单片机控制泄漏电流测试仪

以8031单片机为核心的泄漏电流测试仪的硬件结构和软件设计。     

抗氧剂于有机PTC热敏导电材料性能的稳定作用研究

探讨了抗氧剂在聚乙烯 乙烯 醋酸乙烯酯共聚物 炭黑 (PE EVA CB)体系中的作用。结果表明 ,在体系中加入抗氧剂可以提高材料体系的结构稳定性 ,从而可以在一定程度上改善材料的热电稳定性。当在体系中加入 2 .0 %(w)的抗氧剂时可收到良好效果。     

智能磁流变(RM)阻尼器的实验研究

磁流变 (MR)液是一种新型的智能材料 ,而MR阻尼器具有在外加电流作用下快速可逆地改变阻尼特性的特点。本文针对所作的MR阻尼器实验研究 ,介绍了实验过程及相关数据 ,并对其进行了分析。实验表明 :MR阻尼器具有良好的阻尼可控制特性 ,是结构消能减振控制的理想元件。     

熔融挤出插层法制备纳米粘土聚合物研究进展

提出了纳米粘土聚合物的新概念，概述了熔融法制备纳米粘土聚合物的发展现状，重点对近年来熔融挤出插层法制备纳米粘土聚合物的研究进行了归纳。并对纳米粘土聚合物的应用进行总结和展望。     

新型长余辉稀土发光材料发光特性探讨

本文对新型长余辉稀土发光材料在不同照度 ,不同激发时间等多种条件下的发光特性进行了检测 ,并对检测结果进行了分析讨论。     

海水介质中高活性镁合金负极的电化学性能

研制了一种新型镁合金负极材料；用电化学方法测定了镁合金负极在人造海水介质中的电化学性能，用浸泡法测定了材料在人造海水介质中的自腐蚀速度，用扫描电子显微镜观察了镁合金腐蚀后的表面形貌，并与AP65合金和纯镁进行了比较。结果表明，新研制的镁合金在人造海水介质中的开路电位增加，自腐蚀速度降低，稳定工作电位提高，电极表面腐蚀均匀，可开发用于高电性能电池的负极材料。     

EGS程序图形化输入平台的开发

为了使EGS能够更加方便地被工程人员使用，使用VC^ 语言开发出一套运行于Windows下的EGSWIN程序，其中包括一个图形化的输入平台，通过使用本程序，用户可以仅仅进行简单而直观的输入几何实体的工作，就可以实现区域的定义。极大的提高了EGS的使用效率。     

m,m′-二氨基二苯酮与均苯四酸二酐的微波辐射聚合

研究 m,m′-二氨基二苯酮 (m,m′- DABP)与均苯四酸二酐 (PMDA)的缩聚及亚酰化 ,并运用微波辐射和常规加热两种方式对反应进行了比较。考察了微波辐射时间 (功率 )、单体浓度、单体配比和温度等因素对缩聚物的特性粘数、转化率的影响。用红外光谱对亚酰化度进行了表征 ,并用简并四波混频技术首次测量了该缩聚物的三阶光学非线性极化率系数及其响应时间。实验结果表明 ,微波辐射对提高聚合物的特性粘数和转化率都有显著作用 ;合成的缩聚物具有较大的三阶光学非线性极化率系数 (聚酰亚胺的 χ(3) =1.642× 10 -13 esu)和较快的时间响应 (19ps     

The Effect of the Charge Fluctuation of Dust Parti-cles on Ion-acoustic Wave Excited Through Ionization Instability

The effect of the charge fluctuation of dust particles on ion acoustic wave (IAW) excited through ionization instability was investigated. The hydrodynamic equations and linear time-dependent perturbation theory served as the starting point of theory, by which the dispersion relation and growth rate of the IAW were given. By comparing the results with the case of constant dust charges, it was found that the charge fluctuation of dust particles reduces the instability of the wave mode.     

包气带中不同示踪源层条件下核素迁移对比试验

为研究不同示踪源层材料对水份运移和核素迁移的影响，开展了以石英砂和黄土分别为示踪源层载体时Sr、Nd、Ce在包气带中迁移的对比试验。试验历时470d，在两种源层条件下各取土芯样4次。试验结果表明：在喷淋强度为5mm/h、3h/d条件下，Nd和Ce无论在石英砂示踪源层还是黄土示踪源层中浓度峰位均没有明显向下迁移；对于Sr，在黄土示踪源层中，470d后其峰位向下迁移约15cm(按质心计算为10cm左右)，而从石英砂示踪源层中向下迁移不明显（按质心计算，迁移约2.7cm），只是峰位有些展宽。上述结果表明，极薄（7mm）的细石英砂层也能对非饱和入渗水产生明显屏流作用，使得核素从石英砂示踪源层中向下迁移速度减慢。