生长条件对KDP晶体中散射颗粒的影响

利用透射电子显微技术对不同条件下生长的KDP晶体中包裹物进行了观察并测量了其相应尺寸。结果表明，晶体中的生长缺陷、pH值、生长速度和杂质与KDP晶体散射颗粒的形态存在密切关系。     

驱动AM-OLED的2-a-Si:H TFT的设计与制作

a-Si：H／SiNx：H TFT在长时间栅偏应力作用下，会产生阈值电压漂移，这主要是由绝缘层电荷注入和有源层亚稳态产生而引起的。针对电荷注入现象，文章首先通过控制源气体SiH4和NH3流量的不同，利用PECVD制作了不同N／Si比（0．87～1．68）的氮化硅绝缘材料，对其进行了椭偏、红外和光电子散射能谱（EDS）测试。制作了不同的MIS结构电容，对其进行老化实验和C-V测试分析，结果表明稍富氮（N／Si比稍大于标准Si3N4的化学计量比1．33）的氮化硅做成的M1S样品在老化前后C-V曲线偏移不是很明显，表明其缺陷态密度相对较小，能够有效减小半导体／绝缘层界面间的电荷注入。设计了驱动OLED的2-a-Si：H TFT像素电路及其阵列版图，优化了电路中的几个关键参数，即T1的W／L=2．5、T2的W／L=25和存储电容Cs=0．8pF。运用7PEP生产工艺，制作了13cm（5．2in）的TFT阵列样品。对TFT进行I-V特性测试，其开态电流为10μA，开关比为10^6；对AMOLED显示屏样品进行了静态驱动下的亮度测试，其最高亮度为341cd／m^2。     

光刻技术及其新进展

介绍了用于制作半导体集成电路的光刻工艺的概念、分类及发展过程，阐述了当前光刻工艺的主流，并重点介绍了极紫外光刻、X射线光刻、电子束光刻、离子束光刻、纳米图形转印等下一代光刻技术的特点及其面临的挑战。     

俄气南供与天然气利用规划

介绍了俄气南供的供气方案，讨论了天然气的市场调查和价格的确定等问题。     

加工矿用液压支柱工艺设备的改进

通过对加工矿用液压支柱工艺设备润滑系统的综合分析,提出了用潜水电泵替代原机床配套的螺杆油泵构想。改造后,年节约资金5.9万元。     

以硅氧烷醇锂为催化剂的氟硅生胶的合成

介绍了单体三氟丙基甲基环三硅氧烷通过硅氧烷醇锂催化剂聚合成氟硅生胶,讨论了不同催化剂及其用量,原料中水分含量、不同乙烯基含量对氟硅生胶分子量的影响.     

10000m^3内浮顶油罐双浮动吸油装置设计

介绍了某油库扩建工程中10 000 m3内浮顶油罐双DN500浮动吸油装置的结构设计,并对内浮顶罐浮动吸油装置的浮力进行了优化配置,此经验对我国内浮顶油罐浮动吸油装置的设计和使用具有一定的指导意义.     

永久式防倒灌隔水采油工艺在长庆油田的应用

长庆油田存在严重的套管腐蚀损坏,采取的主要治理措施是隔水采油工艺技术。原有隔水采油工艺存在隔采周期短、检泵时水层倒灌污染油层、多次隔采后坐封难度大等问题,为此,试验应用了永久式防倒灌隔水采油工艺。现场试验、应用表明,该工艺具有隔采成功率高、隔采周期长等优点,能有效防止检泵时上部水层倒灌污染油层,具有很好的应用价值和推广前景。     

华能玉环电厂4×1 000 MW超超临界机组锅炉用钢

介绍了华能玉环电厂我国首台100 MW超超临界机组锅炉联箱与管道、水冷壁、过热器、再热器、省煤器等的钢材选用原则,简述了P92、P122、super304H、HR3C等新材料特点以及在国内电站建设中的应用情况。