川西新场气田JS_2~1气藏测井多参数评价方法

针对川西新场气田JS12气藏开展了多参数的综合评价研究,多参数包括储层参数、裂缝参数、储层分类厚度参数。首先,开展了储层参数及裂缝参数的计算,以岩心分析结果为依据,建立了孔隙度、渗透率、含水饱和度计算模型。利用铸体薄片进行了微裂缝识别,对样品的裂缝参数和测井曲线进行相关分析,建立了测井计算裂缝参数的数学模型;其次,对储层进行聚类分析,通过聚类将储层分为三类;最后,将计算的裂缝参数、储层分类中的Ⅰ类储层厚度、孔渗饱等参数进行正态化处理,拟和测试的无阻流量与这些参数建立多元回归计算模型,即综合含气指标的数学计算模型。以综合含气指标为主要依据,进行储层综合分类和评价,指出了有利的含气区域和可供挖潜井的建议。该方法在指导气藏开发中获得了良好效果。     

基于手写笔的多功能电子白板系统的实现

该文针对当前电子白板系统对个性化支持的不足,引入手写笔作为输入设备,充分利用其功能参数,设计开发了具有模拟毛笔、钢笔、铅笔等真实笔特征的多笔型功能的电子白板系统。     

涤纶工业丝环吹风改造的设计计算

应用PET纤维的冷却成形理论 ,结合空气调节的相关知识 ,提出了环吹风的设计计算方法 ,对涤纶工业丝环吹风进行了设计改造 ,满足了纺丝工艺要求     

Acquisition and pattern recognition of spectrum information of welding metal transfer

With the creation of a pattern recognition system for metal transfer mode, this article has collected five kinds of spectrum signals in gas metal arc welding (MIG, MAG and CO₂) and take them as training samples. These samples have been pretreated by computer, several key characteristic parameters of the spectrum signal have been creatively extracted, and a corresponding recognition function and a minimum-distance-classifier have been constructed. The results show that the pattern recognition of several kinds of metal transfer modes for the metal gas arc welding can be done successfully, and relative important parameters in welding process, such as the frequency of droplet transfer and the approximate diameter of each droplet, can also be obtained.     

在基于MPLS的层次化移动IP网络中支持DiffServ的研究

MPLS支持DiffServ、流量工程,能为网络提供较好的QoS保证,而移动IP(MIP)能为移动设备提供较好的移动性支持。文章探讨了在无线接入网中MPLS和MIP结合实现DiffServ的方案,并给出了一种在基于MPLS的层次化MIP网络结构中支持DiffServ的体系结构,设计了其节点功能模型和关键协议。方案中利用了层次化结构的区域注册和重路由机制,减少了切换时延和网络的信令负荷。     

半导体量子点中极化子的有效质量

研究了半导体量子点中极化子的有效质量.采用改进的线性组合算符方法,导出在电子-体纵光学声子(LO)强耦合时抛物量子点中极化子的振动频率、相互作用能和有效质量随受限强度和电子-声子耦合强度的变化.对RbCl晶体量子点进行了数值计算,结果表明,量子点受限越强,半导体量子点中强耦合极化子的振动频率和有效质量就越大;极化子的相互作用能随受限强度的增加先急剧增加,当达到极值后,随受限强度的增加而急剧减少     

锂离子电池用聚合物电解质的最新进展II.含液聚合物电解质

由于干态聚合物电解质目前还不能满足聚合物锂离子电池的应用要求,人们致力于开发含液体增塑剂的聚合物电解质,包括凝胶型和微孔型两类体系。本文综述了含液聚合物电解质的最新进展,重点论述了各种新体系和新方法。     

基于SOI的双极场效应晶体管

在分析了双极型晶体管和场效应晶体管各自的特点和不足后，介绍了一种既具有双极型晶体管较大电流容量和功率输出，又具有场效应晶体管高输入阻抗的电子器件——双极MOS场效应晶体管(BJMOSFET)，同时指出体硅BJMOSFET的阳极扩散区与衬底之间存在较大的漏电流，可产生较大的寄生效应。提出了一种新型固体电子器件——基于SOI的BJMOSFET，分析了其工作原理j与体硅BJMOSFET比较，由于SOI技术完整的介质隔离避免了体硅器件中存在的大部分寄生效应，使基于SOI的BJMOSFET在体效应、热载流子效应、寄生电容、短沟道效应和闩锁效应等方面具有更优良的特性。     

End‐Capping as a Method for Improving Carrier Injection in Electrophosphorescent Light‐Emitting Diodes

The electronic properties, carrier injection, and transport into poly(9,9‐dioctylfluorene) (PFO), PFO end‐capped with hole‐transporting moieties (HTM), PFO–HTM, and PFO end‐capped with electron‐transporting moieties (ETM), PFO–ETM, were investigated. The data demonstrate that charge injection and transport can be tuned by end‐capping with HTM and ETM, without significantly altering the electronic properties of the conjugated backbone. End‐capping with ETM resulted in more closely balanced charge injection and transport. Single‐layer electrophosphorescent light‐emitting diodes (LEDs), fabricated from PFO, PFO–HTM and PFO–ETM as hosts and tris[2,5‐bis‐2′‐(9′,9′‐dihexylfluorene)pyridine‐κ²NC_3′]iridium(III ), Ir(HFP)₃ as the guest, emitted red light with brightnesses of 2040 cd m^–2, 1940 cd m^–2 and 2490 cd m^–2 at 290 mA cm^–2 (16 V) and with luminance efficiencies of 1.4 cd A^–1, 1.4 cd A^–1 and 1.8 cd A^–1 at 4.5 mA cm^–2 for PFO, PFO–HTM, and PFO–ETM, respectively.