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61.
晶须取向对SiCw/Al复合材料切削表面质量的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
切削与晶须取向方向间的夹角对SiCw/Al复合材料切削表面质量有很大影响。当切削角为45°时,晶须拔出和转动现象均较少,复合材料切削表面粗糙度最低。当切削角为135度时,晶段转动造成的撕裂破坏程度很大,复合材料切削表面粗糙度最大。 相似文献
62.
对经固溶处理的二种Al-Li合金(1.94wt.%Li和2.75wt.%Li)的时效过程进行了研究。结果表明:δ’的生长速率遵从Ostward粗化动力学。1.94wt.%Li合金δ’产生于时效过程中,而2.75wt.%Li合金的δ’产生于时效的前期阶段。前者的表现体积分数明显大于根据相图估算的数伍,真实体积分数则与此值接近;后者的体积分数低于根据相图估算的数值,这可能归咎于δ’固相线的位置、统计学误差及Li更易在时效过程中贫化。 相似文献
63.
64.
粘土矿物是低渗砂岩储层的主要胶结物,对储层物性及开发过程中储层物性变化趋势有着重要的影响和控制作用。另外,粘土矿物也蕴含着大量沉积环境介质的物理化学信息,认识其自然规律,可以有效地指导预测有利储层,认识和改造油层。以鄂尔多斯盆地砂岩储层中的粘土矿物为研究对象,探讨分析粘土矿物对低渗储层性质的影响,该研究对含油气盆地低渗储层有效开发具有一定的参考价值。 相似文献
65.
文章对非标准工况下的空分设备增产氩措施进行了研究。以宝钢6#60000m3/h空分设备为例,通过设计型算法和校核型算法,建立了空分设备精馏的数学模型,通过改变数学模型的参数,分析了在非标准工况下精馏塔内的组分浓度分布,并提出了优化后的操作方案和操作参数,实施后提高了空分设备的氩提取率,取得了显著的经济效益。 相似文献
66.
CMOS电路中抗Latch-up的保护环结构研究 总被引:5,自引:0,他引:5
闩锁是CMOS集成电路中的一种寄生效应,这种PNPN结构一旦被触发,从电源到地会产生大电流,导致整个芯片的失效。针对芯片在实际测试中发现的闩锁问题,介绍了闩锁的测试方法,并且利用软件Tsuprem4和Medici模拟整个失效过程,在对2类保护环(多子环/少子环)作用的分析,以及各种保护结构的模拟基础之上,通过对比触发电压和电流,得到一种最优的抗Latch up版图设计方法,通过进一步的流片、测试,解决了芯片中的闩锁失效问题,验证了这种结构的有效性。 相似文献
67.
68.
69.
中频反应溅射SiO2膜与直流溅射ITO膜的在线联镀 总被引:2,自引:2,他引:0
多数ITO透明导电玻璃生产线在实现SiO2膜与ITO膜在线联镀时,应用SiO2靶射频溅射沉积SiO2膜工艺和ITO靶直流溅射沉积ITO膜工艺,如果SiO2膜应用硅靶反应磁控溅射工艺,存在这种工艺是否可以与ITO靶直流溅射沉积ITO膜工艺在线联用以及如何实现联用的问题。作者对现有的生产线进行了改造设计、加工,做了大量实验、质谱分析和多项测试研究,成功地实现反应溅射SiO2膜与ITO膜在线联镀,做到SiO2镀膜室的工作状态的变化基本上不影响ITO镀膜室的工艺条件。 相似文献
70.
根本技术创新产品需求的获取及评价研究 总被引:1,自引:0,他引:1
根本技术创新对企业的发展具有决定性的意义。并对工程作为现代产品开发中新发展的系统化方法,在应用其对根本技术创新产品需求搜集及评价时,出现了满足顾客需求和创造顾客需求、资源需求与技术创新、理性决策与非理性决策、企业文化与技术创新等之间的矛盾。本文对产生这些矛盾的原因进行了分析,提出了相应的解决办法。 相似文献