A High Performance InP HEMT with Saw-Toothed Source and Drain

Ｍｉｌｌｉｍｅｔｅｒｗａｖｅ　ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ　ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ　ｉｓ　ｖｅｒｙ　ｉｍｐｏｒｔａｎｔ　ｆｏｒ　ＭＭＩＣ　ｄｅｓｉｇｎ　ａｎｄ　ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ．Ａｎ　ＩｎＰ　ＨＥＭＴ　ｗｉｔｈ　ｓａｗｔｏｏｔｈｅｄ　ｓｏｕｒｃｅ　ａｎｄ　ｄｒａｉｎ　ｉｓ　ｄｅｓｃｒｉｂｅｄ．Ｔｈｅ　ｐａｔｔｅｒｎ　ｄｉｓｔｏｒｔｉｏｎ　ｄｕｅ　ｔｏ　ｔｈｅ　ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ　ｅｆｆｅｃｔ　ｏｆ　ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ　ｉｓ　ａｖｏｉｄｅｄ．Ｈｉｇｈ　ｙｉｅｌｄ　ＩｎＰ　ＨＥＭＴ　ｗｉｔｈ　ｇｏｏｄ　ＤＣ　ａｎｄ　ＲＦ　ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅｓ　ｉｓ　ｏｂｔａｉｎｅｄ．Ｔｈｅ　ｄｅｖｉｃｅ　ｔｒａｎｓｃｏｎｄｕｃｔａｎｃｅ　ｉｓ　１０５０ｍＳ／ｍｍ，ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ　ｖｏｌｔａｇｅ　ｉｓ　－１.０Ｖ，ａｎｄ　ｃｕｒｒｅｎｔ　ｇａｉｎ　ｃｕｔ　ｏｆｆ　ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ　ｉｓ　１２０ＧＨｚ．     

基于不确定性研究的油田开发后期指标预测方法

针对油田开发后期开发指标不确定性、波动程度大导致常规预测方法适应性差,且无法提供预测结果概率分布特征的问题,建立了基于不确定性研究的开发后期指标预测方法。该方法通过历史生产数据确定指标影响因素的概率分布,并采用随机算法生成服从概率分布的大量样本,最后通过所建立的指标与影响因素之间的定量关系预测指标的概率分布特征。用该方法对H采油厂注采比进行预测,其2013年前6个月注采比的预测误差平均为0.53%,而多项式回归模型及支持向量机模型的误差分别为3.33%和1.46%;2013年1月的注采比概率分布范围为0.77~0.93,最大概率的注采比为0.834 3。不确定性开发指标预测方法精确度较高,能为开发决策提供可靠依据,并大大降低决策风险。     

一种基于方向特性识别电磁辐射源的新方法

通过获取电磁辐射源周围空间的电场强度分布,从而确定辐射源的方向特性,利用方向特性这种辨识度高的特性参数,基于支持向量机对电磁辐射源进行了准确的区分识别.文中分析了三个基本的天线辐射模型,在相同位置建立正方体接收阵获取其远区场强值,并采用支持向量机方法对数据进行处理,建立评判模型对识别准确率进行了分析.结果表明提出的方法具有很高的识别准确率.最后从抗噪性能、数据归一化方法和F1值三个方面综合分析了方法的合理性.     

强度调制直接检测非正交光时域重叠复用系统

时域重叠复用是提升通信系统频谱效率和性能的有效方式,设计了基于强度调制直接检测的非正交光时域重叠复用系统,并进行实验验证。论文比较了非正交光时域重叠复用系统与同速率脉冲振幅调制系统的性能。实验结果表明,在矩形成型条件下经2重,3重,4重非正交光时域重叠复用系统调制的信号与相同比特速率的4电平,8电平,16电平脉冲振幅调制系统的信号相比,达到硬判决前向纠错门限所需的最小接收光功率分别降低了2.5dB,4.5dB和8.5dB。     

硫酸盐还原菌法固定酸性矿山废水中重金属的研究进展

硫酸盐还原菌(SRB)法是一种极具潜力的酸性矿山废水(AMD)处理技术,如何将多种重金属分级沉淀并且分相分离出来,是SRB工艺走上工程应用的关键。本文综述了SRB法固定AMD中重金属的国内外研究进展,主要包括SRB法去除AMD中重金属的原理、SRB法分级沉淀AMD中多种重金属的工艺(分离式多级pH控制工艺及厌氧折流板反应器工艺)和SRB法厌氧污泥中金属硫化物的生物矿化(SRB介导的生物矿化成矿、生物矿化成矿影响因素及生物矿化过程微观机理),分析了此方面研究工作存在的问题。最后文章针对SRB法的深入研究及应用进行展望,认为硫酸盐还原体系中硫化物成矿的调控、成矿物相演变与微生物群落演替过程的解析以及矿化固定AMD中重金属成矿机理的探索将是今后重点关注的研究内容。     

