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991.
Based on direct absorption spectroscopy (DAS), a portable methane (CH4) detection device was implemented. The device mainly includes a dual-channel non-dispersive infrared sensor (integrated with an infrared light source, light path and pyroelectric detector), a driving circuit of the sensor, an ARM11 embedded WinCE system, and a LabVIEW-based data-processing platform. Experiments were carried out with prepared CH4 samples to investigate the sensing performance. The relative detection error is less than 9.14% within the measuring range of 0—7×10-2. For a CH4 sample with concentration of 0 (i.e., pure nitrogen), the measured concentration fluctuation range is ?1.2×10-5—+2×10-5. An Allan deviation analysis on the gas sample with concentration of 0 indicates that the 1σ limit of detection (LoD) of the device is 4.8×10-6 with an average time of 1 s. Experiments were performed on three CH4 samples with different concentrations to test the response time, which is validated to be less than 20 s. Due to the small size of the ARM11 embedded system and the powerful data processing capability of the LabVIEW platform, the proposed portable and miniaturized CH4 sensor shows a good application prospect in mining operations and some other industrial fields. 相似文献
992.
Compensation to the output drift for cooled infrared imaging systems at various ambient temperatures
A method is proposed to compensate the output drift for cooled infrared imaging systems at various ambient temperatures. By calibrating the cryogenic infrared detector which absorbs the radiant flux of blackbody directly, the internal factors can be obtained. Then, by combining the calibration result of infrared imaging system at an arbitrary ambient temperature, the output drift can be calculated and compensated at various integration time and ambient temperatures. Experimental results indicate that the proposed method can eliminate the effect of ambient temperature fluctuation on the system output efficiently. 相似文献
993.
An optical transceiver with a novel optical subassembly structure is proposed in this paper, which achieves high coupling efficiency and low assembly difficulty. The proposed optical transceiver consumes 0.9 W power and retains a small size of 28 mm×16 mm×3 mm. The fabrication process of the silicon substrate and the assembly process of the optical transceiver are demonstrated in details. Moreover, the optical transceiver is measured in order to verify its transmission performance. The clear eye diagrams and the low bit error rate (BER) less than 10-13 at 10 Gbit/s per channel show good transmission characteristics of the designed optical transceiver. 相似文献
994.
在SiO2/Si(P++)衬底上制备了多层MoS2背栅器件并进行了测试.通过合理优化和采用10 nm SiO2 栅氧, 得到了良好的亚阈值摆幅86 mV/dec和约107倍的电流开关比.该器件具有较小的亚阈值摆幅和较小的回滞幅度, 表明该器件具有较少的界面态/氧化物基团吸附物.由栅极漏电造成的漏极电流噪声淹没了该器件在小电流(~10-13 A)处的信号, 限制了其开关比测量范围.基于本文以及前人工作中MoS2器件的表现, 基于薄层SiO2栅氧的MoS2器件表现出了良好的性能和潜力, 显示出丰富的应用前景. 相似文献
995.
为了进一步探讨激光重熔等离子喷涂金属陶瓷涂层的组织与性能。本文通过等离子喷涂设备在45钢表面上制备了Ni/WC金属陶瓷涂层,再进行激光重熔处理,然后利用SEM、XRD、Photoshop软件及显微硬度测试仪等分析测试手段研究了该涂层在激光重熔前后的组织性能变化。结果表明:激光重熔前涂层为典型的层状结构,基体与涂层的结合面为机械结合,涂层内有大量未熔WC颗粒,且XRD检测其高温作用使得喷涂颗粒发生分解,分解出的C元素与其他元素发生反应生成新的化合物,丰富了涂层的硬质相;激光重熔后涂层中颗粒细化,分布均匀且能消除涂层中大部分孔隙和WC团聚。WC再次发生分解,生成新的硬质相,与周围的Ni形成“软基相+硬质点”的组合分布,基体与涂层的结合方式由机械结合转变为冶金结合。孔隙率由7.02%降到了3.08%,显微硬度也相应提高,且涂层显微硬度比基体高了255HV。 相似文献
996.
997.
998.
999.
1000.
报道了128×128元InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外焦平面阵列探测器的研究成果.实验采用分子束外延技术在GaSb衬底上生长超晶格材料.红外吸收区结构为13 ML(InAs)/9 ML(GaSb),器件采用PIN结构,焦平面阵列光敏元大小为40μm×40μm.通过台面形成、侧边钝化和金属电极生长,以及与读出电路互连等工艺,得到了128×128面阵长波焦平面探测器.在77 K时测试,器件的100%截止波长为8μm,峰值探测率6.0×109cmHz1/2W-1.经红外焦平面成像测试,探测器可得到较为清晰的成像. 相似文献