全文获取类型
收费全文 | 121017篇 |
免费 | 13801篇 |
国内免费 | 9800篇 |
专业分类
电工技术 | 11175篇 |
综合类 | 12576篇 |
化学工业 | 15525篇 |
金属工艺 | 7894篇 |
机械仪表 | 9204篇 |
建筑科学 | 9615篇 |
矿业工程 | 4829篇 |
能源动力 | 3468篇 |
轻工业 | 11381篇 |
水利工程 | 3514篇 |
石油天然气 | 4544篇 |
武器工业 | 2085篇 |
无线电 | 13722篇 |
一般工业技术 | 10637篇 |
冶金工业 | 4474篇 |
原子能技术 | 1863篇 |
自动化技术 | 18112篇 |
出版年
2024年 | 557篇 |
2023年 | 1837篇 |
2022年 | 4297篇 |
2021年 | 5910篇 |
2020年 | 4177篇 |
2019年 | 2943篇 |
2018年 | 3196篇 |
2017年 | 3697篇 |
2016年 | 3324篇 |
2015年 | 5430篇 |
2014年 | 6704篇 |
2013年 | 8050篇 |
2012年 | 9805篇 |
2011年 | 10248篇 |
2010年 | 9794篇 |
2009年 | 9368篇 |
2008年 | 9449篇 |
2007年 | 9180篇 |
2006年 | 8069篇 |
2005年 | 6499篇 |
2004年 | 4796篇 |
2003年 | 3619篇 |
2002年 | 3583篇 |
2001年 | 3180篇 |
2000年 | 2512篇 |
1999年 | 1264篇 |
1998年 | 586篇 |
1997年 | 465篇 |
1996年 | 420篇 |
1995年 | 318篇 |
1994年 | 242篇 |
1993年 | 236篇 |
1992年 | 191篇 |
1991年 | 115篇 |
1990年 | 120篇 |
1989年 | 98篇 |
1988年 | 65篇 |
1987年 | 37篇 |
1986年 | 39篇 |
1985年 | 32篇 |
1984年 | 18篇 |
1983年 | 17篇 |
1982年 | 21篇 |
1981年 | 20篇 |
1980年 | 26篇 |
1979年 | 17篇 |
1976年 | 3篇 |
1973年 | 4篇 |
1959年 | 15篇 |
1951年 | 19篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 31 毫秒
61.
62.
应用油藏地球化学的方法对塔河油田的成藏期次进行了探讨。塔河油田稠油正构烷烃分布完整,但色谱基线不同程度抬升;原油非烃和沥青质碳同位素偏轻,族组成碳同位素发生倒转;原油中普遍含有25-降藿烷。这些特征表明该区油藏经历了至少两期成藏过程,早期充注原油遭受生物降解作用后又受到高成熟原油充注。塔河油田天然气为典型的油型气,成熟度较高,为成熟—过成熟阶段产物,亦显示了两期充注的特征:早期充注的为典型的原油伴生气,充注时间与后期原油的充注时间相同;晚期充注的为高温裂解气,充注方向为自东向西。因此,塔河油田至少存在着3次油气充注过程。 相似文献
63.
64.
65.
66.
We are standing at the beginning of the industrialization of flexible thin-film transistor (TFT) backplanes. The two important research directions for the TFTs are (i) processability on flexible substrates and (ii) sufficient field-effect mobilities of electrons and holes to support complementary metal insulator semiconductor operation. The most important group of TFT capable semiconductors are the several modifications of silicon films: amorphous, nanocrystalline and microcrystalline. We summarize their TFT properties and their compatibility with foil substrate materials. 相似文献
67.
低阻VDMOSFET的优化设计与制造 总被引:1,自引:1,他引:0
文章对9926型双N沟增强型VDMOSFET进行了结构和版图的优化设计。给出了该器件的纵横向结构参数,材料的物理参数和版图总体结构。单胞结构的优化设计使单胞密度达到204万个/cm2,比国际市场现有产品的单胞密度(156万个/cm2)提高了30%。这种设计采用浅n+注入工艺可使器件生产成本下降31%。最后对研制结果进行了分析讨论。 相似文献
68.
69.
70.