铲齿成形铣刀“成形”问题的探讨

分析了铲齿成形铣刀用钝重磨后铣刀廓形的变化情况 ,推导了铲磨成形铣刀重磨后的齿形计算公式 ,指出此类铣刀重磨后其设计廓形将发生变化 ,并提出用调整刀具前角的方法对齿形重磨误差予以补偿     

雾状油膜水滴冷却润滑车削试验研究

油膜水滴是使用冷空气、微量可自然降解油剂和少量水,经复合喷雾法形成可自然分解的、新型绿色切削液.与传统切削液相比,油膜水滴在保护环境,节省资源等方面有很大的优势.通过车削试验,比较和分析不同冷却润滑条件下刀具磨损和已加工表面质量,揭示出雾状油膜水滴绿色切削液的优越性.     

模糊度量空间中公共不动点定理及其在动态规划中的应用

在模糊度量空间建立一类新的涉及4个映象的Altman型映象的公共不动点定理, 所得结果改进和推广了一些已知结果。作为应用,本文还讨论了起源于动态规划的一类泛函方程组解的存在与唯一性。     

基于制造资源优化配置的复杂零件工艺分工规划研究

动态联盟企业中面向复杂零件的工艺分工规划问题是网络化制造中的一个关键问题。针对该问题，提出了逻辑制造单元的概念，通过它在工艺分工规划和制造资源之间建立联系，研究了基于逻辑制造单元的制造资源能力建模、逻辑加工路线设计，以及面向逻辑加工路线的制造资源优化配置。最后面向复杂零件的制造，进行了基于制造资源优化配置的工艺分工规划系统体系结构设计，并给出了工作流程。     

面向网络协同制造的制造服务优化选择研究

为了更好地实现网络制造环境下制造资源共享与优化配置,提出了协同制造链的概念;详细分析了协同制造链构建过程中的制造服务优化选择问题,建立了其数学模型;并进一步针对该问题,给出了一个制造服务评价指标体系;在此基础上,设计了一个基于模糊层次分析法的制造服务优化选择算法;最后,通过实例验证了该算法的有效性。     

扩展型制造物料清单视图构建及其演绎机制

为有效地满足生产中数据一致性、无冗余等需求,提出了一种新的扩展型制造物料清单视图,用以统一管理工艺部门和制造部门涉及的信息。在给出的物料清单视图定义的基础上,从结构、关联信息、属性三方面研究了扩展型制造物料清单视图的构建,并在关联信息类型划分的基础上将该视图划分为生产准备扩展型制造物料清单子视图和生产执行扩展型制造物料清单子视图,简要地阐述了两类视图的维护。从结构、关联信息、属性三方面研究了设计物料清单视图向生产准备扩展型制造物料清单子视图的演绎机制。最后,给出了在某工厂的应用实例。     

特殊结构液压缸的CAD设计

介绍了特殊结构液压缸的CAD系统的设计方法，探讨了如何利用ADS语言将数据库管理系统与AutoCAD绘图程序结合起来，从设计计算到绘图一体化的方法，开发出各种形式液压缸。     

基于模糊逻辑的高速公路微观换道行为

为深入研究高速公路微观换道行为的决策过程,提高高速公路换道模型的真实性和有效性,将任意换道行为分为向左侧换道行为和向右侧换道行为,引入驾驶员性格影响因子和车辆类型参数,基于模糊逻辑推理构建任意性换道行为模型;同时,为增强换道行为的动态效果,构建高速公路自由状态下车速控制模型和跟车行为模型.仿真结果显示该任意性换道模型具有较好的真实性和有效性,表明向左侧换道行为模型和向右侧换道行为模型能准确反映高速公路微观换道行为的决策过程.     

石墨改性聚全氟乙丙烯导热复合材料的性能

研究了新型耐腐蚀换热器的制作材料,旨在避免烟气余热回收时,因烟气温度低于其酸露点温度而产生的低温腐蚀.采用石墨填充聚全氟乙丙烯(fluorinated ethylene propylene,FEP),并添加一定量的碳纤维,制备出导热性能较好、抗冲击且耐腐蚀的石墨改性FEP导热材料.通过导热性能、力学性能及耐腐蚀性能研究,确定了适用于制作烟气余热回收系统中换热器的复合材料中石墨的填充质量分数.实验表明,石墨的质量分数越高,导热复合材料的热导率越大,但其拉伸强度、断裂伸长率和冲击强度会随着石墨填充质量分数升高逐渐降低.     

Elimination of Voids at Interface of <Emphasis Type="Italic">β</Emphasis>-SiC Films and Si Substrate by Laser CVD

Void-free β-SiC films were deposited on Si(001) substrates by laser chemical vapor deposition using hexamethyldisilane (HMDS) as the precursor. The effect of the time of introducing HMDS, i e, the substrate temperature when HMDS introduced (T_in), on the preferred orientation, surface microstructure and void was investigated. The orientation of the deposited SiC films changed from <001> to random to <111> with increasing T_in. The surface showed a layer-by-layer microstructure with voids above T_in ? 773 K, and then transformed into mosaic structure without voids at T_in= 298 K. The mechanism of the elimination of voids was discussed. At T_in =298 K, Si surface can be covered by an ultrathin SiC film, which inhibits the out-diffusion of Si atoms from substrate and prohibites the formation of the voids.