Irradiation Defects in Silicon Crystal

The application of irradiation in silicon crystal is introduced.The defects caused by irradiation are reviewed and some major ways of studying defects in irradiated silicon are summarized.Furthermore the problems in the investigation of irradiated silicon are discussed as well as its properties.     

Distributed Speech Recognition Systems and Some Key Factors Affecting It''''s Performance

1　IntroductionWiththerapiddevelopmentofInternetandmobilecommunications,theresearchonwirelessmobilenetworkshasbecomethenewhotspotinin formationtechnologyfield .Asweknow ,mobileterminals (mobilephone,forexample)arethetooltohelppeopletoaccessanyinformationtheyneedbyanymediaatanytimeandanywhere .However,itissometimesdifficultformobileterminalstoplaysucharolebecauseofthelimitationssuchaslimitedca pacity ,lowpower,andinconvenienceinoperating .So,peoplehopetofindanotherwaytoaccessnet workinformatio…     

光纤码分多址技术在城域接入网中的应用

分析了光纤码分多址技术O -CDMA在城域接入网中的应用。回顾了O -CDMA技术的发展历史 ,详细地介绍了O -CDMA技术的特点 ,其具有的公平性、灵活性、网络控制管理、对服务区处理能力以及高的安全性使O -CDMA技术成为较好的城域接入网技术。阐述了目前在应用中O -CDMA存在的一些技术方面的问题     

一种高并行度的H.264帧内预测器的VLSI设计

分析了帧内预测的17种模式,对于每个4×4大小块的16个像素点的不同模式的预测公式之间的相同运算,采用数字强度缩减的方法去除计算的冗余,提出了一种高并行度的帧内预测器,可以每个时钟周期处理16个像素点的预测值。基于SMIC0.18μm工艺,用verilog对该设计进行了VLSI实现,综合后的电路的关键路径最大时延为10ns,电路规模不超过1.4万门,数据吞吐率可以达到1600Msamples/s。从实现结果来看,与采用可重构方法的设计相比,该设计在相同的并行度下减小了电路面积,简化了控制逻辑。     

煤炭企业实施知识管理存在的问题及对策研究

知识经济对传统的煤炭企业发展意义重大。论文对我国煤炭企业实施知识管理存在的问题进行了分析,并针对这些问题提出了实施知识管理的对策,希望对推动我国煤炭企业的健康发展有所裨益。     

扩展有限元法在线弹性断裂力学中的应用研究

采用改进的XFEM对有限板单边裂纹的应力强度因子和Ⅰ型裂纹的扩展进行分析，数值计算结果表明了该方法的有效性，从而避免了常规有限元方法中的网格重构，大大简化了裂纹扩展的分析过程。     

平面药包抛掷爆破的漏斗特征解析

根据惠州港通用码头陆域平面药包抛掷爆破的实爆堆积测量分析成果 ,结合药包设计的主要参数 ,对平面药包产生的爆破漏斗的范围与形态、不同药包部位的残方比与抛掷率、药包的长抗比与圆柱体药包的应力波形演变关系予以解析 ,供硐室爆破的理论研究、模拟试验和总结条形药包特性时参考     

P-channel Ge/Si Hetero-nanocrystal Based MOSFET Memory

The charge storage characteristics of P-channel Ge/Si hetero-nanocrystal based MOSFET memory has been investigated and a logical array has been constructed using this memory cell. In the case of the thickness of tunneling oxide T_ox=2nm and the dimensions of Si- and Ge-nanocrystal D_Si=D_Ge=5nm, the retention time of this device can reach ten years(~1×10~8s) while the programming and erasing time achieve the orders of microsecond and millisecond at the control gate voltage |V_g|=3V with respect to N-wells, respectively. Therefore, this novel device, as an excellent nonvolatile memory operating at room temperature, is desired to obtain application in future VLSI.     

工程制图精品课程建设的探索与实践

论述了为培养高素质人才,全面提升高等教育教学质量,必须积极推进和实施工程制图精品课程建设及其建设目标。从加强师资队伍建设、教学内容与课程体系、教学方法与手段、教材与教学资源、实践教学、教学效果等方面探索了工程制图的教学改革和课程建设实践。总结了制图精品课程建设的特色和所取得的成果,并提出了进一步应探讨和研究的一些问题。     

降低过滤机滤饼水分和细粒煤脱水浅析

根据对选煤厂细粒煤样的实验室优化脱水试验、工业试验及分析结果 ,对真空系统、气水分离器和分配头实施了技术改造 ,细粒煤脱水系统的运行状况得到显著改善 :圆盘真空过滤机滤饼水分降到 2 0 %左右 ,脱饼率在 95 %以上 ,每年的直接经济效益可达 30 0多万元