首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   112870篇
  免费   8260篇
  国内免费   4262篇
电工技术   5898篇
技术理论   11篇
综合类   6655篇
化学工业   19098篇
金属工艺   5898篇
机械仪表   6794篇
建筑科学   8727篇
矿业工程   3118篇
能源动力   3117篇
轻工业   6713篇
水利工程   1734篇
石油天然气   6330篇
武器工业   714篇
无线电   14069篇
一般工业技术   14351篇
冶金工业   5979篇
原子能技术   1255篇
自动化技术   14931篇
  2024年   436篇
  2023年   1773篇
  2022年   2935篇
  2021年   4051篇
  2020年   3096篇
  2019年   2616篇
  2018年   3011篇
  2017年   3413篇
  2016年   2977篇
  2015年   3916篇
  2014年   4952篇
  2013年   6308篇
  2012年   6630篇
  2011年   7247篇
  2010年   6318篇
  2009年   6220篇
  2008年   6227篇
  2007年   5823篇
  2006年   6098篇
  2005年   5449篇
  2004年   3719篇
  2003年   3223篇
  2002年   2870篇
  2001年   2793篇
  2000年   2897篇
  1999年   3398篇
  1998年   2929篇
  1997年   2565篇
  1996年   2309篇
  1995年   1936篇
  1994年   1560篇
  1993年   1231篇
  1992年   970篇
  1991年   741篇
  1990年   602篇
  1989年   500篇
  1988年   391篇
  1987年   294篇
  1986年   208篇
  1985年   176篇
  1984年   108篇
  1983年   81篇
  1982年   87篇
  1981年   57篇
  1980年   47篇
  1979年   33篇
  1978年   25篇
  1977年   25篇
  1976年   40篇
  1973年   11篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
41.
The synthesis of thermal-shock-resistant materials from the system Ta2O5WO3 was investigated. Ta2WO8 had a very low unit-cell thermal expansion coefficient (+0.5 X 10–6° C–1). Ta30W2O81 also had a relatively low coefficient (+4.0 X 10–6 ° C–1) and a thermal durability over 1600° C. The thermal expansion curves of these polycrystalline ceramics were lowered because of microcracks caused by the large thermal expansion anisotropy of the crystal axes and were accompanied by hysteresis loops. The densification of Ta2WO8 ceramic was promoted by the addition of some metal oxides, and the strong ceramic of Ta30W2O81 was obtained by controlling grain growth.  相似文献   
42.
43.
44.
45.
随着电容测量技术的迅速发展,电容传感器在非电量测量和自动检测中得到广泛应用,但它在使用过程中也存在一些问题,针对在使用电容传感器过程中存在的几个问题,从电容传感器的原理和工作过程两个方面进行了讨论,并提出行之有效的处理方法。  相似文献   
46.
In this article we report the system structure and test results of an experimental optical burst switching network with three edge router's and one core node. Wavelength-selective switches developed for this system and their characteristics are depicted. The implementation and performance of our new scheme for the just-in-time protocol are described. We also report experimental results of FTP and VOD services on this system. Some parameters, including traffic rate, average burst data length, and assembly time, are studied.  相似文献   
47.
ShuJing Li  FeiPeng Wu  MiaoZhen Li 《Polymer》2005,46(25):11934-11939
Methylated-β-cyclodextrin (Me-β-CD) was used to complex the photoinitiator, 2,2-dimethoxy-2-phenyl acetophenone (DMPA), yielding a water-soluble host/guest complex. The comparative studies demonstrated that the Me-β-CD complexed DMPA exhibited a high photoreactivity identical to the uncomplexed DMPA, while the CD complex obviously influenced the products of primary photolysis of DMPA and the photopolymerization kinetics due to the steric effect of CD on the subsequent initiation reactions. The photopolymerization rate of acrylamide can be described by the equation: Rp=K[2a]0.62[M]1.37[I]0.5[Me-β-CD]0. The mechanism of polymerization was also discussed.  相似文献   
48.
通过修改工艺配方,自动完成对成型鼓鼓肩位置极限的设定,并且该软极限的大小根据工艺参数的不同可以自动调整,最终达到了对成型鼓的保护,实际使用效果好.  相似文献   
49.
50.
Stress analysis of spontaneous Sn whisker growth   总被引:5,自引:0,他引:5  
Spontaneous Sn whisker growth is a surface relief phenomenon of creep, driven by a compressive stress gradient. No externally applied stress is required for the growth, and the compressive stress is generated within, from the chemical reaction between Sn and Cu to form the intermetallic compound Cu6Sn5 at room temperature. To obtain the compressive stress gradient, a break of the protective oxide on the Sn surface is required because the free surface of the break is stress-free. Thus, spontaneous Sn whisker growth is unique that stress relaxation accompanies stress generation. One of the whisker challenging issues in understanding and in finding effective methods to prevent spontaneous Sn whisker growth is to develop accelerated tests of whisker growth. Use of electromigration on short Sn stripes can facilitate this. The stress distribution around the vicinity and the root of a whisker can be obtained by using the micro-beam X-ray diffraction utilizing synchrotron radiation. A discussion of how to prevent spontaneous Sn whisker growth by blocking both stress generation and stress relaxation is given.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号