扩频测控中窄带干扰抑制算法分析

本文简要介绍了扩频测控的原理、特点,分析了系统将面临的各种干扰形式及应采取的措施,其中重点分析了对系统危害最大且较易产生的窄带干扰所应采取的抗干扰措施。最后,通过仿真验证了算法的正确性。     

超快脉冲激光沉积类金刚石膜的研究进展

综述了脉冲沉积(PLD)类金刚石膜(DLC)的优势和局限,对其局限的补偿和突破,以及脉冲沉积法的重要发展方向——超快脉冲激光沉积(Ultra-fast PLD)类金刚石膜(DLC)的研究进展。     

HgCdTe焦平面探测阵列干法技术的刻蚀速率研究

首次报道了HgCdTe焦平面探测器微台面列阵成形工艺的干法技术有关刻蚀速率的一些研究结果。从HgCdTe外延材料的特点出发,详细分析了其干法刻蚀适用的R IE(Reactive Ion Etching)设备、刻蚀原理以及刻蚀速率的影响因素。采用ICP ( Inductively Coup led Plasma)增强型R IE技术,研究了一种标准刻蚀条件的微负载效应( etch lag)对刻蚀速率的影响,以及刻蚀非线性问题,并获得刻蚀速率随时间的关系。     

ICP刻蚀HgCdTe表面的微区XPS分析

文章将ICP刻蚀技术应用于刻蚀HgCdTe,使用微区X射线光电子光谱学(XPS) 、扫描电子显微镜( SEM)等表面分析技术研究了ICP各工艺参数,包括ICP功率、气体成分与配比、腔体压力等对刻蚀表面形貌、刻蚀后表面成分、聚合物形成的影响。XPS分析结果发现,使用光刻胶作掩模时,刻蚀气体CH4 会与光刻胶发生反应,生成物可能为C6H5 (CH3 ) 。如果腔体压力较高,生成物不能及时被带走,就会附着在样品表面上,使样品表面发黑;当腔体压力较低时,生成物被及时带走,则样品表面光亮,无聚合物残留。光刻胶也会与H2 发生反应,生成多种含C有机物。SiO2 作掩模时,在一定的条件下, CH4 会与SiO2 或者真空硅脂发生反应,生成聚脂薄膜。     

定向棱镜腔改善重频DPL光束质量的研究

影响重频DPL光束质量的主要因素包括谐振腔的失谐、非均匀光泵浦以及工作物质的热效应.定向棱镜作为全反射镜与平面输出镜构成简单的自准直、不失调介稳腔结构,实现对侧向泵浦DPL的增益匀化、热效应的光学补偿以及光轴的自纠偏.通过实验发现:定向棱镜谐振腔在热传导冷却、Cr4 :YAG被动调Q的侧向泵浦DPL中,40 Hz运行时,0.532 μm输出能量为52.2 mJ/pulse,稳定度为0.5%,脉宽7.5 ns,频率稳定度0.025%,远场束散角为2.8 mrad,2小时内光轴指向近乎零漂移,远场光束分布稳定.     

一种改进的阵列天线方向图主波束快速赋形算法

改进的基于自适应天线阵理论的主波束赋形快速算法,可对任意阵列快速完成主波束赋形和旁瓣电平的控制.该算法通过局域权函数的迭代来减小综合方向图和期望方向图在主波束上的差别,旁瓣电平的控制可以通过在旁瓣峰值区域处加干扰来快速达到.该方法对主波束方向、宽度、形状和增益的控制非常成功.给出了一些算例说明这种算法的有效性.     

一种高精度带隙基准源和过温保护电路

设计了一种适用于P阱CMOS工艺的高精度带隙基准源及过温保护电路。基准源信号输出由两路电流相加实现：一路是正比于双极晶体管的发射极一基极电压的电流(IVBE)，另一路是基准源内产生的正比于绝对温度的电流(IPTAT)；同时，利用这两路电流的不同温度特性，通过直接电流比较的方法，简单地实现了高精度的过温保护电路。     

DDR2 SDRAM控制器的设计与实现

本文介绍了DDR2 SDRAM的基本特征,并给出了一种DDR2 SDRAM控制器的设计方法,详述了其基本结构和设计思想,并使用Altera公司的FPGA器件Stratix EP2S30F672C3进行了实现和验证,同时给出了设计与实现中应注意的若干问题.     

入侵检测系统中基于变量相似性特征选择

ReliefF是一种在很多场合经常使用的filter式的特征选择方法．然而该方法的一大缺点是不能辨别冗余特征。基于ReliefF算法提出一种混合的有监督的特征选择算法。该算法首先利用ReliefF算法去除与分类无关的以及权重低于一定阈值的特征，然后采用一种变量相似性准则来去除冗余特征。在实际的数据集KDDCUP＇99上进行的实验结果表明该混合特征选择方法较单独使用ReliefF方法在分类精度上有一定的提高。     

厄米-高斯型短脉冲在光纤中传输的理论研究

从含高阶色散的非线性薛定谔方程出发 ,用矩法研究了厄米 高斯型短脉冲在光纤中的传输 ,获得了脉冲各参量在光纤中演化的耦合微分方程组 ,再利用龙格 库塔法得到此微分方程组的解 ,并与数值模拟进行了比较 ,两者吻合较好。