太赫兹带状注器件

带状注是指束流截面近似为矩形或椭圆形的电子注,且具有大的宽高比。相对于传统的圆形注,带状注具有很多优点,例如大电流和大互作用面积等。由于太赫兹波具有高频率、宽频带、高传输速率等优点,因此太赫兹科学与技术近年来发展迅速。作为一种新型的真空电子器件,太赫兹带状注器件在高功率、高增益、高效率及小型化方面具有良好的技术优势。但是,带状注在传输过程中易出现Diocotron不稳定性,难以保持长距离稳定的聚焦传输,从而导致带状注的技术优势难以发挥。本文综述了带状注的产生成形方式和聚焦传输方法,以及太赫兹带状注器件的研究进展,同时讨论了它所面临的挑战和未来的发展方向。     

基于贝叶斯压缩感知的子空间拟合离格DOA估计

针对传统的基于稀疏贝叶斯学习（Sparse Bayesian Learning,SBL）的波达方向估计算法对噪声鲁棒性不高的问题,提出了一种基于SBL的子空间拟合离格波达方向(Direction of Arrival,DOA)估计方法。首先对接收数据的协方差矩阵进行特征分解,获得信号的加权子空间,构造等价信号的稀疏表示模型并利用贝叶斯学习算法进行参数求解。同时对于网格划分带来的建模误差问题,采用了离格贝叶斯推导（Sparse Bayesian Inference,SBI）算法进行求解,利用期望最大化算法迭代更新相应的参数。仿真结果表明,相对于传统的DOA方法,该方法具有更好的估计精度。     

SiGe HBT单粒子效应关键影响因素数值仿真

针对锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT),采用半导体三维器件数值仿真工具,建立单粒子效应三维损伤模型,研究SiGe HBT单粒子效应的损伤机理,以及空间极端环境与器件不同工作模式耦合作用下的单粒子效应关键影响因素。分析比较不同条件下离子入射器件后,各端口瞬态电流的变化情况,仿真实验结果表明,不同工作电压下,器件处于不同极端温度、不同离子辐射环境,其单粒子瞬态的损伤程度有所不同,这与器件内部在不同环境下的载流子电离情况有关。     

3- 中红外偏振无关且CMOS兼容的石墨烯调制器

文章提出了一种3 中红外波段偏振无关且CMOS兼容的石墨烯调制器,器件主要包括两部分：模式转换结构及石墨烯调制器。该调制器不仅满足于CMOS兼容的要求,而且能够实现基膜的偏振无关调制。仿真结果表明该调制器在2.95 到3.05 的中红外波段能够实现高于20 dB的消光比,TE和TM模式的插入损耗都低于1.3 dB,其偏振相关损耗低于1.09 dB。通过计算,当器件长度为420 ,能够获得高达9.47 GHz的3 dB带宽。     

认知干扰决策关键技术研究综述

电子战是当代信息化战争的开端,战场多时空、多维域的信息掌控权决定着战争的胜负.信息化战场的决策问题不同于传统作战指挥问题,由于战场环境的复杂性、信息的多样性、装备的信息化,干扰决策问题的研究愈加重要.目前,人工智能领域的快速发展,认知无线电、认知电子战的概念相继被提出.在基于现有研究成果的基础上,介绍了认知干扰决策理论,并梳理了国内外的相关文献,主要从认知干扰决策涉及的3个方面(状态识别预测、参量控制、资源调度)出发,归纳了常用的理论方法及其存在的不足,最后对未来雷达认知干扰决策的前景予以展望.     

