉积ITO膜工艺，如果SiO2膜应用硅靶反应磁控溅射工艺，存在这种工艺是否可以与ITO靶直流溅射沉积ITO膜工艺在线联用以及如何实现联用的问题。作者对现有的生产线进行了改造设计、加工，做了大量实验、质谱分析和多项测试研究，成功地实现反应溅射SiO2膜与ITO膜在线联镀，做到SiO2镀膜室的工作状态的变化基本上不影响ITO镀膜室的工艺条件。     

ZnO压敏陶瓷最佳掺杂含量的理论计算

从对电子薄膜材料研究中得到的最佳掺杂含量定量理论推广到ZnO陶瓷材料。该理论建立了电子薄膜材料的某一物理性能与晶体结构、制备方法和掺杂剂含量之间的联系，给出了一个能够拟合实验曲线的具有确定物理意义的抛物线方程。该方程的极值点确定了最佳掺杂含量与晶体结构和制备方法之间的定量关系，进而得到了一个掺杂最佳含量的表达式。系统地分析了ZnO压敏陶瓷的掺杂改性的实验结果，应用此表达式定量计算了ZnO压敏陶瓷的最佳掺杂含量，定量计算的结果与实验数据相符合。该理论也适用于其他薄膜材料最佳掺杂含量的理论计算。     

一种改进的基于OOC的MWOOC

从理论上分析了一种基于光正交码（OOC）的多波长光正交码（MWOOC）的性能。给出了一种改进的基于OOC的MWOOC，并且蛤体分析了它的性能。与原MWOOC比较，改进的MWOOC的误码率性能基本相同，但码字数增加很多。