注水油藏聚合物驱开发存在问题及措施

一、聚合物驱区块开发存在问题与现状 1调剖笼统,调剖强度不易控制,导致影响调剖效果。同样以该油田某区为例。该区储层非均质性严重,小层渗透率差异较大．优选高渗透层采用笼统调剖时,调剖强度控制难度大,调剖强度过大,过小都影响调剖效果;从2008年调剖后7口井测的吸水剖面看,吸水指数、吸水强度得到改善,高渗层有所下降,     

武器装备毁伤评估研究进展

随着高新武器系统精确打击和高效毁伤能力的不断提高,武器装备毁伤测试评估的要求和难度也越来越大。分析了武器装备毁伤评估研究的意义,从毁伤评估方法、毁伤评估试验、毁伤评估系统、毁伤评估规范和标准研究4个方面对国内外毁伤测试评估研究情况进行了综述,指出了国内在上述几个方面与国外的差距,并提出加强我国武器装备毁伤评估研究的建议。     

铝挤压加工的金属流动景象

一、前言铝合金的挤压加工与铸造、锻造、压延等其他金属加工方法相比,历史较短,但自60年代起铝挤压制品急剧增加,现在已变成多品种、大量生产的局面。以6063合金为主的窗框型材制造业,其产量占挤压业的绝对优势。为了提高生产效率,正在开展挤压机大型化、操     

枯草芽孢杆菌糖化型α-淀粉酶的研究(Ⅰ)——糖化型淀粉酶的发酵生产条件及纯化

枯草芽孢杆菌KO_2在合适的碳源,如糊精、可溶性淀粉及氮源,如豆饼浸出液的培养液中三天能达产糖化型α-淀粉酶高峰。使用硫酸铵分级盐析,离交色谱,凝胶过滤可获得纯净的酶。对此纯化的酶的研究表明:该酶的等电点为pH5.16,pH稳定范围5.0～8.5,温度稳定范围40～50℃以下,最适作用pH为5.5,最适作用温度66℃,分子量经凝胶过滤、高压液相色谱、SDS电泳及超速离心分析测得为42,000～45,000,由396氨基酸残基构成并确定了各种氨基酸的百分比及数量,对于可溶性淀粉的米氏常数为0.057,最大速度V_(max)=1.3微克分子/分钟·亳升·单位酶活。比较此酶与液化型α-淀粉酶、糖化酶对基质的作用表明,此酶具有独特的作用机理。     

只收不发--AIS技术在舰船上的应用

在分析和讨论了通导设备AIS的发射技术的基础上,分别就时分多址、时域和频域层面说明信道的有限性和电磁辐射特性。然后针对船舶终端的只收不发的需求,提出三个解决方案。     

复杂电磁环境下电台频率规划和布阵

针对在复杂电磁环境下较小区域内装备之间的干扰问题,对电台频率规划和布阵进行研究。在分析接收机4种干扰的基础上,研究如何在复杂电磁环境下合理进行选频,并利用遗传算法对同频同时工作的电台在较小区域内的优化布阵进行分析,利用matlab软件仿真计算出了7部电台较为合理的布阵方案。结果表明,该方案能在一定程度上降低电台间的干扰,可为在较小区域内布阵电台提供参考。     

高超声速飞行器自抗扰PID姿态控制

针对高超声速飞行器模型非线性、气动参数变化剧烈的特点,运用自抗扰技术中的跟踪微分器,设计了自抗扰PID控制器,实现了对高超声速飞行器俯仰通道的姿态控制。仿真结果表明,通过两个跟踪微分器构造的自抗扰PID控制器对于高超声速飞行器这样复杂的模型有很好的控制能力,并且有很好的滤波性能和鲁棒性。     

下变频器件AD6620的原理及设计配置

A/D转换和数字下变频是软件无线电体系结构中非常重要的两个关键技术。文中给出了对AD6620进行配置,以使得ADC的数据输出在内部可直接连接到接收器的DDC输入矩阵,从而简化设计,减少连接产生的寄生信号的配置方法。     

浅谈有线传输技术发展趋势

基于对当代有线传输系统中采用的传输技术进行简述,针对每种传输技术不同的特点对有线传输技术进行了详细的分析,以此为今后通信技术的发展提供可参考的依据。     

Optical properties of Ta2O5 single layer and ultraviolet reflective film under ultraviolet irradiation

Tantalum pentoxide (Ta2O5) and ultraviolet reflective (UVR) multilayer films were deposited on quartz glass substrates by an electron beam evaporation system equipped with a hall ion source, respectively. The optical properties of Ta2O5 film and the UVR film under the vacuum ultraviolet irradiation were investigated. It is found that the mean transmittance of the Ta2O5 thin film decreased in the 300—500 nm region. The refractive index and extinction coefficient of the single layer increased during the range of 300—1 000 nm, with the variation rate of refractive index less than 1%, which is mainly due to the larger surface roughness and variation of the chemical state of Ta atoms on the surface caused by the irradiation. The mean reflectance of UVR film decreased from 96.5% to 95.4% during the range of 290—450 nm, indicating that the Ta2O5 and UVR films have excellent vacuum ultraviolet irradiation resistant properties.