一种半导体桥火工品抗静电技术

为提高半导体桥火工品脚壳间的抗静电能力,利用瞬态抑制二极管(TVS)的瞬态电压抑制特性对半导体桥火工品脚壳之间的静电放电进行保护。静电放电试验表明:在静电加载时,大部分的电流从TVS通过,半导体桥火工品未发火,说明TVS能有效地对半导体桥火工品脚壳间起静电防护作用。     

Research on SINS Error Recursive Model of Ballistic Missile

The strap-down inertial navigation system (SINS) error of ballistic missile is generated by the mutual influence of gyroscope and accelerometer, and the recursive model is completely different from that of gimbaled INS. In the paper, a discrete error recursive model was obtained by studying the applied SINS error model of ballistic missile, and the discrete Kalman filtering simulation based on the model was carried out. The simulated results show that the model can depict the SINS error exactly and provide the advantages for research on integrated guidance and improved hit accuracy.     

接口控制文件仿真方法研究

针对装甲车辆复杂的电子信息系统的接口控制文件,若要建立其整个系统的仿真模型,不但周期长,而且分工建立起来的各个模型由于思想方案的不同,会给仿真过程带来很多麻烦,因此采用一种根据接口控制文件自动建立其UML系统模型的方法,通过将自动生成的模型联合详细设计模型一起下载到主仿真机,并联合其它相关工具来完成ICD的自动仿真.结果表明该方法是可行的,不仅很好地解决了仿真过程中ICD数据修改后模型需要重新建立的问题,而且实现了ICD仿真的自动化.     

小当量双层爆炸容器的研制

给出了一种可以减轻质量、减小成本的单次使用的双层爆炸容器结构形式,以一台2 kgTNT当量双层爆炸容器为对象,根据爆炸力学理论对其进行了设计分析。对该容器进行了动态测试,测试结果表明,该容器设计满足安全要求。     

重型装备车辆汽-10桥通过性评定研究

对重型装备车辆的汽-10公路桥梁通过性的评定方法进行了研究,在试验测量车辆轴距、轴荷的基础上,采用三角形等代荷载方法计算其汽-10桥通过性,给出了可信的评定结果,取得了较好效果,对重型装备车辆的公路桥梁通过性评定具有一定的参考意义.     

冷却结晶法制备不敏感RDX研究

考察了RDX在不同溶剂中的冷却结晶行为,环己酮作为溶剂时得到的晶体品质最高。对RDX在环己酮中冷却结晶过程的研究结果表明,搅拌速率主要影响粒度及其分布,降温速率则决定晶体缺陷数量及体积,搅拌速率为200~400 rpm,降温速率为0.05~0.2 K.min-1时,RDX特性落高最大可提高约70%。     

求解超高压筒形容器爆破压力的神经网络方法

将BP和RBF神经网络的理论和算法应用于预测超高压容器爆破压力的研究中。选用MATLAB神经网络工具箱建立预测爆破压力的神经网络模型,研究模型中影响爆破压力的主要参数,内外径比值和材料的强度极限,屈服极限,屈服强度与强度极限的比值;选用Faupel、Crossland和Bones等文献中的爆破实验数据对神经网络模型进行训练,用训练好的神经网络模型对爆破压力进行预测。预测结果表明,用BP和RBF神经网络方法建立的模型能够对超高压筒形容器的爆破压力进行较为准确的预测。     

电子束直写制作低效取样光栅

低效取样光栅是激光取样技术的一种重要元件 ,它可以看成离轴的二相位的菲涅耳波带板。基于菲涅耳波带板的形成原理 ,对取样光栅的变周期环带结构进行了理论分析 ,推导出取样光栅的透过率函数。并在此基础上 ,采用电子束直写加工光栅掩模 ,制作取样光栅。该方法与一般的光学全息方法相比 ,具有设计灵活、重复性好、适于大批量生产等优点。     

Asymmetric anode and cathode extraction structure fast recovery diode

This paper presents an asymmetric anode structure and cathode extraction fast and soft recovery diode.The device anode is partial-heavily doped and partial-lightly doped.The P+ region is introduced into the cathode.Firstly,the characteristics of the diode are simulated and analyzed.Secondly,the diode was fabricated and its characteristics were tested.The experimental results are in good agreement with the simulation results.The results show that,compared with the P-i-N diode,although the forward conduction characteristic of the diode is declined,the reverse recovery peak current is reduced by 47％,the reverse recovery time is shortened by 20％ and the softness factor is doubled.In addition,the breakdown voltage is increased by 10％.     

LTE上行DFT硬件加速器的设计

针对LTE上行链路离散傅里叶变换（DFT）预编码的多模式需求,提出了一种基于ASIC的 DFT硬件电路实现方案。采用基于WFTA算法的基4/2/5/3蝶形运算单元实现35种长度的DFT运算,采用二维缓存结构实现蝶形单元流水处理。在200 MHz时钟频率、SMIC 40 nm工艺条件下,硬件电路面积为0.87 mm2,功耗为12.5 mW。仿真与综合结果表明,文中设计的DFT硬件加速器具有运算速度快、存储资源占用少的优点,适合于LTE工程应用。