Z形自膨式金属支架治疗节段性下腔静脉型Budd- Chiari综合征中长期随访结果

【摘要】 目的 评价Z形自膨式金属支架（Z- SEMS）在节段性下腔静脉型Budd- Chiari综合征（BCS）介入治疗中的应用及中长期随访结果。方法 回顾性分析2004年8月至2014年12月接受Z- SEMS支架治疗的41例节段性下腔静脉型BCS患者临床资料,并收集术后累计1、2、2～5、5～10年随访数据。结果 41例患者均成功接受经皮球囊血管成形术（PTBA）和Z- SEMS支架植入术,术后患者下腔静脉高压症状明显改善,显效35例（85.4%）,有效6例（14.6%）,总有效率100%。4例患者（9.8%）出现支架移位并发症。所有患者获随访1～125个月,平均（64.12±41.48）个月,1例患者术后4个月出现门静脉高压症状,作经颈内静脉途径门腔分流术后缓解,4例新发肝细胞癌,5例死亡。4例（9.8%）支架再阻塞,再次PTBA术恢复通畅。累计1、2、2～5、5～10年下腔静脉一次通畅率分别为95.1%（39/41）、94.1%（32/34）、90.3%（28/31）、83.3%（20/24）,二次通畅率分别为100%（41/41）、100%（34/34）、100%（31/31）、100%（24/24）。结论 Z- SEMS支架治疗节段性下腔静脉BCS安全有效,再阻塞率低,中长期疗效满意。术后应注意随访支架及新发肝细胞癌。

     

接水盒注塑成型工艺分析及模具设计

介绍了冰箱接水盒注塑件的成型工艺特点及注塑模具的结构特点及工作过程。通过采用斜导柱,弹簧等为动力实现了侧孔,卡钩等注塑件上的侧成型特征。该注塑模具设计成为需要侧成型开关的注塑模具典范。     

套管侧钻井技术在长庆长北区块的应用

对侧钻井工艺以下方面进行研究,开窗位置的选择;侧钻前的井眼准备工作;封隔器坐封的施工要求;磨铣过程中的注意事项以及侧钻对钻井液的要求等方面做了一定的分析.此外着重对长庆长北CB4-2井第二支水平段开窗侧钻做了分析、总结.     

儿童家具的安全性及选购方法

为应对人口老龄化问题,国家开始实施一对夫妻可以生育3个子女的政策,中国儿童的数量将增长,儿童家具的需求量也将随之增大,市场上儿童家具的产品种类也日益增多。孩子成长过程中家具的安全问题不容忽视,但有很多生产厂家和消费者对儿童家具的安全性了解不深。消费者在购买儿童家具时应注意哪些安全性问题。通过研读国家标准GB 28007—2011《儿童家具通用技术条件》,并查阅相关资料,详细阐述了国家标准对儿童家具的有害物质限量以及结构安全的要求,以及儿童家具的有害物质限量及结构安全等方面对儿童的危害,同时为消费者提供儿童家具的购买意见,使消费者在采购过程中对儿童家具的安全性问题有更深的认识。     

冬瓜山脱泥滑石泡沫中回收铜矿物的浮选工艺研究

试验试样为含大量易浮层状硅酸盐脉石矿物的难选硫化矿脱出的滑石泡沫,铜含量为0.925%,粒度较细,过粉碎严重。为了确定脱除的滑石泡沫中铜矿物是否可以回收及回收方法,进行了回收铜矿物的浮选工艺研究。通过选矿条件试验以及流程工艺的研究,最终得到品位为10.76%、回收率为80.14%的铜精矿。     

水平定向钻技术在管道穿越工程中的应用研究

对定向钻穿越施工中的弯曲半径和管道回拖力等关键参数进行的理论研究表明,工程经验公式用于管道穿越设计存在不足。对影响各参数的基本因素进行了分析,给出了更加符合工程实际的理论计算公式。考虑到穿越过程泥浆的基本作用,提出了最小需要泥浆压力和最大允许泥浆压力的概念,并推导出计算公式。应用定向钻穿越的相关理论,对某管道穿越工程的3个穿越方案进行了优选,得到了关键穿越指标的定量值。通过对关键参数的对比分析,确定了最符合工程实际的方案,应用效果良好。     

垫片双向冲裁级进模设计

根据以往的设计步骤,垫片的冲裁需要多道工序,多副冲压模具才能实现,不仅增加成本而且生产效率低,本通过设计一个能够左右级进的级进模,从而实现了一道工序,一副冲压模即实现生产的模具结构。大大提高了生产效率。     

基于模糊控制算法的纯电动汽车空调控制器的研发

纯电动汽车迅速发展,要求其空调系统也急需跟进。根据纯电动汽车特点,开发出一种纯电动汽车空调控制器系统,设计了空调控制器的电源模块,阐述了使用无位置传感器控制压缩机无刷直流电机的原理,研发了一种过流检测电路。提出了一种新型控制方法,即：在考虑整车负载的基础上,使用多输入变量模糊控制算法对汽车空调压缩机电机进行控制,同时兼顾了乘员的舒适性与汽车的动力性。结果表明这种空调控制器运行良好,达到了预期效果。     

底板多工位级进模设计

分析了底板零件的工艺特点，介绍了零件的排样设计方案，模具结构及工作过程。     

InP基HEMTs器件16参数小信号模型（英文）

针对InAlAs/InGaAsInP基HEMTs提出了一种16参数小信号拓扑结构.拓扑结构中引入栅源电阻(R_(gs))表征短栅沟间距引起的栅泄漏电流效应.另外还引入输出跨导(gds)和漏延迟(τ_(ds))描述漏端电压对沟道电流的影响以及漏源电容(C_(ds))引起的相位变化,从而提高了S_(22)参数拟合精度.外围寄生参数通过open和short拓扑结构计算得出,本征部分利用去除外围寄生参数后的Y参数计算得出,最终模型参数值经过优化以达到最佳拟合状态而确定.结果表明,s参数和频率特性的仿真值与测试数据拟合程度很好,R_(gs)和τ_(ds)的引入降低了模型误差.准确合适的InP基HEMTs小信号模型对于高频电路设计非常重要.