多跳无线网路由协议研究进展

移动计算和无线通信的飞速发展为无线网络的应用开辟了美好前景．作为一种没有基础设施的无线网络，多跳无线网在战场、紧急救援等场合具有得天独厚的优势。多跳无线网路由协议的主要作用是监控网络拓扑变化、交换路由信息、产生和维护路由，它是目前的研究热点之一。本介绍了该领域的研究进展，首先叙述多跳无线网的8个特点及其对路由协议的7个要求．然后描述21种路由协议的原理并比较它们的特性，最后阐述了10个研究方向。     

雷达目标二维结构成像方法研究

该文首先研究了雷达目标二维电磁散射的频域散射模型;而后提出了用参数估计方法实现目标ISAR成像的思想,并研究了MP2D参数估计方法;最后用仿真数据和波音727客机真实目标实测数据对该方法进行了实验验证。实验结果表明,该方法能准确估计目标的二维散射中心,且对噪声有较强的抑制能力。     

强耦合双间隙微波谐振腔的特性分析

该文设计了一类适合用于较低频波段宽带多注速调管的新型微波谐振腔强耦合双间隙腔,并采用了较精确的三维电磁场模拟计算程序ISFEL3D对其各种主要参数和特性做了详尽的计算和理论分析,结果表明,强耦合双间隙微波谐振腔工作于模时具有特性阻抗高而且体积小的突出优点,同时模频率与2模频率的间隔明显增大。另外,该文还利用两种常用的集总元件等效电路对计算数据和结论进行验证,并对两种常用的等效电路的精确度做了讨论。     

宽带速调管滤波器加载输出腔间隙阻抗的频率特性的模拟计算方法

该文通过理论分析和推导建立起宽带速调管滤波器加载输出腔间隙阻抗的频率特性的模拟计算方法,同时,通过对实际问题的计算阐明了如何应用该方法确定加载输出腔的谐振频率和外观品质因数并对计算结果的合理性做了论证。最后通过滤波器加载输出腔的模拟计算结果与冷测结果的比较和分析,进一步验证该方法的可靠性。     

基于半导体光放大器全光波长转换器的研究进展

详细讨论并分析了三种以半导体光放大器为基础的全光波长转换器的优缺点，并介绍了一些改善性能的最新方案，最后作了一些展望。     

利用电光效应实现方位信息传递的理论与误差分析

本文设计了一种利用晶体的线性电光效应获取发射和接收两部分装置间相对转动的方位信息的光学系统，推导了出射的о光和e光的强度差与发射、接收两部分相对转角之间的关系，并对可能出现的误差进行了分析。     

ZnO材料的电子输运特性

用全带Monte Carlo方法模拟了纤锌矿Zn O材料电子的稳态和瞬态输运特性.稳态输运特性包括稳态平均漂移速度-电场特性、电子平均能量-电场特性和在不同电场下电子按能量的分布.在平均漂移速度-电场特性中发现了微分负阻效应.Zn O的瞬态输运特性包括平均漂移速度-位移关系曲线、渡越时间-位移关系曲线等.在平均漂移速度-位移关系曲线中发现了过冲现象,这种现象是电子从低能谷到高能谷跃迁过程中的弛豫时间产生的.     

不同注F剂量与CMOS运放电路辐照损伤的相关性

在不同注F剂量条件下,对P沟和N沟两种不同差分对输入CMOS运放电路的电离辐照响应进行了研究.分析比较了注F和未注F运放电路电离辐照响应之间的差异.结果表明,在栅场介质注入适量的F,可有效抑制辐照感生的氧化物电荷尤其是界面态的增长,从而提高CMOS运放电路的抗辐照特性.     

悬臂式RF MEMS开关的设计与研制

介绍了一种制作在低阻硅(3～8Ω·cm)上的悬臂式RF MEMS开关.在Cr/ Au CPW共面波导上,金/Si Ox Ny/金三明治结构或电镀金作为悬置可动臂,静电受激作为开关机理.当开关处于“关断”态,其隔离度小于- 35 d B(2 0～4 0 GHz) ;阈值电压为13V ;开关处于“开通”态,插入损耗为4～7d B(1～10 GHz) ,反射损耗为- 15 d B.另外,还分析了开关的悬臂梁弯曲度与驱动电压的关系,并应用ANSYS软件对开关进行了电学、力学及耦合特性的计算机模拟     

Rare-earth-enabled universal solders for microelectromechanical systems and optical packaging

In packaging of microelectromechanical systems (MEMS), optical, and electronic devices, there is a need to directly bond a wide variety of inorganic materials, such as oxides, nitrides, and semiconductors. Such applications involve hermetic-sealing components, three-dimensional MEMS assembly components as well as active semiconductor or optical components, dielectric layers, diffusion barriers, waveguides, and heat sinks. These materials are known to be very difficult to wet and bond with low melting-point solders. New Sn-Ag- or Au-Sn-based universal solders doped with a small amount of rare-earth (RE) elements have been developed, which now allow direct and powerful bonding onto the surfaces of various MEMS, optical, or electronic device materials. The microstructure, interface properties, and mechanical behavior of the bonds as well as the potential packaging applications of these new solder materials for MEMS and optical fiber devices are described. Various packaging-related structural, thermal, or electrical issues in MEMS are also discussed.