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���þ��ܰ�ȫ�Բ������������� 总被引:1,自引:1,他引:0
本文通过对在用钻机井架的现场实际测试,建立数据库、测评模型,对实测的数据用计算机技术进行分析,提出了初始弯曲应力;数据正态分布检验——x~2检验;建立回归方程;在给定置信度下测评当前承载能力的技术概念。解决了在用钻机A型井架的安全性评估问题,是一种较为合理、可靠、科学的测评技术和方法。 相似文献
32.
V. S. -Kh. Kim V. A. Samoilov E. M. Sherysheva Chen Yun 《Chemical and Petroleum Engineering》1993,29(8):355-358
Translated from Khimicheskoe i Neftyanoe Mashinostroenie, No. 8, pp. 9–11, August, 1993. 相似文献
33.
Carboxymethyl-2-diethylaminoethylcellulose (CM-DEAE cellulose) was prepared by etherification of carboxymethylcellulose with diethylaminoethyl chloride in a NaOH solution. The behaviour of CM-DEAE cellulose in aqueous solution was studied by viscosity and GPC measurements. The degree of substitution (DS) and existing states of DEAE substituents were examined by the use of proton NMR, and those of the CM substituents were observed with FT-IR. The results reveal that the reduced viscosity and apparent molecular size of CM-DEAE cellulose vary with the concentration of sodium chloride and changes in pH and DS. These phenomena can be explained in terms of inter- and intra-molecular ionic interactions. 相似文献
34.
The crystallization behaviour of three amorphous alloys, Co50Ni25Si15B10, Ni50Co25Si15B10 and Ni50Co25P15B10, was studied by means of differential thermal analysis in conjunction with scanning transmission electron microscopy. Isochronal annealing showed a strong dependence of crystallization on scan rate over the range of 1.99 to 20.70 K min–1. At high Co/Ni ratios, a sequential two-stage crystallization process involving primary MS-I phase followed by MS-II phase precipitation was observed. At low Co/Ni ratios MS-I and MS-II crystallization were concurrent and inseparable. Replacement of the metalloid Si with P as the glass-former dramatically reduced the activation energy for crystallization as well as the crystallization temperature. A mechanistic understanding of these findings was pursued in light of TEM/STEM microanalysis 相似文献
35.
Keng Siau 《Requirements Engineering》2007,12(4):199-201
36.
Phase-change read-and-write memory (PRAM) is a promising memory that can solve the problems of conventional memory—scalability, read/write speed, and reliability. We will review the opportunities and technical challenges of PRAM. The most important challenge of PRAM is the reduction of the writing current. Various approaches to reduce the writing current will be reviewed and the prospects of PRAM are discussed. 相似文献
37.
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39.
40.
有扰对称信道平均信息量的计算 总被引:3,自引:1,他引:2
照相手机让诺基亚抢了风头,这真是亚洲人的失策。在日本和韩国,内置摄像头的手机早就不是什么值得炫耀的东西了。不过日本人的动作还是很快的,GD88和N8一副后来居上的架势,让人不敢小瞧。 相似文献