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991.
由于硬件木马等恶意电路的隐蔽性,攻击者可以利用其窃取机密信息,破坏硬件电路,造成严重的经济损失与社会危害.本文基于典型的芯片设计流程与EDA工具,首先建立硬件木马的电路模型,然后尝试在一简单ADC芯片中,利用其电路的剩余空间,设计实现了一种计数器木马电路.该木马电路的规模大约占芯片总面积的5.6%,将受污染的电路与真实电路一起用标准CMOS工艺HJ0.25μm流片,然后采用旁路功耗分析技术进行深入分析.实验数据表明,在正常工作情况下,受污染和没受污染的芯片功耗并无明显差异,而当木马触发条件满足时,受污染的芯片却成功的实现了攻击.  相似文献   
992.
首先,构建了光纤通信网可靠性评估指标体系,在此基础上设计了光纤通信网可靠性评估模型,主要包括链形系统和栅格形系统.然后,搭建实验系统,分析组网方式、典型干线和重要节点对网络可靠性的影响,验证了光纤通信网可靠性评估模型,提出了提高网络可靠性的相关建议措施,为光纤通信网的可靠性评估提供了新思路和新方法.  相似文献   
993.
一种基于极值的自适应均值滤波算法   总被引:2,自引:0,他引:2  
图像增强过程中,如何在去除噪声的同时尽可能保留图像边缘细节非常重要.提出了一种基于极值的自适应均值滤波算法,该算法根据图像中某点的灰度值是否为邻域灰度极值将全部像素分为可疑噪声与信号两类,然后对可疑噪声点采用包括四个一维窗口和一个二维窗口在内的不同方向的五个子窗口分别计算均值,按照各个子窗口的均方差大小,自动选择窗口进行滤波,明显降低了普通均值滤波算法造成的模糊程度,使被误判的边缘像素点得到最大限度的保护.实验证明,该算法能在去除噪声的同时较好地保留边缘等细节信息,降低了图像处理后的模糊化程度,优于经典的邻域平均算法.  相似文献   
994.
大别山南山岭和碧溪岭石榴橄榄岩中的橄榄石具有不同的显微构造特征,前者基本不发育位错,而后者的位错比较普遍。碧溪岭橄榄石的微观晶形可分为球形颗粒和多面块体两类。球形颗粒内位错密度极低,是局部重结晶作用的结果,表明样品曾受到瞬间高温的作用;而多面块体内则分布着较高密度(~2×10^8/cm^2)的位错,其中有些微区的位错已显著扩展,形成层错,而另外一些区域中位错依然保持全位错的构形,表明各微区的层错能可能不同。层错能的差异最可能源于各微区成分的不同,实验结果显示Mg含量较高的微区,易形成层错。多面块体内的位错有明显运动迹象,表明样品曾受到长期、和缓的温度与差应力的联合作用。据此推测,碧溪岭地区板块间曾发生长期的相互挤压作用和不均匀的塑性变形,并最终发生瞬时激烈碰撞,由此产生的热量导致一些变形严重的微区发生重结晶形成球形颗粒,而未发生重结晶区域的位错则基本保持碰撞之前的组态。本文为碧溪岭地区板块俯冲和折返的超高压变质过程和演化历史及南山岭岩体形成于碰撞造山后的认识提供了流变学的证据。  相似文献   
995.
由乐器领域IC分类号G10D的一个侵犯专利权纠纷案例为桥梁,分析授权和侵权两个不同阶段确定权利要求保护范围的差异,通过对专利法律法规和司法解释中关于权利要求保护范围的相关规定进行对比研究,解读差异产生的原因以及在此基础上探讨差异存在的合理性。  相似文献   
996.
电路中网络矩阵之间关系的拓扑证明   总被引:1,自引:0,他引:1  
在图论中,网络拓扑结构关系可以用关联矩阵A,或基本回路矩阵B,或基本割集C来表示.这三个矩阵之间的关系为ABT=0及BCT=0.相关的电路教材对此关系进行了数学证明.本文通过网络的拓扑结构关系来证明这三个网络矩阵间的关系,相对于数学原理的方法,能够反映出矩阵间内部的逻辑联系,并在证明过程中,提出一些有关网络矩阵的补充定理,完善网络图论的知识体系.  相似文献   
997.
用水基凝胶注法制备同体氧化物燃料电池(SOFC)阳极材料NiO/YSZ是目前的研究热点之一。本文研究了凝胶注模工艺中固相含量、分散剂和pH值对NiO/YSZ陶瓷料浆流变性质的影响。结果表明,Ni0/YSZ水基料浆为假塑性流体;当pH=9、分散剂用量为0.012g/ml、固相含量为45%(体积比)的NiO/YSZ水基料浆,稳定性好,满足浇注成型工艺要求,适合成型SOFC阳极材料NiO/YSZ。  相似文献   
998.
固体氧化物燃料电池堆由多片单电池串/并联组成,各单电池的电压是表征电池堆性能的关键参数。大功率电池堆高达数百伏的累积电势,成了单电池电压测试的障碍。本文设计了一种高共模抑制比的差分运算电路,该电路在测试中能有效地抑制燃料电池堆的共模电压。实验优化了利用该电路进行燃料电池电压检测的最佳方案。  相似文献   
999.
针对传统调频连续波(FMCW)雷达高度表模拟信号处理方法精度差、检测能力低、不够灵活等缺点,给出了一种基于快速傅里叶变换(FFT)的恒差拍FMCW雷达高度表数字信号处理器设计方案,实现了信号的全数字化处理,并通过仿真验证了方案的可行性和正确性。  相似文献   
1000.
研究了FOD在输入、输出和电源箝位部分ESD的工作特点,在0.18μm5V EEPROM CMOS工艺下流片、测试并分析了针对输入、输出和电源箝位的三种主流的ESD保护FOD器件,通过传输线脉冲测试仪的测量,重点分析了特征尺寸对器件ESD特性的影响及其设计方法。结果表明:影响FOD的ESD性能的主要因素是沟道长度、漏极长度和漏极接触孔到有源区的距离;增加沟道长,可适当提高FOD的ESD开启电压,但是会降低ESD防护性能;增加FOD的漏极长度和漏极接触孔到有源区的距离,可以提高FOD的ESD防护性能。提出了一种新型的浮体多晶硅岛屿型FOD结构,该结构不但结构简单,而且具有良好的ESD防护性能。  相似文献   
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