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利用直流磁控溅射系统在p型SiCGe和载玻片衬底上沉积ITO薄膜,并研究其ITO与p型SiCGe的接触特性与p型SiCGe制备条件、退火温度、退火时间的关系.结果表明:p型SiCGe制备条件的不同影响着退火使ITO/p型SiCGe的接触由线性变为非线性或者由非线性变为线性;随着退火温度的增加,接触电阻先减小后增加,这是由于退火过程中,接触界面层发生了反应以及接触势垒高度与宽度发生了变化造成的.当退火温度为500℃时,其接触电阻达到最小值,此时ITO薄膜的最高透过率高达90%,方块电阻为20.6Ω/□. 相似文献
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YoungGun Pu AnSoo Park Joon‐Sung Park Yeon‐Kug Moon SuKi Kim Kang‐Yoon Lee 《ETRI Journal》2011,33(2):201-209
This paper presents a wide‐band fine‐resolution digitally controlled oscillator (DCO) with an active inductor using an automatic three‐step coarse and gain tuning loop. To control the frequency of the DCO, the transconductance of the active inductor is tuned digitally. To cover the wide tuning range, a three‐step coarse tuning scheme is used. In addition, the DCO gain needs to be calibrated digitally to compensate for gain variations. The DCO tuning range is 58% at 2.4 GHz, and the power consumption is 6.6 mW from a 1.2 V supply voltage. An effective frequency resolution is 0.14 kHz. The phase noise of the DCO output at 2.4 GHz is –120.67 dBc/Hz at 1 MHz offset. 相似文献
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利用岩石力学和断裂力学的基础理论,阐述在动态加载下地层岩石强度随加载率的增大而不断变化的理论研究,并给出理论计算表达式.实验数据表明,在冲击载荷作用下,岩石强度会随冲击频率的加大而加大,当载荷速度由准静态增加到105Mpa/s时,岩样的抗压强度要比静态时的大1.65倍左右.这与理论计算数据比较接近,符合相同的变化规律,在此基础上,结合有关火药学理论知识,得出高能气体压裂施工中火药量的有效控制范围.研究结果表明,使用该计算结果能够非常有效的提高高能气体压裂的施工效果. 相似文献
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固定化酵母薯干原料酒精发酵中试研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文论述了固定化酵母薯干原料带渣酒精发酵的中试结果。中试生物反应器容积为1000L,采用改性海藻酸钙凝胶为固定化酵母细胞的载体。中试研究中设计了较合理的中试工艺流程,优选出较佳的发酵条件,并考察了生物反应器的性能。试验获得了如下结果:中试装置已运转192天,固定化酵母仍保持高活力,并可继续运转;发酵成熟醪酒精含量达6.5~8.0%(v),它比同期传统式酒精发酵高出0.3~0.4%;淀粉利用率达91~92%;固定化酵母生物反应器的乙醇生产能力为9.5KgEtOH/M ̄3·h,它可比传统式发酵罐的生产能力提高10~12倍。 相似文献
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A sample fiber Bragg grating(SFBG) with Gaussian apodization profile is designed and optimized for the narrowband wavelength filter,and the relevant conclusions provide a guide for the further filter fabrication.With the grating length limited,a narrowband(5 GHz) grating filter used in the radio over fiber(ROF) system is fabricated,which has insertion loss of 3.463 dB,sideband suppression of 24.21dB,3 dB bandwidth of 40 pm,and 20 dB bandwidth of 106.3 pm. 相似文献
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Pang Lei Pu Yan Liu Xinyu Wang Liang Li Chengzhan Liu Jian Zheng Yingkui Wei Ke 《半导体学报》2009,30(5):054001-054001-4
For a further improvement of the noise performance in AlGaN/GaN HEMTs, reducing the relatively high gate leakage current is a key issue. In this paper, an experiment was carried out to demonstrate that one method during the device fabrication process can lower the noise. Two samples were treated differently after gate recess etching: one sample was annealed before metal deposition and the other sample was left as it is. From a comparison of their Ig-Vg characteristics, a conclusion could be drawn that the annealing can effectively reduce the gate leakage current. The etching plasma-induced damage removal or reduction after annealing is considered to be the main factor responsible for it. Evidence is given to prove that annealing can increase the Schottky barrier height. A noise model was used to verify that the annealing of the gate recess before the metal deposition is really effective to improve the noise performance of AlGaN/GaN HEMTs. 相似文献