Si基的 RICBD法生长GaN薄膜

讨论反应离化团簇束沉积（RICBD）方法的原理和特点,利用改进的双气流方式和ZnO缓冲层技术在S i 衬底上生长GaN薄膜,并用XPS、XRD和PL对样品进行了测试分析,证实形成了良好的GaN薄膜。     

用椭圆偏振测量法分析碲镉汞的组分及其均匀性

简略介绍了椭偏仪的测量原理和测量装置。分析了Hg1-xCdxTe(MCT)的 组分与椭偏仪的参数Δ和ψ之间的关系,结果发现碲镉汞的组分x主要与椭偏仪的参数ψ有关,而且x与ψ的经验关系为ψ＝14．84－10.22x。最后椭圆偏振测量的方法分析了碲镉汞的横向和纵向组分均匀性。该方法具有非破坏性、有效、快捷的特点。     

正向栅控二极管监测F- N电应力诱生的SOI- MOSFET界面陷阱

报道了正向栅控二极管 R- G电流法表征 F- N电应力诱生的 SOI- MOSFET界面陷阱的实验及其结果 .通过体接触的方式实现了实验要求的 SOI- MOSFET栅控二极管结构 .对于逐渐上升的累积应力时间 ,测量的栅控二极管电流显示出明显增加的 R- G电流峰值 .根据 SRH理论的相关公式 ,抽取出来的诱生界面陷阱密度是随累积应力时间的上升而呈幂指数的方式增加 ,指数为 0 .4.这一实验结果与文献先前报道的基本一致     

脉冲ArF准分子激光淀积SiC/Si(100)薄膜的最佳晶化温度及光致发光

用脉冲 Ar F准分子激光熔蚀 Si C陶瓷靶 ,在 80 0℃ Si(10 0 )衬底上淀积 Si C薄膜 ,经不同温度真空 (10 - 3Pa)退火后 ,用 FTIR、XRD、TEM、XPS、PL 谱等分析方法 ,研究了薄膜最佳晶化温度及表面形态、结构、组成 ,并对在最佳退火温度处理后的样品进行了化学态、微结构及光致发光的研究 .结果表明 ,在 Si(10 0 )上 80 0℃淀积的样品为非晶Si C薄膜 .经 85 0— 10 5 0℃不同温度真空退火后 ,Si C薄膜经非晶核化 -长大过程 ,在 980℃完成最佳晶化 .随退火温度的变化 ,薄膜中可能存在 3C- Si C与 6 H- Si C的竞争生长或 /和 3C- Si C相的长、消 (最佳温度     

锁相接收机环路参数选取的一些考虑

本文结合工程实际,推导了某种锁相接收机锁相环传递函数,并就如何选取锁相环环路参数问题进行了分析与设计。     

CSL100系列微机线路保护在广东500kV茂(名)—江(门)线的应用

介绍了CSL1 0 0系列微机线路保护用于广东 50 0kV系统茂 (名 )—江 (门 )线的保护配置、与复用载波机接口、后备保护、断路器保护、死区保护、开入 /开出回路抗干扰等问题的设计方法。     

基于光电管寻迹的智能车舵机控制

分别从智能车舵机的硬件和软件控制角度,提出了2种基于红外光电管寻迹的智能车舵机控制的方法:硬件闭环法和软件开环法.采用硬件闭环或软件开环法控制转臂加长的舵机,有效解决了舵机响应滞后的问题,提高了智能车系统的路径识别能力和抗干扰能力.     

用于光电集成的InP基HBT新结构

对用于光电集成(OEIC)的InP基异质结双极性晶体管(HBT)进行了分析,提出了一种新的集电区外延结构,该结构是在单HBT(SHBT)的集电区与次集电区间加入特定厚度与掺杂浓度的p-InGaAs层和n-InP层,既适用于集成光探测器,又较好地解决了SHBT反向击穿电压低、传统双HBT(DHBT)电子堆积效应等问题,并具有外延层生长简单、集电区电子漂移速率高等优点.     

1~26.5GHz GaAs PIN单刀单掷开关单片

采用GaAs PIN二极管,完成1~26.5 GHz的单刀单掷开关单片的设计、制作。SPST开关单片带内插损小于0.5 dB,驻波优于1.1,隔离度大于27 dB,在10~26.5 GHz,隔离度大于37 dB。开关单片采用MOCVD生长的GaAs纵向PIN二极管材料结构,76 mm GaAs圆片工艺加工制作。     

面向存储系统的低功耗SoC设计

降低存储系统功耗是SoC设计中的重要问题,基于对程序执行与器件特性的分析,在SDRAM中引入数据缓冲区,给出针对多进程数据访问特性的实现方法,降低了程序运行时外存设备的功耗。在EMI中实现了指令FIFO,并给出定制方法,降低了程序运行时的SDRAM能耗。实验与仿真表明,该方法能有效降低程序运行时SoC存储系统整体功耗。