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81.
铝合金牺牲阳极电流效率损耗的微观分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
探针(EPMA)和能谱分析技术(EDAX),考察了铝合金牺牲阳极的显微结构和腐蚀后的边缘形貌,讨论了电流效率和显微组织之间的关系.结果表明:晶界腐蚀引起的晶粒脱落是铝合金牺牲阳极电流效率损耗的重要原因.   相似文献   
82.
Gaussian type models have been established according to the real detected voltage of magnetically insulated ion diode and intense pulsed ion beam density near the focus of the diode. The energy deposition of Al target irradiated by intense pulsed ion beam has been simulated by Monte Carlo method based on these models. The results of energy depositions of the irradiation of single energy ions and the Gaussian distribution IPIB have been obtained. Especially cases of ion beam irradiating Al target at different angles on one dimension and two dimensions are discussed. The evolution processes of the energy deposition of ions in target have been simulated during a pulse. In addition, incident angles of H+ ions and C+ ions ranging from 20 to 40° have been researched. We obtained the conclusions that C+ ions of the beam affect the physical properties of near surface region, but H+ ions affect the deeper layer. The energy of intense pulsed ion beam mainly deposits on target surface, so melting and evaporation begin both from target surface.  相似文献   
83.
合成4种标题配合物,用元素分析、红外和紫外光谱、摩尔电导、核磁共振氢谱、荧光光谱及X射线粉末衍射物相分析研究了它们的组成和性质及其结构。按结构将配合物分为两类,一是含氢键的离子缔合物;一是含金属—氧键的螯环型配合物。  相似文献   
84.
本文通过对四川气田北干线涪江隧道穿越管道阴极保护电参数的现场测试,取得了实际可信的基础数据,验证了处于水下隧道洞内的穿越段管道,能得到陆上强制电流阴极保护系统的有效保护,保护电流所必经的岩石层和锚喷钢筋混凝土层对保护电流没有构成屏蔽的结论,对管道工程设计和运行管理具有指导作用。  相似文献   
85.
聚铝溶液pH值及盐基度的相关性研究   总被引:6,自引:1,他引:6  
为聚铝溶液进行了PH值和盐基度的分析和估算,给出了聚铝溶液的极限PH值和极限盐基度与总溶解铝浓度的关系曲线,最终计算结果表明:在平衡条件下,聚铝溶液的PH值和盐基度具有相关性,即当基中一个参数发生变化时。另一个参数必然要发生相应的改变。  相似文献   
86.
双通道喷嘴渣油气化过程(Ⅰ)冷模实验   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
基于对3套8.53MPa双通道喷嘴渣油气化装置普遍存在的工程现象的思考,组织了模型气化炉冷态试验。测试了3种模型在6种射流速度下的停留时间分布,7种模型在2种射流速度下的速度分布。给出了停留时间分布密度函数、无因次半速度半径轴向增长、径向射流最大速度轴向衰减和径向速度分布计算公式。  相似文献   
87.
Unipol气相法聚烯烃液体催化剂技术进展   总被引:1,自引:0,他引:1  
介绍了Unipol气相法聚烯烃工艺液体催化剂的成分、加入反应器的方式和喷嘴结构及控制催化剂液滴尺寸方法等方面的最新进展情况。  相似文献   
88.
本文针对三聚氰胺甲醛树脂合成与性能上存在的几个问题,从理论和实践上进行了讨论。  相似文献   
89.
基于Flash的关键变量容错存储技术研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
嵌入式系统中往往需要保存少量复位或掉电后依赖的关键变量,利用处理器片内Flash存储参数已经成为常规选择,但与常规Flash存储器件相比,片内Flash擦除次数更为有限,难以满足系统生命周期要求。研究了如何延长微处理器片内Flash使用寿命以及关键系统变量容错存储技术,针对典型嵌入式系统应用,分析Flash擦写管理机制,基于写磨损均衡算法进行改良,进一步提升系统容错能力。该技术在基于STM32单片机硬件平台进行了测试验证。  相似文献   
90.
本文介绍了几种典型的边缘检测算法,对它们各自的特点进行了比较。对梭式窑内的一幅原始图像,可用边缘检测算法提取火焰图像的边缘。  相似文献   
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