改善增益平坦度的新型InGaP/GaAs HBT功率放大器单片设计

介绍了一款应用于3GHz通信的基于改进增益平坦度的功率放大器设计,其由商用InGaP/GaAs异质结双极性晶体管(HBT)工艺制作.为了以简单方式改善增益平坦度,除了耦合旁路电容以及射频扼流圈外,在实际电路中没有加入额外部件.其测量线性增益为23dB,大信号增益平坦度为±0.25dB,非常贴近仿真和日标值.此两级功放400MHz带宽下的输出线性功率为31dBm,增益附加效率为44%.本电路通过良好的失真补偿电路和扼流圈模型的使用,成功地改善了增益平坦度.     

GaAs PIN二极管的新等效电路模型

基于物理原理的分析,提出了GaAs PIN二极管的一种新等效电路模型.GaAs PIN二极管被分成P+n-结、基区和n-n+结三部分分别建模,总的模型由三个子模型组成,从而极大地提高了模型的准确性.相应的模型参数提取过程不要求苛刻的实验或测试条件,简便易操作.研制了15组GaAs PIN二极管来验证模型,测试结果表明模型准确地反映了GaAs PIN二极管的正向和反向特性.     

C波段GaAs PIN二极管单片单刀单掷开关

基于中国科学院微电子研究所的GaAs PIN二极管工艺,研究了一种单片单刀单掷开关.为了仿真该单片单刀单掷开关,研制开发了GaAs PIN二极管的小信号模型.在5.5～7.5GHz的频段内,开关正向导通时的插入损耗低于1.6dB,回波损耗大于10dB,开关关断状态的隔离度大于23dB.     

基于组合匹配的低残压宽带雷电防护方法研究

为提高四分之一波长微带线雷电保护器的带宽,降低输出残压,提出了分节微带线与串联电感的组合匹配设计方法.仿真分析了四分之一波长微带线避雷器的不足,通过对分节微带线、串联电感的仿真优化,拓展了雷电保护电路的带宽,仿真结果表明防护电路在1 GHz到3 GHz内具有良好的电压驻波比即宽带特性.利用电压梯度法实现器件间的组合匹配...     

致密砂岩储层物性及非均质性特征

中国西南地区四川盆地上三叠统须家河组碎屑岩地层为典型的非常规致密砂岩储集层,迄今已探明天然气储量已达万亿立方米,其中四川盆地中部广安地区须家河组六段（须六段）具有较大的勘探开发潜力。以须六段气藏段致密砂岩为研究对象,通过镜下薄片、物性和压汞等测试,结合分形理论研究,系统分析了其孔隙结构、物性特征和储层非均质性。结果表明：须六段砂岩储集层可明显划为3类。Ⅰ类储层（平均孔隙度12.27 %,平均渗透系数6.037 6 × 10^-3 μm²）以大孔或中孔为主,分形维数范围为2.42～2.59;Ⅱ类储层（平均孔隙度9.26 %,平均渗透系数1.152 3 × 10^-3 μm²）以中孔为主,小孔为次,大孔发育差,分形维数范围为2.47～2.56;Ⅲ类储层（平均孔隙度5.20 %,平均渗透系数0.351 7 × 10^-3 μm²）以小孔或中孔为主,大孔发育差或不发育,分形维数范围为2.45～2.81。孔隙类型的差异分布导致各类储层非均质性变化明显,主要表现为Ⅲ类储层非均质性强于Ⅰ类储层。相关性分析表明物性条件耦合于储层非均质性,且存在关键临界值,分形维数范围在2.45～2.60时,孔隙度与分形维数为正相关关系,渗透系数与分形维数的关系无明显规律;而分形维数大于2.60时,孔隙度与分形维数为负相关关系,渗透系数与分形维数为斜率接近0的线性关系。基于致密砂岩储层物性条件与分形特征的定量研究,探讨非常规天然气优质储层的评价标准,对指导中国非常规储层的勘探与开发研究具有重要理论与现实意义。