基于PTFE的PCB的多层层压方法

介绍了采用不同材料类型的粘结膜、半固化片、所需设备和粘结材料,用于生产低到高层数的PTFE多层板的情况。     

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我国的西气东输工程从新疆塔里木油田到上海，管线长度达4000公里，为确保对长江三角洲地区安全稳定的供气，就必须在长江三角洲地区建设地下储气库，从而保证在管线故障期间应急供气，同时利用地下储气库调节冬季和夏季用气量的差异，保证长输管线的高效、平稳运行。在长江三角洲地区经地库址选择，目前准备将常州盆地的金坛盐矿用以建设地下储气库。盐穴地下储气库主要选择在盐层或盐兵上，利用水溶方式形成地下溶腔进行储气，选择合适的建库地址要结合地质、水、工程等诸多因素，造腔过程中需要采取一系列控制技术，在造腔过程中还要及时采取声纳测井技术进行跟踪监测，造腔过程的检测及腔体完成后的密封安全性检测是气库能否投入运行的关键。     

CO毒化AB5型合金分形特征研究

研究了三种贮氢合金 L a Ni5、L a Ni4 .7Al0 .3、Ml Ni4 .5Al0 .5被 10 0× 10 - 6 CO毒化后的分形特征 ,求出这三种合金在含 10 0× 10 - 6 CO的氢中循环 ,分维分别为 0 .2 5 4 7、0 .170 9、0 .0 72 5。可以较好的解释合金被毒化的宏观现象。     

等级化信息安全保障体系设计思想

一、前言等级化信息安全是我国信息安全的一项基本策略,实施等级化信息安全保护是实现“重点资产重点保护”,同时又“适度安全”的有效手段,其最终目的是实现安全和成本的综合平衡,达到提高信息安全建设质量,提高安全的综合性价比这一根本目的。正如任何一种新方法的提出必然面临如何有效实施的问题一样,自从2003年中办发27号文件以来,尽管国家相关部门已经陆续出台了等级化信息安全保障的相关文件、意见和实施指南,等级化在信息安全界的实施却比较困难。这是由于在实践中发现,目前出台的相关指南对于复杂的应用系统和网络系统在其操作性上…     

以循环移位控制为基础的相控阵天线快速测量方法研究

为了解决相控阵天线快速测试问题,本文研究了一种相控阵天线测量的新方法。该方法中相控阵天线和测试探头均不动,利用相控阵天线中各移相器的移相状态可循环移位控制的特点和相控阵天线一些已知可信的信息,从而使测量具有极高的效率。文中对一相控阵天线模型采用该测量方法的测量全过程进行模拟,验证了该方法的正确性和高效性。     

金属钝化剂的合成和应用

简要介绍了金属钝化剂的品种和合成方法及在PE、PP、PS等聚合物材料上的应用。     

丙烯酸二甲氨基乙酯的合成

以丙烯酰氯与二甲氨基乙醇为原料 ,乙醚为溶剂 ,过量的二甲氨基乙醇为缚酸剂合成了丙烯酸二甲氨基乙酯。较佳实验条件为 :丙烯酰氯 /二甲氨基乙醇 /乙醚 (物质的量比 ) 1∶2 .0 5∶5 .6 ,反应温度 5℃ ,反应时间 4h ,w(吩噻嗪 ) 0 .5 0 %,产物为无色透明液体 ,相对密度 0 .943 1( 2 0℃ ) ,折光率为 1.435 2 ,收率大于 91%。     

对建设中国先进文化的几点认识

充分认识文化和先进文化的本质特征,领会“三个代表”重要思想中关于“代表中国先进文化前进方向”的深刻内涵,研讨我国先进文化建设面临的新课题,努力实践“三个代表”,积极发展先进文化。     

丰满流域可能最大暴雨与可能最大洪水分析研究

依据丰满漉域的水文气象资料,计算丰满流域可能最大暴雨,推求白丰区间的可能最大洪水并进行成果合理性分析.     

A high-efficiency CMOS +22-dBm linear power amplifier

Modern wireless communication systems require power amplifiers with high efficiency and high linearity. CMOS is the technology of choice for complete systems on a chip due to its lower costs and high integration levels. However, it has always been difficult to integrate high-efficiency power amplifiers in CMOS. In this paper, we present a new class of operation (parallel A&B) for power amplifiers that improves both their dynamic range and power efficiency. A prototype design of the new amplifier was fabricated in a 0.18-/spl mu/m CMOS technology. Measurement results show a PAE that is over 44% and the measured output power is +22 dBm. In comparison to a normal class A amplifier, this new design increases the 1-dB compression point (P1dB) by over 3 dB and reduces dc power consumption by over 50% within the linear operating range.