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新型高k栅介质材料研究进展 总被引:5,自引:0,他引:5
随着半导体技术的不断发展,MOSFET(metal-oxide-semiconductor field effect transistor)的特征尺寸不断缩小,栅介质等效氧化物厚度已小至nm数量级。这时电子的直接隧穿效应将非常显著,将严重影响器件的稳定性和可靠性。因此需要寻找新型高k介质材料,能够在保持和增大栅极电容的同时,使介质层仍保持足够的物理厚度来限制隧穿效应的影响。本文综述了研究高k栅介质材料的意义;MOS栅介质的要求;主要新型高k栅介质材料的最新研究动态;展望了高k介质材料今后发展的主要趋势和需要解决的问题。 相似文献
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BAMHL1 1 /3- 72 0 0 - 1× 3W是在总结以往充气集合式高电压并联电容器产品优点的基础上 ,为优化大容量产品结构 ,提高绝缘可靠性和设备技术经济性能而开发的项目。本文着重介绍该产品的内部结构、外壳筋板结构和混合气体绝缘等几点改进。 相似文献
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论西北地区地下水的开发利用与保护 总被引:10,自引:2,他引:8
本文通过分析西北地区的水资源时空分布特点和水循环特点、地下水开发利用现状以及开发利用中出现的生态环境问题,总结了西北地区多年来水资源开发利用的成功经验和失败教训,提出今后地下水资源合理开发利用的几点建议:即提高社会对西北地区地下水的认识,适度增大地下水开采;充分发挥地下水的一态环境调节作用,水资源开发与生态环境保护并举;遵循地表水与地下水的多次相互转化规律,提高水资源总体利用率;水资源开发利用与水资源涵养相结合;加强西北地区地下水的调查与研究。 相似文献
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