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31.
引入激光回馈的双光束干涉效应的研究 总被引:4,自引:4,他引:0
提出了一种引入He-Ne激光回馈的双光束干涉系统,并在理论和实验两方面进行了研究。实验中对系统中的干涉信号及激光器尾光功率变化同时进行探测。发现当干涉仪的主回馈镜移动时,激光器尾光信号是正弦形波形,而干涉仪输出的是以双峰为一个周期的信号,双峰中一峰总是高于另一峰,并且当主回馈镜移动方向改变时,同一周期中两峰出现的顺序也随之改变。对实验现象进行了理论分析,并模拟出干涉信号及激光自身功率的变化曲线。理论分析及模拟结果与实验结果完全吻合。讨论了利用发现的现象进行测量的可行性,所提出的测量方法易于实现。 相似文献
32.
不同表面预处理对有机电致发光显示器性能的影响 总被引:1,自引:1,他引:0
从生产角度研究了基板表面的预处理工艺对OLED性能的影响,分别用UVOzone、氧Plasma以及两者相结合的方式对基板进行表面处理,并按照生产工艺制作器件,从接触角、方阻以及光电特性等测试结果对各种表面处理的样品进行比较。结果表明以上处理都改善了器件性能,不同程度提高了器件的清洁度、亮度和发光效率,其中UVOzone和氧Plasma结合的方式处理效果最为显著,器件在10V时亮度达到79920cd/m2,比其他两种处理方式亮度提高约25%。 相似文献
33.
为了提供高性能和柔性,操作系统内核应该只保留最小的功能,今天的操作系统大而低效,更缺乏柔性,我们提出了保护分散式操作系统抽象方法,集成了分散式操作系统抽象和保护抽象的方法,这种新的安全方式在分散式抽象系统里共享用户级的抽象,能够使非特权,不信任的任务在运行时定义并安全的共享生成的抽象,它在对相同的抽象重复调用时,通过消除上下文切换的需求和对通常情况进行优化,可获得较好的柔性,保护分散式抽象的设计强调简单并正确性证明,易于理解和使用,文章介绍了保护分散式操作系统抽象方法,并运用该方法开发了一个基于共享库的原型操作系统-ExLinux/LibOS. 相似文献
34.
本文在反射系数序列为非高斯、平稳和统计独立的随机过程,地震子波为非因果、混合相位的假设条件下,分别应用滑动平均(MA)和自回归滑动平均(ARMA)模型对地震记录进行建模,并采用运算代价较小的基于高阶累积量的线性化求解方法——累积量矩阵方程法进行了子波提取和模型适应性的研究。数值模拟结果和实际地震数据处理结果表明:自回归滑动平均(ARMA)模型比滑动平均(MA)模型具有参数节省、模型更为高效的特点;累积量矩阵方程法可以有效地压制加性高斯噪声,但对累积量样本估计的准确性要求较高;如果累积量样本估计的误差和方差适度,结合自回归滑动平均(ARMA)模型描述的累积量矩阵方程法可以高效、准确地估计出地震子波。 相似文献
35.
三峡三期工程主坝大体积混凝土内部温度控制 总被引:2,自引:2,他引:0
三峡右岸三期工程施工中,为了有效控制坝体大体积混凝土内部温升,采取了高温季节使用预冷混凝土浇筑、控制混凝土出机口温度及浇筑温度、对混凝土内部人工通水进行初冷、中冷和后冷等措施。三峡三期工程大坝混凝土内部温度没有出现超标现象,混凝土温控工作取得了良好的效果。 相似文献
36.
目标RCS动态数据的分布特征研究 总被引:1,自引:0,他引:1
复杂目标在不同视向的RCS分布特征是不同的,传统模型对此都没有给出详细的结果。文中以某歼击机和直升机为对象,应用X^2。分布、对数正态分布和瑞利分布模型,以及Kolmogomv拟合优度检验方法,研究其RCS动态测量数据的统计分布特征,得到了在一定显著性水平下,两种目标在不同视向角下对三种模型的拟合效果,同时得到应用X^2。分布拟合时模型半自由度随视向角的分布情况。在显著性水平为0.05时,对于在较短时间内录得的复杂目标动态RCS数据,应用X^2分布可以取得较好的拟合效果。文中结果精确地描述了目标RCS的起伏特征,能够为目标回波的精确模拟与检测提供可靠的依据。 相似文献
37.
通过氟塑料-石墨板式换热器在化纤生产中高温强腐蚀换热工况中的实际应用,并与常规换热器的使用情况的对比分析,阐述了这种新型换热设备的特点。 相似文献
38.
Ting Gang Zhu Uttiya Chowdhury Michael M. Wong Jonathan C. Denyszyn Russell D. Dupuis 《Journal of Electronic Materials》2002,31(5):406-410
In this paper, we report the study of the electrical characteristics of GaN and AlGaN vertical p-i-n junctions and Schottky
rectifiers grown on both sapphire and SiC substrates by metal-organic chemical-vapor deposition. For GaN p-i-n rectifiers
grown on SiC with a relatively thin “i” region of 2 μm, a breakdown voltage over 400 V, and forward voltage as low as 4.5
V at 100 A/cm2 are exhibited for a 60-μm-diameter device. A GaN Schottky diode with a 2-μm-thick undoped layer exhibits a blocking voltage
in excess of ∼230 V at a reverse-leakage current density below 1 mA/cm2, and a forward-voltage drop of 3.5 V at a current density of 100 A/cm2. It has been found that with the same device structure and process approach, the leakage current of a device grown on a SiC
substrate is much lower than a device grown on a sapphire substrate. The use of Mg ion implantation for p-guard rings as planar-edge
terminations in mesageometry GaN Schottky rectifiers has also been studied. 相似文献
39.
Attacks by adult stages of the soft tick Argas (Argas) neghmei (Acari: Argasidae) on inhabitants of the High Andean plateau of Argentina are reported. This is the first local report of this species, which was previously found in the north of Chile. Taxonomic differences between A. (A.) neghmei and other neotropical and exotic species of the genus are underlined. The status of the knowledge about the Argentine argasid fauna is briefly described. 相似文献
40.