Ba_2Ti_9O_(20)基微波介质陶瓷的微观组织与微波介电性能

采用固相合成法,通过控制烧结温度和烧结时间,成功制备了单相Ba2Ti9O20基微波介质陶瓷。采用XRD、SEM研究了Ba2Ti9O20基微波介质陶瓷的物相组成和微观结构,采用平行板谐振法测试了Ba2Ti9O20基微波介质陶瓷的微波介电性能。结果表明,单相Ba2Ti9O20微波介质陶瓷具有均匀一致的等轴晶,过高或过低的烧结温度将导致柱状BaTi4O9晶出现。1 360℃烧结4.5 h制备的Ba2Ti9O20基微波介质陶瓷介电性能为:?r=39.53,Q?f=33 800 GHz,τf=1.68×10–6/℃。     

热场致发射电子源曝光系统的技术现状和应用前景

高亮度、长寿命的热场致发射(Thermal field emitter)阴极自七十年代中期已受到人们的关注和重视,历经十多年在理论分析、工艺制备和实验研究上做了大量工作之后,于1988年在电子束曝光机上的应用中取得了突破性进展。用晶向为(100)的钨和具有低逸出功的锆制成的(Zr/O/W)热场致发射阴极在四千小时的使用寿命下亮度值超过六硼化镧阴极一个数量级以上,最近的实验结果表明:在工件台上小束斑下能得到接近两千安培每平方厘米的束流密度,而且四十小时内束流稳定度接近千分之一。显然,这几个表征曝光系统综合技术性能的重要指标,说明多年困扰于各种电子束曝光系统(特别是高斯圆斑电子束系统)在高分辨率情况下生产率较低的技术难题已经得到了比较圆满的解决。 八十年代末期,当热场致发射电子源曝光系统的技术关键解决后,这项技术就成为技术发达国家,特别是美国和日本,在电子束曝光领域进行技术竞争的热点;九一年五月底在美国召开的国际三束会议上有关场致发射阴极和MEBES—4型机已经采用TFE的最新报道充分证实了这项技术在电子束曝光技术应用中的重要地位和发展潜力。     

黏度可控凝胶体系注入参数优化

大庆油田聚合物驱后优势渗流通道发育,窜流严重,有效开采难度大。为保持油田持续有效开发,确立了调、堵、驱结合的技术研究。针对调堵需求,研制出一种黏度可控凝胶体系,该体系初始黏度小于20 mPa·s,10~40 d黏度小于300 mPa·s,成胶黏度2 500 mPa·s以上。根据聚合物驱后的取心井资料设计物理模型,利用正交试验设计法确定的最佳注入量为0.10 PV,注入浓度为1 000 mg/L,注入速度为0.6 mL/min.应用表明,高渗透层分流率由聚合物驱后后续水驱的66.9%降为0.7%,中渗透层分流率由33.0%升至85.0%,低渗透层分流率由0.1%升至14.3%,该体系对中、低渗透层污染小,对高渗透层有效封堵,可以满足现场需求。     

孟加拉湾浅层气成藏条件及地震识别技术

为了有效识别和预测孟加拉湾浅层气的分布规律,在弄清浅层气的成因、特点、油气成藏条件（浅层气类型、生储盖等）的基础上,通过对某三维地震资料解释,分析浅层气地震响应特征,明确浅层气的地震识别方法。结果表明,孟加拉湾浅层气为深水沉积中自生自储的构造-岩性复合型气藏,具有亮点、相位反转和低频等3种典型地震反射特征。在三维工区应用地震亮点技术、远近道振幅比较法、相位属性、频率属性、叠前AVO等技术方法进行了浅层气识别,预测成果与钻井结果吻合较好,为快速高效识别浅层气提供了技术依据。     

一种宽带高效包络跟踪放大器的设计

为了高效处理宽带非恒包络信号,利用宽带包络信号功率主要集中在低频部分的特性,结合线性放大器和开关类放大器的优势,设计了一个宽带包络跟踪放大器。该放大器由一个宽带线性级和一个受线性级控制的高效开关级组成。线性级采用折叠式共源共栅放大器结构,具有AB类输出级及输出级缓冲;开关级采用同步降压型DC-DC变换器结构,包含驱动电路及“防直通”模块。整个电路采用Jazz 0.18 μm BiCMOS工艺进行设计仿真,结果表明,在3.3 V电源电压下,线性级单位增益带宽约为50 MHz,可驱动300 mA电流,具有188 V/μs的摆率,包络跟踪放大器可跟踪包络信号幅度和带宽的瞬时变化,改变开关导通比以及开关频率。