MEMS移相器及其在微型通信系统中的应用

从传统移相器的构造和原理出发，进一步分析了MEMS移相器的结构、特性。结果表明，MEMS移相器具有传统移相器所无法比拟的体积小、损耗小、成本低、频带宽、易于集成等突出优点。随着高阻硅衬底在微波领域应用的扩展，MEMS移相器介质损耗大幅度降低，将能与信号处理电路一同集成于硅衬底上，便于相控阵雷达等通信系统实现微小型化。     

ADμ C845在配料控制器中的应用

本文从应用角度出发，介绍了ADμ C845的主要特点、功能及其使用要点。在此基础上，根据配料生产的工艺要求，以ADμ C845为核心，设计了一种新型配料控制器。详细介绍了仪表的硬件电路设计，给出了A／D转换部分C51源程序。该仪表具有自动称重、配料控制和联机通信等功能，实际使用运行稳定、效果良好。     

新型高k栅介质材料研究进展

随着半导体技术的不断发展，MOSFET（metal-oxide-semiconductor field effect transistor）的特征尺寸不断缩小，栅介质等效氧化物厚度已小至nm数量级。这时电子的直接隧穿效应将非常显著，将严重影响器件的稳定性和可靠性。因此需要寻找新型高k介质材料，能够在保持和增大栅极电容的同时，使介质层仍保持足够的物理厚度来限制隧穿效应的影响。本文综述了研究高k栅介质材料的意义；MOS栅介质的要求；主要新型高k栅介质材料的最新研究动态；展望了高k介质材料今后发展的主要趋势和需要解决的问题。     

准噶尔盆地侏罗系储集层的基本特征及其主控因素分析

从描述储集层基本特征、分析储集层性质的主控因素、建立储集层成因模式和评价、预测储集层性质这 4个层次 ,研究准噶尔盆地重点勘探目标区的侏罗系储集层。系统总结侏罗系储集层岩石学特征 ,认为成岩压实作用强弱是控制储集层性质的关键因素 ;指出相对优质储集层均为剩余原生粒间孔隙型储集层 ,溶蚀作用对渗透率贡献小 ;非煤系储集层的孔隙保存条件明显比煤系储集层好 ,这是三工河组、头屯河组和吐谷鲁群的物性普遍优于八道湾组和西山窑组的原因。在确定储集层性质的控制因素和控制机理基础上 ,建立了煤系和非煤系两大类储集层的成因 演化模型。在上述研究的基础上 ,分地区、分层位评价了储集层 ,并预测了不同渗透率储集层的深度界线及相对优质储集层的平面分布。图 6参 10     

Cif2000平台下的核磁共振测井解谱方法研究

介绍了在Cif2000多井解释平台下的核磁共振解谱方法与编程实现。解谱采用加入平滑因子后在特征矩阵的奇异值分解中截去小的非零奇异值的方法，可以在低信噪比时得到稳定的弛豫谱，在油田实际应用中证明了该方法的有效性。根据该方法在Cif2000平台上编制了完整的解谱处理程序，可以直接用于油田的生产实际。     

α-蒎烯催化加氢反应的研究

以FYX - 2G型高压搅拌釜为加氢反应器 ,测定了在不同搅拌器型式和搅拌转速下高压釜的持气量和反应效果 ,认识到α 蒎烯催化加氢是外扩散控制的反应 ,当搅拌转速为 6 0 0r/min时 ,基本上能消除外扩散的影响。考察了Raney镍和Pd/C催化剂、反应温度在 35 3～ 499K ,压力在 4 0～ 10MPa的条件下对α 蒎烯加氢转化率和选择性的影响 ,结果表明Raney镍更适宜于α 蒎烯催化加氢 ,其转化率随温度、压力增加而提高 ,但选择性下降。采用温度 35 3～ 433K、压力 4 0～ 7 0MPa的操作序列 ,克服了α 蒎烯加氢转化率与选择性互为逆向的缺点 ,缩短了反应时间 ,制得了顺反比高达 18 2∶1的蒎烷 ,并且发现加氢反应从温度 433K开始有副产物对烷生成 ,当温度超过 45 6K时 ,加氢过程还出现飞温现象。     

NBR/PP热塑性弹性体研究进展

阐述了NBR／PP共混热塑性弹性体动态硫化胶的国内外研究进展、微观相态结构、性能、应用及展望。     

第三代短波自动链路建立系统特性分析及仿真实现

分析了第三代短波自动链路建立系统的工作特性及技术特点，并对系统仿真实现的原则及一些细节问题进行了较深入的探讨，同时对仿真实现中涉及的链路质量分析（LQA）算法进行了研究。     

Improvement of RCA transistor using RTA annealing after theformation of interfacial oxide

A polysilicon emitter RCA transistor (an ultra-thin interfacial oxide layer exists between polysilicon and silicon emitter) is presented which can operate at 77 K for the first time. An ultra-thin (1.5 nm) interfacial oxide layer is grown deliberately between polysilicon and silicon emitter using RCA oxidation and excellent device stability is obtained after rapid thermal annealing (RTA) treatment in nitrogen atmosphere. The RCA transistor exhibits good electrical performance at very low temperature for an emitter area of 3 × 8 μm². The maximum toggle frequency of a 1:2 static divider is 1.2 GHz and 732 MHz at 300 K and 77 K, respectively     

Trace elements in particles of motor vehicle exhaust in Shanghai

A nuclear microprobe with high spatial resolution and high analytical sensitivity was applied to analyze trace elements,especially lead,in vehicle exhaust of Shanghai city.The result shows that the chemical composition and its corresponding x-ray relative intensity are different among different vehicle exhausts.There are many kinds of metal elements in particles of vehicle exhaust.most are harmful to people,such as Ti,Cr,Mn,Pb,etc.We found that the lead concentration was 6820μg/g and the bromine concentration was 5300μg/g in the exhaust from Santana using leaded gasoline(SULG).which is higher than any other kinds of vehicle exhausts.We have also detected the minimum lead in the particles of unleaded gasoline and its content varies from one to another.Its mean concentration was 450μg/g and the highest reached 6210μg/g.The unleaded gasoline‘s Pb existed in the whole particle while the leaded gasoline‘s enriched in the surface of the particle and was more harmful to the human beings.