纳米W-Cu粉末的均相沉淀法制备及其烧结性能

采用湿化学工艺--蒸氨均相沉淀法,制备了纳米CuWO4·2H2O/Cu2WO4(OH)2均相沉淀物,然后煅烧、还原,得到含Cu 30%的W-Cu复合粉.将该复合粉压坯在H2气氛中于不同温度下烧结后,对烧结体的微结构和物理、力学性能等进行了测试分析.实验结果表明:蒸氨均相沉淀法制备的W-Cu复合粉体具有纳米粒度和均匀的化学组成,其烧结活性高,在较低温度下烧结即可达很高的致密化程度.由上述W-Cu粉体所制备的烧结体具有良好的物理、力学性能.     

废钴钼系催化剂中金属的全回收新工艺研究

开发了一种用于废Co/Mo/γ-Al2O3催化剂的金属全回收工艺.首先将催化剂在通空气的情况下进行氧化燃烧以除去碳和硫.焙烧后样品经浓氨水多次浸取,得到的溶液部分先用锌置换络合物中的少量钴,之后加硝酸回收MoO3;氨浸后的滤渣用硫酸溶解,加硫酸铵分离出氨明矾,以去掉大部分铝;所得少量浓缩液去掉铁等杂质之后,加过量氨使钴形成络合物,再用锌粉置换出金属钴粉.Mo、Al、Co的回收率分别大于90%、85%和90%.     

磷复肥喷浆造粒“三内”技术研究与开发(一)

介绍磷复肥喷浆造粒“三内”技术 ,该技术集喷浆造粒、分级、返料、破碎为一体在转筒内完成全过程 ,实现机头喷浆机尾出产品 ,粉体在筒内闭式循环造粒新技术     

热法磷酸的发展趋势与研究方向

简述了工业制磷酸的生产方法和热法磷酸生产工艺的发展,分析了热法磷酸今后的发展方向,提出了热法磷酸燃烧塔结膜物的研究课题。     

传统法制备嗪草酮印迹聚合物

农药嗪草酮应用广泛,它的残留问题引起了人们的普遍关注,发展快速准确的检测方法势在必行。而分子印迹技术因其独特的优点使它成为痕量残留快速检测的一种较好的方法。采用传统法制备嗪草酮印迹聚合物,以甲基丙烯酸(MAA)为功能单体,N,N-亚甲基双丙烯酰胺为交联剂,甲苯为溶剂,在50℃时聚合得到选择性、吸附性最佳的印迹聚合物。     

铝电解电容器用新型宽温高压工作电解液

采用异癸二酸铵为主溶质,乙二醇和γ-丁内酯为复合溶剂,制备新型宽温(-40~105℃)、高压(400 V)铝电解电容器工作电解液,并检测了该电解液和用该电解液生产的电解电容器的性能。测试结果表明,该工作电解液25℃时电导率达到1.6 mS/cm,闪火电压为480 V,-40℃下未见晶体析出;CD 110/400 V铝电解电容器试样的漏电流≤10μA,损耗0.03,容量变化率只有-3%。经过105℃高温贮存250 h后各项电气性能不仅优于国家标准,而且能达到严格的企业标准。     

丙型肝炎病毒多表位基因核酸疫苗的构建及其免疫原性

目的构建丙型肝炎病毒(HCV)多表位基因的真核表达载体pcDNA3.1(-)-CtEm,用该重组质粒免疫BALB/c小鼠,并检测其免疫原性。方法用BamHⅠ和HindⅢ双酶切含有HCVC区、E2区模拟表位和NS3~NS5区细胞表位串联基因的原核表达载体pQE30-CtEm,克隆入真核表达载体pcDNA3.1(-),脂质体瞬时转染CHO细胞,并检测其表达。以100μg重组质粒免疫BALB/c小鼠,检测其体液免疫和细胞免疫效果。结果所构建的真核表达载体pcDNA3.1(-)-CtEm在CHO细胞中能获得有效表达。该质粒免疫小鼠后可诱导高水平的抗体,特异性淋巴细胞增殖反应、IFN-γ水平及CTL活性均明显高于空载体和生理盐水对照组。结论已成功构建HCV多表位基因的真核表达载体pcDNA3.1(-)-CtEm,免疫小鼠后可诱导特异性体液免疫和细胞免疫应答。     

工业化连续生产对(艹孟)烷的影响因素探讨

主要对工业化连续生产对烷的影响因素进行了研究,探讨了原料中重组分含量、反应温度、反应压力等不同条件对对烷的生成所产生的影响。通过试验确定了主要生产工艺参数为:原料中重组分含量不超过1.2%,反应温度185-200℃,反应压力9-11 MPa。     

负载型中孔分子筛催化剂的研究进展

本文对M41S中孔分子筛作载体的负载试剂的研究进展进行了综述，主要介绍了负载酸型、负载碱型和负载氧化型催化剂的研究现状，以及对其应用和发展前景作了总结和评述。     

电纺直写制备聚己内酯支架形貌及精度

作为一种新型的微纳制造技术，熔体直写电纺被广泛用于组织工程支架的可控制备,有序的纤维沉积是该领域应用的前提条件。对于支架成型精度的探究，本文使用生物可降解材料聚己内酯（PCL），采用自行设计的熔体电纺三维可控成型设备进行实验，考察了纤维间距对二维并行纤维沉积形貌及成型精度的影响，以及纺丝电压和网格大小对三维网格结构形貌及精度影响。结果表明，随着并行纤维设定距离的增大，纤维的沉积误差减小，并最终趋于平稳。对于三维网格结构，随电压的增加，最大沉积层数量先增大后减小，当纺丝电压为6kV时达到最大沉积层数15层。成型精度误差先减小后增大，当纺丝电压为7kV时，精度最高误差小于5%。随设定网格边长的增大，沉积层数不断增大。成型精度逐渐提高，当网格边长大于等于1.5mm时，沉积误差趋于稳定，并维持在5%左右。