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71.
和其他市场相比,信息安全市场比较特殊,即市场需求是派生需求,市场供给具有沉没成本高、扩散风险较大和供给动机多样化等特征。这些特征决定了信息安全市场发展的需求动力和供给动力,也决定了信息安全市场发展的制约因素。为此,应加大专利保护力度,明晰安全责任和加快制定政府规制和行业标准等措施,来推动信息安全市场的发展。  相似文献   
72.
一种激光导引头角跟踪回路的建模与仿真   总被引:1,自引:0,他引:1  
讨论考虑激光探测非线性和脉冲重复频率等因素时,激光导引头角跟踪回路的数学模型,并在MATLAB下对该模型进行仿真。以满足导引头的性能指标为前提,优选系统结构参数,分析系统特性。  相似文献   
73.
潜艇鱼雷发射装置"卡管"事故故障树分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
“卡管”是鱼雷攻击和训练过程中出现的极为恶劣的事故,本文对导致事故的原因进行了分析。由于试验数据和训练数据有限,传统的故障树分析难以对“卡管”事故原因及出现概率做出准确评价。本文通过采用模糊故障树分析法,建立了该系统的模糊故障树,对事故概率及原因进行了定量及定性分析,为部队装备管理、人员管理和维修决策等工作提供理论依据。  相似文献   
74.
溢料问题是集成电路封装过程中常见的质量问题,如何减少溢料的发生和去除溢料方法是封装工程师、电镀工程师以及材料生产商和模具制造商共同探讨的课题。文章详细阐述了集成电路封装过程中常见的溢料发生机理,描述了溢料对组装的危害、如何防止溢料的发生以及溢料去除方法,并且对溢料去除方法的未来发展进行了展望。文中对溢料的发生机理方面进行了细致的研究,从材料、设备以及工艺方法等方面进行深入的解析,提出了有效的改善措施。另外,对业内溢料去除的几种方法进行介绍的同时,强调了各种溢料去除方法的效果及对产品质量的影响,并进行了有效评估。文章对溢料发生和去除方法的探讨是建立在理论基础之上,运用最细致的解析手段进行剖析,更具有指导意义,为提高集成电路封装良率以及组装良率提供理论支持。  相似文献   
75.
穆荣  焦继业 《现代电子技术》2009,32(14):95-97,100
提出一种无乘法器并可配置精度的YCbCr到RGB高性能视频解码电路.该电路采用加法和移位计算代替浮点乘法运算,以减少电路面积;电路内部采用流水线结构提高数据转换频率;根据功耗、面积、转换精度等不同的应用要求,可配置内部加法器和流水线寄存器位宽实现各种电路需求;支持YUV111,YUV421,YUV411等压缩图像格式转化.根据FPGA实验表明,用该硬件加速后的视频解码速度可提高10%~20%,同时保证图像的质量.  相似文献   
76.
对于三星编队干涉合成孔径雷达(SAR)地形测高,文中利用精确的Hill方程对卫星相对轨道和星间基线进行定量分析。首先,根据沿航向基线和垂直航向基线的约束确定三星编队,并同时干涉测高的工作区间;然后,根据喇叭波束宽度和三星的相对位置关系,正确切换相位同步喇叭,建立主星和两颗副星间相位同步链路,以获取两颗副星SAR成像所需的相位同步信息。其结论可为多星编队干涉SAR系统设计提供有益参考。  相似文献   
77.
选用合适的丙烯酸酯体系的聚合物制备了PDLC样品,光电测试曲线表明其驱动电压可以低至25 V,改变聚合物中的稀释单体能够大幅降低PDLC的驱动电压.选用不同稀释单体的两种聚合物的介电常数及阻抗表明,聚合物的介电性能及阻抗为影响PDLC驱动电压的深层次原因,液晶的组分及PDLC的膜厚对PDLC的驱动电压也有一定影响.  相似文献   
78.
纳米薄膜的分类、特性、制备方法与应用   总被引:5,自引:0,他引:5  
介绍了纳米薄膜的分类以及纳米薄膜的光学、力学、电磁学与气敏特性;综述了现有的溶胶鄄凝胶法、LB鄄膜法、电化学沉积法、化学汽相沉积、低能团簇束沉积法、真空蒸发法、溅射沉积、分子与原子束外延、分子自组装等纳米薄膜制备技术;概括了纳米薄膜的应用。  相似文献   
79.
针对目前频谱监测系统的不足之处,给出了能够满足各地无线电管理部门需要的便携式、职能化、监测频谱范围宽的频谱监测系统的设计与实现方法.系统利用了动态库、VC操作Word以及并行处理的技术,重点针对低噪声放大器、驱动电机、天线控制器和干扰电平的计算进行了设计,系统能够完成频谱数据的采集、天线转动角度的采集、监测点地理信息的采集以及对采集的数据进行分析处理,最后自动生成监测报告.  相似文献   
80.
将光纤与微电子机械系统(MEMS)技术相结合,设计了一种新颖的检测50Hz高压交流电的光学电流传感器(OCS)。用ANSYS软件分析了器件的模态、动态响应与热膨胀特性,并通过Matlab软件模拟了器件的工作性能。模拟计算表明:ANSYS与理论公式得到的结果基本一致;传感器的量程为100~3600A,对于大电流下的灵敏度可达到0.02dB/A,温度变化±50K时传感器相应的测试误差为0.2%。  相似文献   
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