Residue curve maps for reactive distillation systems with liquid-phase splitting

A model has been developed to study the effects of chemical kinetics on the residue curve maps (RCM) for reactive distillation systems with liquid phase splitting. In the model, chemical reaction can occur in both or only one of the two liquid phases. The heating policy V/V₀=H/H₀ is applied so that the kinetic effect can be described by a single parameter, the Damköhler number Da. The effects of reaction kinetics on pseudohomogeneous and heterogeneous mixtures have been compared. The properties of their RCMs are the same outside, but are fully different inside the liquid-liquid (L-L) region if they have different chemical equilibrium curves. Inside the L-L region, the chemical equilibrium curve coincides to a unique reactive liquid-liquid tie line in case that the pseudohomogeneous chemical equilibrium curve intersects with the L-L envelope. When the reaction occurs in only one of the two liquid phases, the residue curves inside the L-L region are strongly affected by the L-L envelope, especially at high Da. In the present paper, first an illustrative arbitrary reaction system, and then the reaction of cyclohexene with water to cyclohexanol are analysed with respect to their RCMs.     

NFC移动通信终端的研究与应用

随着计算机网络及通信技术的发展,人们对短距离无线通信(NFC,Near Field Communication)的需求迅速增加。文中介绍了NFC技术的基本特点,给出了NFC的技术架构,然后在其基础上研究了NFC移动通信终端以及功能模块,并且给出了具体的应用,最后对NFC移动通信终端的应用前景做出展望。     

高层建筑损伤识别中的补偿算法

本文在已有研究工作的基础上，提出了处理激励测量信息不完备情况下的补偿算法。此方法主要针对高层建筑动力检测中强迫激励的情况，是一种基于时域的识别方法，该方法实际上是利用客观工程实际中结构系统激励所具有的物理持征作为识别计算的辅助条件，来解决测量信息的不完备性问题。算例分析表明了该方法的可行性。     

Hot-carrier-injected oxide region in front and back interfaces inultra-thin (50 nm), fully depleted, deep-submicron NMOS andPMOSFET's/SIMOX and their hot-carrier immunity

The hot-carrier-injected oxide region in the front and back interfaces is systematically clarified for fully depleted surface-channel nMOSFET's and surface-channel and buried-channel pMOSFET's fabricated on an ultra-thin (50 nm)-film SIMOX wafer. Based on these results, the influence of these injected carriers on front-channel properties is investigated. NMOSFET degradation is shown to be caused by hot-carriers injected into the drain side of the front oxide and pMOSFET degradation by hot-electrons injected into the drain side of both the front oxide and the back oxide. Additionally, it is shown experimentally that these fully depleted devices with effective channel lengths between 0.1-0.2 μm have fairly high hot-carrier immunity, even for single-drain structures     

ZrO_2（Y－TZP）－Si_3N_4复合材料中抑制ZrN生成研究

研究了气氛加压烧成ＺｒＯ２（Ｙ－ＴＺＰ）－Ｓｉ３Ｎ４复合材料中抑制ＺｒＮ生成工艺问题，相组成分析表明：无论添加２０ｗｔ％工业ＺｒＯ２或者Ｙ－ＴＺＰ（３ｍｏｌ％Ｙ。Ｏ。）的氯化硅复合材料，在低于１８５０℃，３ＭＰａｋ气压力下烧成，表面无ＺｒＮ生成．通过加入有效的烧结助剂（Ｙ。Ｏａ＋ＡＩ。Ｏｓ）、增加埋粉中ＳＩＯ分压以及增加保护气氛氮气压力，适当的烧成条件等工艺措施可有效地抑制ＺｒＮ的生成．实验还证实了ＺｒＮ很容易氧化，含有ＺｒＮ的ＺｒＯ。（Ｙ－ＴＺＰ）－ＳｉｓＮ。复合材料试样经９００℃，０．ｓｈ热处理已粉碎性裂开．     

胜利油田污水储罐腐蚀防护方法评价

对胜利油田纯粱采油厂A3钢制生产污水（水温约60℃）储罐使用寿命过低的原因进行了实验考察。水质分析数据表明氯离子浓度高（45-48gm）是污水腐蚀性强的主要因素。A3钢在60℃污水中的腐蚀速率，由极化曲线数据计算的值大大高于失重法测定值，敞开系统中失重法测定值又高于密闭系统中测定值，挂片上出现蚀孔，说明储罐中A3钢发生了氧存在下氟离子引起的局部腐蚀（孔蚀）。元素分析结果表明．储罐阴极保护所用的牺牲阳极铝材含铁等元素量超标。牺牲阳极密封不良，在实验污水中7天后电流效率仅为2．92％，失去阴极保护能力。处于实验污水环境中的有涂层保护的A3钢．14天后出现腐蚀极化电流，表明涂层已失去完整性。要提高该采油厂及胜利油田其他采油厂污水储罐的使用寿命，必须改用合格的牺牲阳极和保护涂层材料。图3表2参7。     

烟气轮机长周期高负荷运行的途径和方法

北京燕山分公司2000kt/a催化裂化装置的烟气轮机机组,在投运的几年内,存在电仪故障多、气轮机轴振动大及回收率低等一系列问题。通过技术攻关及操作优化,烟气轮机的轴振动值最大不超过70μm,发电量提高至13000kW·h以上,每年停机检修的时间可控制在15天以内,全年的净收效益将达到5460万元,每年可提高效益1620万元。与装置同步运转率由2004年的87%提高到96%,显著提高了经济效益和社会效益。     

盐家油田油水井结垢原因探讨

对地层温度65～75℃的盐家油田油水井近井地带、井底、井筒发生严重结垢的原因进行了分析探讨。7口油井采出的地层水均为NaCO3型水．矿化度6．4～10g／L，HCO3浓度高（1．6～3．7g／L），Ca^2＋＋Mg^2＋浓度较低；1口水源井水及1口水井注入水为CaCl2型水，矿化度32～33g／L，Ca^2＋＋Mg^2＋浓度高（3．1～3．8g／L）而HCO3浓度低；采用CaCO3饱和指数法和CaSO4热力学溶解度法预测，在70℃下所有水样均有CaCO3结垢趋势，除3口油井采出的地层水外，均有CaSO4结垢趋势。3口油井采出的地层水与水源水在25℃按不同比例混合后，悬浮物含量大幅度上升。在70℃放置7天后再次大幅度上升，烘干的悬浮物易溶于稀盐酸．其主要成分为碳酸盐．说明注入水、地层水不配伍。1口电泵采油井和1口注水井油管垢样含盐酸可溶物（碳酸盐）超过90％。讨论了碳酸盐、硫酸盐垢的生成条件：温度、压力及pH值。图1表4参3。     

10 Gb/ s 0. 18 􀀁m CMOS 激光二极管驱动器芯片

基于0．18μm CMOS工艺设计的10Gb／s激光二极管驱动器电路。核心单元为两级直接耦合的差分放大器，电路中采用了并联峰化技术和放大级直接耦合技术以扩展带宽，降低功耗。模拟结果表明，在1．8V电源电压作用下该电路可工作在10Gb／s速率上，输入单端峰峰值为0．3V的差分信号时，在单端50Ω负载上的输出电压摆幅可达到1．4V，电路功耗约为85mW。     

碳纤维增强混凝土构件正截面计算的双界限系数法

以材料的力学性能分析为基础，利用双界限系数将碳纤维增强混凝土受弯构件划分成三种正截面的破坏形态，对每一种破坏形态，建立了单、双筋矩形截面极限承载力的计算式，使碳纤维增强混凝土构件正截面计算与现行的规范相一致。