使用BDM对MPC860进行调试

在嵌入式系统开发中,调试技术有着举足轻重的地位,该文以MPC860为例,介绍Motorola的BDM调试方法及相关工具MPCBDM.     

一种快速自适应全局运动估计算法的研究

该文提出一种快速自适应全局运动估计算法。该方法从分析块匹配运动矢量统计特性出发,通过 引入一个可预设置参数,计算当前帧与参考帧之间的基本平移矢量,并自适应地采取混合全局运动、局部运 动估计的算法处理不同特征的源数据.仿真结果表明,与传统方法相比,该文算法复杂性低、处理延时小、 更利于硬件实现,在PSNR变化不大的情况下,编码效率有较大的改善.     

SCR器件在CMOS静电保护电路中的应用

静电放电(ESD)对CMOS电路的可靠性构成了很大威胁。随着CMOS电路集成度的不断提高，其对ESD保护的要求也更加严格。针对近年来SCR器件更加广泛地被采用到CMOS静电保护电路中的情况，文章总结了SCR保护电路发展过程中各种电路的工作机理。旨在为集成电路设计人员提供ESD保护方面的设计思路以及努力方向。     

一种用于32位CPU的CPL流水线乘加器的设计

综合的32位乘加器需采用5段流水线才能满足CPU的设计指标，但这样会造成与CPU指令流水线不匹配，带来了控制复杂化。为解决这个问题，采用互补传输门逻辑(CPL)设计了用于32位CPU的高速乘加器，使其流水线段数从原来的5段缩减为与CPU指令流水线相匹配的3段，简化了控制、降低了功耗、节省了面积。     

溅射法制备高取向Pt薄膜的工艺研究

采用射频磁控溅射工艺在SiO2／Si衬底上成功制备了适用于pZT铁电薄膜底电极的180nm厚、沿(111)晶向强烈取向的Pt薄膜。厚约50nm的Ti膜被用作过渡层，以增强Pt薄膜与衬底之间的黏着性。实验表明，在Pt薄膜的制备过程中，较高的衬底温度有利于薄膜晶化，促使Pt薄膜沿(111)晶向择优取向生长。而在薄膜沉积后加入适当的热处理工艺，能有效地提高Pt薄膜的择优取向性，同样可以得到沿(111)晶向强烈取向的Pt薄膜。原子力显微镜分析表明，制得的薄膜结构相对致密，结晶状况良好，晶粒尺寸约为50nm。     

一种硅衬底镂空结构的圆形射频微电感

利用MEMS工艺以及硅的湿法刻蚀工艺制作了一种硅衬底镂空结构的圆形射频微电感，并研究了硅衬底背面减薄对射频微电感性能的影响，结果表明：微电感硅衬底经过局部刻蚀减薄后其自谐振频率上升，电感量的频率稳定性提高，而其最大Q值下降。     

双层悬空结构片状微电感研究

利用MEMS工艺制作了一种双层悬空结构的圆形片状微电感，并研究了其在S波段的性能。双层微电感的底层线圈制作在玻璃衬底平面上，外径为500μm，匝数为2，导线宽度70μm，导线间距15μm，顶层线圈的悬空高度为20μm，顶层线圈的匝数为1．5，其它结构参数与底层线圈相同。研究表明，所制作的双层结构微电感在2GHz～4GHz时其电感量达到2．2nH，其品质因数达到22。在制作过程中首次引入的光刻胶抛光工艺大大简化了微电感的制作过程。     

限流用BaTiO3系PTC陶瓷的制备及影响因素

介绍了以钛酸四丁酯和自制高纯醋酸钡为主要原料,采用溶胶–凝胶一步法(sol-gel)制备限流用BaTiO3系PTC陶瓷材料的工艺路线,用正交实验法研究了Ti/Ba,Pb,Ca,Y,Mn等组分因素对PTC陶瓷材料性能的影响。优化确定了PTC陶瓷材料的较佳组成。在基方固溶体化学组成,原材料选择和复合添加物的改性,特别是烧结工艺等方面做了细致的工作。最终获得了居里温度(tC)100℃,室温电阻率(r25) ≤20 ·cm,升阻比(Rmax / Rmin)>105,温度系数(aR)≥15% /℃,耐电压(Vb)≥190 V·mm1的PTC陶瓷材料。     

冲击载荷下航天用PBGA焊点的优化设计

从动力学角度考虑PBGA焊点承受不同加速度情况下冲击载荷的情况,对PBGA焊点尺寸建立了正交设计表。运用有限元分析技术对该表中各种因素和水平分别进行有限元分析,运用数理统计对正交结果进行分析,在现有尺寸结构上提出了最优化设计。对各种因素进行了显著性分析及比较,得出在动力载荷下,焊点直径、高度等参数对焊点可靠性的影响比焊点位置参数对焊点可靠性的影响要低得多。在动力载荷下,焊点位置、形状变为可靠性设计的主要考虑因素。并通过扩大参数取值范围得到二次正交设计表验证了其正确性。     

网络管理中事件关联检测机制的研究

网络事件的关联检测是网络管理需要解决的一个关键问题,本文根据分布式网络管理的特点,首次明确定义了网络事件的基本关联关系,在此基础上提出了一种基于Petri Net的事件关联检测机制,实现了基于事件内容的细粒度关联检测,并且在事件检测中充分考虑了时间因素,有效地提高了事件关联检测的准确性。