大面积硅锂漂移探测器制备及其性能

制备了大面积硅锂漂移探测器,其性能为:探测器的灵敏面积123.6 cm~2;灵敏层深度2 mm;在室温和300 V反向偏压的工作条件下漏电流小于20 μA;对~(241)Am 5.486 MeV α粒子的能量分辨(FWHM)为77.67 keV。     

对我国催化重整工艺专利市场的思考

根据我国专利法的原则，在对我国催化重整和芳烃生产专利检索过程和结果进行分析的基础上，阐述了对目前我国催化重整工艺专利市场的几点看法并提出对策。     

THE ANALYSIS OF THE SEPARATED LAYERS ALGORITHM BY DOMAIN DECOMPOSITION METHOD

From the principle of of the Domain Decomposition Method (DDM), we analyse the 2nd-order linear elliptic partial differential problems and link the Separated-Layers Algorithm (SLA) with DDM. The mathematical properties of SLA and numerical example are presented to obtain satisfactory computation results. For general linear differential ones, also are the structure of SLA and its characteristics discussed.     

用于氢化的铜铬氧化物催化剂的研究

通过铜铬氧化物催化剂用于豆油的选择氢化,研究了制备方法及氢化条件对催化剂活性的影响.在所用的五种催化剂中,以Adkins法制备的催化剂活性最好,碳酸氢铵法次之.文中还对催化剂焙烧气氛、焙烧温度、焙烧时间、铜铬原子比对催化剂活性的影响以及氢化温度、催化剂用量、搅拌速度、氢流速等对反应的影响进行了较详细的讨论.     

提高E^2PROM中NMOS管源漏穿通电压的实验研究

为了提高Ｅ＾２ＰＲＯＭ中Ｎ管源漏穿通电压，用实验的方法对制造工艺进行了研究。结果表明，高能量注入是提高ＶＰＴ的有效手段，但受到ｐｎ结击穿的限制，只适用于低区短沟Ｎ管；ＤＤＤ工艺大幅度高ＶＰＴ，但ｐｎ结击穿电压低于２０Ｖ，不能应用于高压ＭＯＳ管；采用适量的防穿通注入和适当增大沟道长度为最理想的工艺途径。     

卤化银探测器及其某些特性

文中简述了卤化银(主要是溴化银)单晶片的某些特性,氯化银单晶片与此大致相似。作为低温晶体探测器,对~(241)Am-α放射源,分辨率为17%。卤化银晶片是固体电解质,只有Ag离子对输出电信号有贡献,有显著的极化现象。在液氮槽内溴化银晶片的电导率在几个数量级内成为可控的,由在室温下外加偏置电压大小所引起的分解状态下的初始电流决定。     

控制棒钴吸收体的活度分布

应用单组中子微扰理论,对辐照后控制棒钴吸收体内活度分布进行理论分析,得到活度分布计算的解析表达式。对高通量工程试验堆(HFETR)首次出堆的2根控制棒钴吸收体进行数值计算。利用钴靶活度水下测量装置进行这2根钴吸收体活度分布的实验测量。计算与实验测量结果相符。通过理论计算所得到的活度分布可作为辐照后~(60)Co同位素分装依据。本文得到的控制棒相对价值曲线理论计算值与实验测量结果符合良好。     

单片机在木板自动剪切机中的应用

由于某厂生产各种规格木板的十多台设备专机,全靠人工手动操作的问题。这些设备与现在日益发展的工业自动化设备相比存在着很大的缺陷。本文利用AT89C51单片机进行控制,并在原设备工作台上加装一台三相异步电动机和一条木板送料传送带,使得工人不用在车间工作就可以控制整个生产过程。显著提高了企业生产效率,达到降低生产成本的效果。