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101.
102.
蒙特卡罗方法在空间辐射制冷器理论分析及热设计计算中的应用 总被引:1,自引:1,他引:0
介绍了二级抛物面型辐射制冷器的热物理模型及用蒙特卡罗方法数值模拟解决其热流理论和辐射热耦合表面(漫发射、镜反射)辐射热交换的处理方法。 相似文献
103.
本文描述了Solaris2.X操作系统上网络文件系统NFS的特性及其环境配置,介绍了如何建立了NFS服务器和NFS客户机,从而实现了远程文件系统资源共享。 相似文献
104.
Xue Weichen Lu Zhitao 《常州工学院学报》1993,(2)
本文提出了部分预应力砼构件基于两类极限状态直接控制的设计方法,并给出了具体的设计公式和设计步骤。同时,还对预应力砼超静定结构中的部分预应力砼构件的设计方法进行了说明。本文方法基本属一次性设计且具有较为经济的特点。 相似文献
105.
本文针对我国机床工具产品色彩设计的现状,结合具体实例,对色彩造型的实质做了初步的探讨。分析了色彩造型和色彩装饰两种设计观和实践效果;以色彩与形状关系及作用的论证为引,论述色彩造型的三大功能作用。并提出可供机床工具产品色彩设计参考的具体设计方法和手段。 相似文献
106.
Woolard D.L. Buot F.A. Rhodes D.L. Xiaojia Lu Perlman B.S. 《Electron Devices, IEEE Transactions on》1996,43(2):332-341
The intrinsically fast process of resonant tunneling through double barrier heterostructures along with the existence of negative differential resistance in the current-voltage characteristic of these structures has led to their implementation as sources for high frequency electromagnetic energy. While sources based upon resonant tunneling diodes (RTDs) have produced frequency of oscillations up to 712 GHz, only microwatt levels of performance has been achieved above 100 GHz. Since stability criteria plays critical role in determining the deliverable power of any oscillator, a physically accurate equivalent-circuit model for the RTD is extremely important for optimizing the dynamics of the device-cavity package. This study identifies a distinctly new equivalent circuit model for characterizing the modes of oscillation in RTD-based sources. Specifically, in order to exhibit the fundamental self-oscillations and the overall I-V characteristics (plateau structure and hysteresis) observed experimentally, an accurate circuit model of the RTD must incorporate: (i) a quantum-well inductance which directly chokes the nonlinear conductance and, (ii) a nonlinear access resistance, associated with the accumulation of charge in the injection region of the double barriers, with a nonlocal dependence on the bias across the double barrier structure 相似文献
107.
A new theory is developed in this paper to explain the collapse of current gain in multi-finger power AlGaAs/GaAs Heterojunction Bipolar Transistors (HBT's). The reasons behind this unwanted phenomenon are fully clarified using a simple model to investigate the thermo-electrical interaction between the fingers. The existence of multi-value equilibrium points in model's constitutive equations is shown to be the necessary condition for the collapse of current gain to appear. For a N-finger device, N different patterns of collapse exist. The criterion to select the global stable pattern is given. The method has been used to predict the collapse in AlGaAs/GaAs HBT's and the agreement is excellent. The method also predicts that the collapse can happen far earlier than is normally expected in multi-finger high-power devices. The influence of ballasting resistance and thermal resistance is also investigated 相似文献
108.
109.
新的钢铁工业结构与铁矿资源条件的能源优化模型研究 总被引:1,自引:0,他引:1
发展我国钢铁工业,资源和能源已经成为两个重要的制约因素。到本世纪末,我国钢产量达1.2亿t,所需资源必须有部分进口。本文论述了新的钢铁企业模型结构及采用部分进口废钢和铁矿石的能源优化问题。 相似文献
110.
相转移催化合成芳基烷基醚 总被引:7,自引:0,他引:7
报道了以四丁基溴化铵为相转移催化剂,简便地合成了10个芳基烷基醚,反应几乎是定量地快速进行。 相似文献