具有缺失数据的2个几布总体的估计和检验

讨论了具有缺失数据的2个几何分布总体的参数极大似然估计,利用Slutsky定理证明它的强相合性和渐近正态性.给出了总体参数的检验统计量,并讨论了基于精确分布的检验问题.     

施磷量对烤烟几种生理生化物质含量、赤星病发生及烟叶产质量的影响

以当地生产推荐施磷量为对照,通过田间试验研究了低磷和高磷对烤烟打顶时(即赤星病发病初期)健康烟株烟叶中类黄酮、总酚、町溶性糖和游离性氨基酸4种生理牛化物质含量、后期赤星病发病情况以及烟叶产质量的影响.结果表明,打顶时烟叶中类黄酮、总酚和可溶性精的含量随施磷量增加而下降,其中高磷和低磷两处理间差异显著;而烟叶中游离性氨基酸的含量则以中等施磷量处理(当地推荐施磷量)显著大于低磷和高磷两处理.不同时期的赤星病发病率均呈现出随施磷量增加而增加,病情加重的趋势.烤后烟叶产量、产值在不同施磷量处理间差异不明显,但以低磷处理略微稍高;同时低磷处理烟叶两糖差相对较好,但糖碱比相对偏低.建议生产中的磷肥施用量应适当下调,以略高于低磷处理用量为宜.     

克洛诺菌属(原阪崎肠杆菌)溯源数据库的建立

目的建立克洛诺菌属溯源分析数据库。方法应用BioNumerics软件,建立包括克洛诺菌属生物分型、抗生素敏感性、脉冲场凝胶电泳分型、核糖体分型、16SrDNA全序列分析等方法的溯源分析数据库。结果应用BioNumerics软件可以建立比较完整的克洛诺菌属溯源数据库,并可对所研究菌株进行系统分析,以及对各种分型方法进行比对分析。结论利用该数据库的技术基础和不断完善的数据信息,可以及时有效地比较不同地域克洛诺菌属分离株的相似性,并估计种群内部变异程度等,为克洛诺菌属食源性疾病的散发、暴发事件及常规监测中的追踪和溯源等提供有效的科学研究资料。     

纺粘法非织造布双狭缝正压牵伸器应用分析

概述了纺粘法非织造布牵伸器的分类,介绍了双狭缝正压气流牵伸器的设计制造,说明了其使用优势及维护保养。     

磷矿选矿技术集成创新探讨

利用和集成先进技术,创新磷矿选矿设备与工艺,是降低选矿成本的有效方式。介绍球磨机主轴承运用滚动轴承并采用智能控制系统,使用电子水处理器有效利用低位热能以及浮选柱替代浮选机等先进技术,可取得节省投资、节能降耗、显著降低选矿成本的良好效果,     

文氏管除尘器在氯化聚乙烯除尘中的应用

介绍了氯化聚乙烯生产过程中粉尘的产生以及文氏管除尘器在粉尘治理过程中的应用。并对文氏管除尘器的工艺流程、主要设备系统改进等方面进行了介绍。     

可再分散乳胶粉干粉乳胶涂料的制备与性能

将丙烯酸酯可再分散乳胶粉同无机颜填料、纤维素醚、粉状消泡剂和分散剂混合均匀,制备环保型干粉乳胶涂料,加入适量水分散均匀后即可使用。考察可再分散乳胶粉、纤维素醚、粉状消泡剂对涂料成膜性、施工性、耐水及耐洗刷性等性能的影响。实验结果表明,w(可再分散乳胶粉)=30%～35%,w(纤维素醚)=0.6%,w(粉状消泡剂)=0.8%时,干粉乳胶涂料具有良好的成膜性,施工容易,吸水率为6.5%,耐擦洗次数在1400次以上,未检测出VOC(可挥发性有机物)及有毒物质,环保优势明显。     

雾化盘转速对制备可再分散丙烯酸酯乳胶粉的影响

采用喷雾干燥法制备丙烯酸酯可再分散乳胶粉,探讨了雾化转盘的转速对制备丙烯酸酯可再分散乳胶粉及其性能的影响.结果表明,雾化转盘的转速对乳胶粉的外观、含水率、分散性及成膜性能有较大的影响.随着雾化转盘转速升高,乳胶粉粒径减小,含水率降低,再分散性及其分散稳定性提高,成膜性能提高.在雾化转盘转速为24000 r/min、干燥室进口温度为130℃、进料速度60 g/min条件下,可制备综合性能优良的可再分散丙烯酸酯乳胶粉.     

消能偏心支撑结构中粘弹性阻尼器的参数优化

通过对粘弹性阻尼器的性能与特点以及消能支撑计算模型的分析,建立了粘弹性阻尼器参数优化的计算模型:以粘弹性阻尼材料的储存剪切模量为设计变量;以各层最大层间位移的最大值的控制率和各层耗能梁段最大梁端弯矩的最大值的控制率为约束条件;在考虑结构在罕遇地震下的地震反应以及结构的经济效益的目标下,建立了优化设计的目标函数.文中以设置粘弹性阻尼偏心支撑的五层平面钢框架为例,使用ANSYS软件中的优化设计模块,通过APDL语言编制优化设计程序,建立了参数优化模型,并对该问题进行了优化设计分析;并对偏心支撑结构和消能偏心支撑结构进行了罕遇地震下的时程分析.计算结果表明:ANSYS软件中的优化设计方法稳定可行;消能偏心支撑可以有效地降低结构的地震反应,对顶层位移的最大减小量可达44.96%;耗能梁段梁端弯矩的最大耗能效果达到37.4%,这样可以延缓耗能梁段的屈服时间,从而可以有效地保证结构的整体稳定.     

ZnO-Bi_2O_3系压敏陶瓷晶界对残压的影响

ZnO压敏陶瓷残压的高低决定了MOA的保护水平,针对残压的形成机制尚不清楚,测量了传统工艺制备的ZnO-Bi2O3系压敏陶瓷的小电流区、大电流区及部分中电流区的伏安特性,通过对中电流区和大电流区伏安特性的数据拟合发现,中电流区晶界电压降与电流密度之间符合隧道电流导电机制,且当进入大电流区时该晶界击穿电压最终达到一稳定值。计算表明,晶界击穿电压所引起的残压占总残压的90%左右,因此降低残压应主要考虑降低晶界上的击穿电压。