首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   584篇
  免费   27篇
  国内免费   121篇
电工技术   129篇
综合类   27篇
化学工业   17篇
金属工艺   123篇
机械仪表   86篇
建筑科学   63篇
矿业工程   1篇
能源动力   22篇
轻工业   3篇
水利工程   13篇
石油天然气   10篇
无线电   65篇
一般工业技术   32篇
冶金工业   8篇
原子能技术   40篇
自动化技术   93篇
  2022年   4篇
  2021年   1篇
  2015年   5篇
  2014年   2篇
  2013年   6篇
  2012年   1篇
  2011年   41篇
  2010年   15篇
  2009年   17篇
  2008年   9篇
  2007年   9篇
  2006年   12篇
  2005年   10篇
  2004年   117篇
  2003年   33篇
  2002年   85篇
  2001年   64篇
  2000年   24篇
  1999年   31篇
  1998年   33篇
  1997年   24篇
  1996年   19篇
  1995年   2篇
  1994年   8篇
  1993年   52篇
  1992年   28篇
  1991年   20篇
  1990年   25篇
  1989年   22篇
  1988年   8篇
  1986年   1篇
  1985年   1篇
  1982年   3篇
排序方式: 共有732条查询结果,搜索用时 15 毫秒
61.
The hydraulic and sediment deposition problems in the water intake system of a pumping house were studied by physical model.The experimental results of different working cases indicate that the sediment depositions at the gates,stilling basin and culverts are very few when the system was normally operated,but in the forebay of pumping house,especially in the pumping house for living water,the amount of sediment deposition sometimes is considerably large.At the front of the entry of pumping house forliving water,installing a set of oblique pipes can prevent the coarse grains to enter it,the deposition amount will obviously decrease.  相似文献   
62.
延时注入对驻波加速管X线输出量的影响   总被引:1,自引:1,他引:0  
一、引言驻波加速管工作于脉冲方式时,在每个微波脉冲的开始和结束时,加速管内场强有一个建成和衰减的过渡过程,在过渡过程中,加速场强随时间不断变化,如果电子束和微波功率同时注入及馈入驻波加速管,则将有较多的低能电子产生,它们不仅增加加速管的负载,使输出能谱变坏,而且这部份低能电子对X线输出量的贡献也不大。由于过渡过程的  相似文献   
63.
文章阐述了导热和几何尺寸对平均传热系数和最大局部热流的影响,对之进行了分析并提供了研究试验的结果。计算分析和试验都是针对环形流道进行的。流道内侧为肋化管,外侧为光滑管。为进行计算分析,专门发展了二维计算程序“CONDU”。分析表明:导热和几何尺寸对平均传热系数和最大局部热流有重要影响。相似性分析表明,对于实践中有重要意义的某些场合,有必要引进一个与导热和几何尺寸有关的修正函数。此分析的主要结果已得到实验的证实。  相似文献   
64.
在透射电镜下原位观察了裂纹在双相不锈钢中的扩展过程。结果表明,裂纹在双相不锈钢中奥氏体晶粒内扩展时常呈较大的Z字形扩展路径。并且,在主裂纹前端奥氏体晶粒内形核的小裂纹与主裂纹有较强的交互作用,小裂纹尖端二次滑移系的选择和扩展路径为小裂纹尖端应力场和主裂纹尖端应力场共同支配。  相似文献   
65.
讨论了小方栅脉冲下零偏置源MOS结构栅电荷弛豫的机制.证明了当费米能级接近少子带边时,引起栅电荷弛豫的起因将由界面态俘获发射电荷的过程变成受其延迟的表面少子扩散漂移过程.对后一过程进行理论分析导出的栅电荷公式与实验取得了一致.在此基础上提出了根据栅电荷波形参数确定栅电荷变化量中界面态贡献的大小,进而测定近少子带边一侧界面态密度的测量原理.获得了覆盖的能量范围一直延伸到距少子带边 0.05 eV处的界面态密度能量分布.在不同类型样品中获得了具有共同特征的结果.  相似文献   
66.
阀片式硅微流量传感器的研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
提出了一种结构简单、易于加工的阀片式硅微流量传感器。该微流量传感器通过阀片将流量转换为梁表面弯曲应力,再由集成在阀片上的压敏电阻桥检测出流量信号。该传感器采用硅微细加工工艺制作,直接在单晶硅上加工出阀片和压敏电阻桥。该微流量传感器芯片尺寸3 .5×3.5(m m) ,封装后的外形尺寸为Φ10×4(m m) ;在10 ~200ml/min 的气流量下,线性度优于5 % .  相似文献   
67.
挠性摆式微硅加速度计的有限元分析   总被引:4,自引:1,他引:4  
】微硅加速度计是近年来发展起来的新型器件,在结构设计阶段必须对其进行力学分析,以期对使用条件下的摆片位移、应力等作到心中有数。本文采用有限元分析方法对挠性摆式微硅加速度计进行有限元分析,其中包括对未封装及封装后实体单元进行敏感轴位移、侧向位移、横向灵敏度、受力情况等分析。分析结果表明所设计的微硅加速度计符合仪表性能要求。  相似文献   
68.
TCSC抑制次同步谐振的机理分析   总被引:10,自引:7,他引:10       下载免费PDF全文
基于对TCSC次同步频率等效阻抗特性的研究,分析了TCSC次同步频率等效电阻和等效电抗对抑制次同步谐振(SSR)的不同作用。发现系统中SSR的抑制主要取决于TCSC的次同步频率等效电抗特性,而TCSC的次同步频率等效电阻对SSR的抑制本质上是一个能量转换过程,它只能在一定程度上削弱SSR,不可能彻底消除SSR。  相似文献   
69.
The microstructure and wear resistance of acast Al-Si alloy coated with metal and rare earthelements and treated by the laser rapidmelt-solidification(LRMS)are studied in the pres-ent work.Optical and SEM micrographic analysesshowed that a superfine microstructure was ob-tained,and the hardness was remarkably enhancedby the LRMS treatment.Wear test showed that therapid melt-solidified microstructure had higherwear resistance than that treated by ordinary solidsolution treatment.  相似文献   
70.
一、基本原理零功率反应堆反应性涨落完全是一种随机过程。这种涨落引起了中子密度的随机涨落。反应堆作为输入输出设备,反应性涨落是输入信号,而中子密度的相应涨落是输出信号。这种输入和输出的关系由反应堆的频率响应特性决定。中子信号的自谱密度(APSD)可  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号