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NMOS器件两次沟道注入杂质分布和阈电压计算 总被引:1,自引:1,他引:0
分别考虑了深浅两次沟道区注入杂质在氧化扩散过程中对表面浓度的贡献。对两次注入杂质的扩散分别提取了扩散系数的氧化增强系数、氧化衰减系数和有效杂地系数,给出了表面浓度与工艺参数之间的模拟关系式,以峰值浓度为强反型条件计算了开启电压,文章还给出了开启电压、氧化条件、不同注入组合之间的关系式。 相似文献
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M. F. Sorokïna O. M. Kanunnikova F. Z. Gil'mutdinov V. I. Kozhevnikov 《Glass and Ceramics》1996,53(1-2):11-13
The method of x-ray electron spectroscopy is used to investigate lead silicatexPbO(1 -x) · SiO2 (x - 0.3, 0.4, 0.5, 0.55, 0.667) glasses. The concentration dependences of the spectra of inner Pb4f, Si2p, and Ols levels led to the conclusion that for low contents of PbO, lead is present in the glass in the form of modifying ions, whereas in high concentrations, it plays the role of glass former. Restructuring in the glass occurs for about 50% molar concentration of PbO. The Pb - O bond in the glass is more ionic than in PbO. With an increase in the PbO content in the glass, the Pb - O bond becomes closer to that of lead monoxide, i.e., is more covalent. 相似文献
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醇镁还原法一步制取对氯苯胺是一种新的方法 ,研究发现最佳反应温度为 80℃~ 85℃ ,反应时间为4h ,对氯硝基苯与镁粉的用量 (物质的量比 )为 1∶3,产率为 80 %。 相似文献
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文章介绍了SOC设计流程,智能I/O处理器组成,在开发该处理器对VHDL源代码的优化问题。 相似文献
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