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51.
长江下游船舶溢油应急处理措施框架   总被引:2,自引:0,他引:2  
介绍长江下游船舶溢油污染的现状,论述溢油污染对沿岸生态和环境的影响以及溢油防治研究的重要性。以长江南京段为例,分析影响江中及岸边事故溢油迁移转化规律的因素,提出船舶事故溢油应急处理措施的三个重要部分,即溢油模拟及污染区预测、溢油清除回收和溢油风险评价。针对三个部分提出了具体的研究内容,为国内各大中型江河不同河段的船舶溢油的研究提供参考。  相似文献   
52.
为了提高加速度计应用中坐标系的匹配精度,提出了基于加速度计的坐标系匹配方法,介绍了其基本原理,并对加速度计的测角方法进行了深入研究.试验结果表明:该方法测量最大误差≤0.3°,满足实际应用要求,有效地解决了加速度计应用中的坐标系匹配问题.  相似文献   
53.
低阻VDMOSFET的优化设计与制造   总被引:1,自引:1,他引:0  
文章对9926型双N沟增强型VDMOSFET进行了结构和版图的优化设计。给出了该器件的纵横向结构参数,材料的物理参数和版图总体结构。单胞结构的优化设计使单胞密度达到204万个/cm2,比国际市场现有产品的单胞密度(156万个/cm2)提高了30%。这种设计采用浅n+注入工艺可使器件生产成本下降31%。最后对研制结果进行了分析讨论。  相似文献   
54.
多孔陶瓷载体氧化铝涂层的研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
分别用纳米γ-Al2O3和SB粉制备了多孔陶瓷载体的Al2O3涂层。BET法测定了多孔陶瓷载体Al2O3涂层改性前后比表面积的变化。由SEM照片观察多孔陶瓷载体涂层改性前后表面和断面的形貌。结果表明,这两种方法对多孔陶瓷载体涂层改性均有效可行。  相似文献   
55.
三道庄钼矿勘探生产中钻遇的地层非常复杂,采用其他方法均无法实现钻进,经过分析比较,决定采用贯通式潜孔锤反循环连续取心(样)钻进新技术来解决该地层钻进难、成孔难、取样难等三大问题。文章从钻进技术特点、工作原理等方面对该技术进行详细分析,得出其具有钻进效率高、岩心(样)采取率高、成孔质量好等突出优点。并介绍了钻进主要设备机具的配套、施工工序、操作要点、遇到问题的解决方法等。在河南钼矿露天采石场应用该项技术,有效避免了塌孔和卡钻事故,工程进展顺利、质量好、岩心(样)采取率在98%以上,取得了良好的效果。针对在生产试验中遇到的某些问题,作者提出了一些改进建议。  相似文献   
56.
氢型丝光沸石催化剂催化α-蒎烯合成α-松油醇   总被引:6,自引:0,他引:6  
在相转移助剂苄基三乙基氯化铵(BTEAC)存在下,以氢型丝光沸石(HM)为催化剂,原料α-蒎烯经开环、重排及水合反应一步法合成了α-松油醇。研究了各种因素对α-蒎烯转化率及α-松油醇收率的影响,采用5因素4水平L16(45)进行了正交实验,得出最佳的工艺条件:反应温度80℃,w(BTEAC)=15%,m(HM)∶m(α-蒎烯)=0.6,反应时间40h,m(乙酸乙酯)∶m(α-蒎烯)=0.9。在此条件下,α-蒎烯转化率为75.2%,α-松油醇收率为42.0%。用气相色谱-质谱联用仪对反应产物进行分析,共鉴定出14种化合物,主要成分为α-松油醇、α-蒎烯、柠檬烯、桉叶油素、异松油烯、龙脑等。实验得到的α-松油醇具有光学活性,旋光值[α]=+61°,同时香气纯正,可用于制作香料。  相似文献   
57.
文中针对引黄北干1号隧洞工程的施工方案,提出了常规钻爆法和TBM施工,并对这两种施工方案进行了比选,最终确定采用TBM施工方案。  相似文献   
58.
文章采用一种新颖方法对商用IP进行可靠性提升、完善,同时进行容错结构设计,建立了拥有自主知识产权的专用加固型标准单元库,构建了面向空间应用的SoC设计方法与流程,形成了面向空间电子系统的系统集成设计平台,用该技术实现了面向卫星等空间应用的32位嵌入式RISC处理器SoC芯片,获得了一次投片成功。  相似文献   
59.
文章针对一维长序DFT计算问题,分析其计算结构以及算法的并行性,提出一种阵列协处理结构.并分析这种协处理机结构上DFT计算的组织及具体实施算法步骤和方法,并对这种协处理阵列结构上运行的DFT进行复杂性分析。这对计算DFT专用集成协处理结构芯片开发,提高专用嵌套系统性能非常实用。  相似文献   
60.
新型的芯片间互连用CMOS/BiCMOS驱动器   总被引:5,自引:2,他引:3  
从改善不同类型 IC芯片之间的电平匹配和驱动能力出发 ,设计了几例芯片间接口 (互连 )用 CMOS/Bi CMOS驱动电路 ,并提出了采用 0 .5 μm Bi CMOS工艺 ,制备所设计驱动器的技术要点和元器件参数。实验结果表明所设计驱动器既具有双极型电路快速、大电流驱动能力的特点 ,又具备 CMOS电路低压、低功耗的长处 ,因而它们特别适用于低电源电压、低功耗高速数字通信电路和信息处理系统。  相似文献   
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