高质量ZnO薄膜的退火性质研究

在LP－MOCVD中，我们利用Zn(C2H5)2作Zn源，CO2作氧源，在（0002）蓝宝石衬底上成功制备出皮c轴取向高度一致的ZnO薄膜，并对其进行500℃-800℃四个不同温度的退火。利用XRD、吸收谱、光致发光谱和AFM等手段研究了退火对ZnO晶体质量和光学性质的影响。退火后，（0002）ZnO的XRD衍射峰强度显著增强，c轴晶格常数变小，同时（0002）ZnOX射红衍射峰半高宽不断减小表明晶粒逐渐增大，这与AFM观察结果较一致。由透射谱拟合得到的光学带隙退火后变小，PL谱的带边发射则加强，并出现红移，蓝带发光被有效抑制，表明ZnO薄膜的质量得到提高。     

佛山市中心组团桥梁群对河道影响的数值分析

在不同频率流量和阻水程度条件下,采用一维明渠非恒定流网河数学模型,分析规划中的佛山市桥梁群对区间河道洪季行洪、枯季水环境的影响,计算洪季不同频率洪峰流量下规划桥梁群对区间河道行洪洪水位、分流比的影响,枯季时规划桥梁群对区间河道过流量、分流比的影响,结果表明,利用一维网河数学模型计算佛山市中心组团规划桥梁群对区间河道断面平均水位、流量和流速的影响,结果有足够的数值精度,是可信的。     

交流，共享，流动——现代大空间办公模式的优劣与对策

讨论了现代办公空间设计出现的新要求,通过办公空间演变趋势的探讨,归纳为若干大空间办公模式,并分析、比较其空间性质及特点,以及采用开放式办公布局的优势、不足及解决对策.     

择形催化合成2,6-DMN的研究进展

介绍了2,6-二甲基萘(2,6-DMN)的制备方法,详细论述了萘、甲基萘在分子筛催化剂上择形催化合成2,6-DMN的研究进展,提出了择形催化合成2,6-DMN的研究方向。     

光化学方法活化CO_2为CO的研究进展

介绍了国内外近年来用光化学方法将CO2活化为CO的研究进展。目前,CO2活化为CO的光化学法主要有气相活化法、均相活化法和非均相活化法,对这些方法的特点及反应机理进行了总结。     

提高常规色谱分析的速度,应对新法规的需求

珀金埃尔默公司新推出的Clarus 600型GC和GCMS采用全新柱温箱设计，能够缩短每次分析循环的时间，在有限的时间内可以完成更多的分析测试，从而提高分析效率和仪器的投资回报率。特别适合于需要大批量分析检测的实验室和需要测定挥发性有机物的分析工作。     

电潜泵大修打捞配套工具研制

随着采液时间的延长,电潜泵井事故不断增加,仅辽河油田每年就有30口左右的电泵井需要转大修.由于没有专用的打捞工具,作业设备的能力有限,其处理事故的周期往往较长,效果不理想.因此,在已有φ139.7mm套管内电泵打捞工具的基础上,研制开发了φ177.8 mm套管内电泵打捞工具,解决了油田电泵打捞的难题.     

Analysis of S-SEED''s characteristics in optical switch

This article introduces the basic structure of a symmetric self-electrooptic effect device （S-SEED）, and applies the Kirchoff＇ s current law and a purely equivalent capacitive model, to analyze S-SEED＇s switch characteristics. Linear approximation and N-segment approximation are utilized to obtain S-SEED＇s voltage-time （V-T） and characteristics. Theoretical analysis is verified by simulations, and the results demonstrate that the precision of S-SEED＇s switch time can satisfy the requirement in applications with linear approximation. Moreover, the simulations compare S-SEED＇s switch characteristics with different input powers and input contrast ratios, which reveal that increasing input contrast ratio is an effective way to improve S-SEED＇s switch characteristics.     

InP基应变补偿结构偏振不灵敏半导体光放大器制作的研究

为了制备偏振不灵敏的半导体光放大器(SOA)，将有源区设计为由4个压应变、3个张应变阱层及晶格匹配的垒层InGaAsP交替组合而成的应变补偿结构。器件做成带有倾角的扇形脊形波导结构，避免了常规制作SOA的复杂工艺。对样品3在80～125mA电流范围内，获得了偏振灵敏度≤0．6dB．最小可达0．1dB；较大的电流范围内FWHM值为40nm。