全文获取类型
收费全文 | 291571篇 |
免费 | 23427篇 |
国内免费 | 12772篇 |
专业分类
电工技术 | 16367篇 |
技术理论 | 25篇 |
综合类 | 20716篇 |
化学工业 | 48296篇 |
金属工艺 | 16687篇 |
机械仪表 | 18695篇 |
建筑科学 | 21991篇 |
矿业工程 | 8917篇 |
能源动力 | 8164篇 |
轻工业 | 19249篇 |
水利工程 | 4959篇 |
石油天然气 | 18799篇 |
武器工业 | 2155篇 |
无线电 | 32678篇 |
一般工业技术 | 33713篇 |
冶金工业 | 15295篇 |
原子能技术 | 3170篇 |
自动化技术 | 37894篇 |
出版年
2024年 | 955篇 |
2023年 | 4198篇 |
2022年 | 7160篇 |
2021年 | 10739篇 |
2020年 | 8294篇 |
2019年 | 7063篇 |
2018年 | 7928篇 |
2017年 | 8925篇 |
2016年 | 8181篇 |
2015年 | 10984篇 |
2014年 | 14252篇 |
2013年 | 16950篇 |
2012年 | 18645篇 |
2011年 | 20238篇 |
2010年 | 18021篇 |
2009年 | 17220篇 |
2008年 | 16927篇 |
2007年 | 16219篇 |
2006年 | 16611篇 |
2005年 | 14331篇 |
2004年 | 10269篇 |
2003年 | 8936篇 |
2002年 | 8735篇 |
2001年 | 7743篇 |
2000年 | 7348篇 |
1999年 | 7727篇 |
1998年 | 6252篇 |
1997年 | 5133篇 |
1996年 | 4791篇 |
1995年 | 4038篇 |
1994年 | 3188篇 |
1993年 | 2249篇 |
1992年 | 1759篇 |
1991年 | 1395篇 |
1990年 | 1081篇 |
1989年 | 827篇 |
1988年 | 625篇 |
1987年 | 396篇 |
1986年 | 295篇 |
1985年 | 236篇 |
1984年 | 165篇 |
1983年 | 128篇 |
1982年 | 135篇 |
1981年 | 116篇 |
1980年 | 86篇 |
1979年 | 50篇 |
1978年 | 34篇 |
1977年 | 32篇 |
1976年 | 50篇 |
1974年 | 17篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
971.
972.
采用二甲苯为溶剂,将不同乙烯含量(5% ̄15%质量)的抗冲聚丙烯用特定程序进行分级,将各样品分为室温下可溶于甲苯和不可溶于甲苯的两部分。使用^13C-NMR方法和FT-IR方法对各组分进行表征,明确了乙烯链段在聚丙烯链上的分布,并在此基础上提出了产生这种链结构的聚合工艺的特点。 相似文献
973.
在对列管进行堵管时 ,如果堵头形状和加工尺寸不合理 ,焊接工艺不当 ,在焊缝处极易出现气孔、裂纹等现象 ,在仰焊时还易出现夹渣现象 ,造成新的泄漏。因此 ,管板现场堵漏时要注意以下几点 :1 )焊接材料的选择由于现场管板堵漏时列管内介质很难清除干净 ,特别是列管内存在少量水 相似文献
974.
975.
976.
977.
对选矿废水综合利用的探讨 总被引:4,自引:0,他引:4
通过对金堆城钼业公司选矿废水再用于选矿作业的选矿试验,证明选矿废水循环利用是可行的,既提高了选矿浓度,又减少了对环境的污染,经济和社会效益显著。 相似文献
978.
979.
双环戊二烯聚合反应热力学和动力学研究 总被引:1,自引:1,他引:0
研究了DCPD-WOCl4-AlEt3体系前阶段的反应动力学,采用GC法分析了不同反应条件下的动力学数据,发现lg([DCPD]0/[DCPD]) ̄t存在线性关系,说明该体系在前段的聚合反应为一链式反应符合二级反应模型。同时还对该体系聚合反应热力学也进行了研究;对聚合反应的ΔHp、ΔSp、ΔGp进行了讨论。 相似文献
980.
Chao-Chi Hong Jenn-Gwo Hwu 《Electron Device Letters, IEEE》2003,24(6):408-410
The current-voltage (I-V) characteristics of metal-oxide-semiconductor tunneling diodes distributed over a 3-in Si wafer were analyzed to investigate the stress distribution on the wafer. Generally, the substrate injection saturation current (J/sub sat/) decreases as the gate injection leakage current (J/sub g/) increases, the latter being dominated by oxide thickness via a trap related mechanism. A universal curve to fit all analyzed data was found and it is suggested that devices with extremely high (low) J/sub sat/ at a given J/sub g/ should be located in areas of the silicon lattice with relatively high external compressive (tensile) stress because of the stress-induced bandgap variation effect. The mapped locations of the highly stressed devices on a 3-in [100] Si wafer correspond to the patterns of slips caused by thermal stress during rapid thermal processing, as described in previous reports. 相似文献