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Ting Gang Zhu Uttiya Chowdhury Michael M. Wong Jonathan C. Denyszyn Russell D. Dupuis 《Journal of Electronic Materials》2002,31(5):406-410
In this paper, we report the study of the electrical characteristics of GaN and AlGaN vertical p-i-n junctions and Schottky
rectifiers grown on both sapphire and SiC substrates by metal-organic chemical-vapor deposition. For GaN p-i-n rectifiers
grown on SiC with a relatively thin “i” region of 2 μm, a breakdown voltage over 400 V, and forward voltage as low as 4.5
V at 100 A/cm2 are exhibited for a 60-μm-diameter device. A GaN Schottky diode with a 2-μm-thick undoped layer exhibits a blocking voltage
in excess of ∼230 V at a reverse-leakage current density below 1 mA/cm2, and a forward-voltage drop of 3.5 V at a current density of 100 A/cm2. It has been found that with the same device structure and process approach, the leakage current of a device grown on a SiC
substrate is much lower than a device grown on a sapphire substrate. The use of Mg ion implantation for p-guard rings as planar-edge
terminations in mesageometry GaN Schottky rectifiers has also been studied. 相似文献
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NMOS器件两次沟道注入杂质分布和阈电压计算 总被引:1,自引:1,他引:0
分别考虑了深浅两次沟道区注入杂质在氧化扩散过程中对表面浓度的贡献。对两次注入杂质的扩散分别提取了扩散系数的氧化增强系数、氧化衰减系数和有效杂地系数,给出了表面浓度与工艺参数之间的模拟关系式,以峰值浓度为强反型条件计算了开启电压,文章还给出了开启电压、氧化条件、不同注入组合之间的关系式。 相似文献
74.
一种基于阵列式触觉传感器的主动触觉搜索方法及仿真 总被引:2,自引:1,他引:1
本文在一种二指节手指模型的基础上,提出了一种新的主动触觉搜索策略和方法,综合利用阵列式触觉传感铭的输出图象来不断改变机械手的姿态,从而依次有序地搜索到三维物体的特征点,并据此生成物体的三维图形。此外还讨论了上述方法的计算机仿真实现。 相似文献
75.
醇镁还原法一步制取对氯苯胺是一种新的方法 ,研究发现最佳反应温度为 80℃~ 85℃ ,反应时间为4h ,对氯硝基苯与镁粉的用量 (物质的量比 )为 1∶3,产率为 80 %。 相似文献
76.
分子印迹技术及其应用 总被引:3,自引:0,他引:3
分子印迹技术是将高分子科学、材料科学、生物学、化学工程等有机集成。基于分子印迹技术所制备的分子印迹聚合物具有选择性高、稳定性好、应用范围广等特点 ,近年来得到了日益广泛和深入的研究。介绍了分子印迹技术的原理、分子印迹聚合物的制备方法、分子印迹技术的应用场合和实例 ,并简要预测了分子印迹技术领域未来的发展趋势。 相似文献
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数字化控制和智能化控制技术是电源技术发展的重要方向。本文描述ARM处理器上嵌入实时操作系统μC/OS-II,实现一个高精度、精确跟踪输出、高稳定性、良好的人机界面的简易数控电源设计。 相似文献
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基于充放电原理实现的微电容测量电路 总被引:1,自引:0,他引:1
具有抗分布电容以及简单实用等特性的充放电电路是目前微电容测量中广泛采用的一种测量电路。本文对基于充放电原理的微电容测量电路进行了深入研究,并介绍一种基于充放电原理的实用电路。 相似文献